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對(duì)于不知道U盤存儲(chǔ)過程的朋友來說，在使用U盤拷貝電影或文字時(shí)，也許會(huì)有這樣的困惑，寫入數(shù)據(jù)后的U盤，比原先的更重了嗎？如果是，又重了多少？

事實(shí)上，在看到這個(gè)問題之前，我對(duì)U盤的存儲(chǔ)過程也不是很了解，只知道最基本的是，數(shù)據(jù)在U盤里以0和1這樣的二進(jìn)制位來存儲(chǔ)。例如字符s的二進(jìn)制表示為：01110011，每一位存儲(chǔ)在一個(gè)單元中。

那么，這0和1在U盤中又是如何存儲(chǔ)的呢？我們知道，U盤的存儲(chǔ)器是EEPROM芯片，其每一個(gè)存儲(chǔ)單元就是一個(gè)MOS管。MOS管由以下4個(gè)部件構(gòu)成：源極，控制柵，浮動(dòng)?xùn)藕吐O。見下圖：

其中的浮動(dòng)?xùn)啪褪怯脕肀４?和1數(shù)據(jù)的，它的周圍包裹了一層很薄的氧化物絕緣層。只要浮動(dòng)?xùn)胖写嫒肓穗娮?，表現(xiàn)為負(fù)電位，則表示0，沒有盛裝電子，表示1。在存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)，假設(shè)U盤已經(jīng)被格式化，所有的浮動(dòng)?xùn)爬锏碾娮泳粚?dǎo)出即全部表示為1，寫入數(shù)據(jù)時(shí)，凡是需要寫0的單元，就在浮動(dòng)?xùn)胖醒b入電子，需要寫1的單元?jiǎng)t什么也不做。寫0時(shí)，在控制柵和漏極之間加一個(gè)強(qiáng)電壓，產(chǎn)生大量的高能電子，這些電子穿過包裹在浮動(dòng)?xùn)胖車慕^緣層，堆積在浮動(dòng)?xùn)爬?，?dāng)電壓被移除時(shí)，浮動(dòng)?xùn)爬锏碾娮佑捎跊]有了放電回路，被永久保持。這樣，一個(gè)“0”就寫入U(xiǎn)盤了。

現(xiàn)在看來，寫入數(shù)據(jù)后，由于大量電子的堆積，U盤的質(zhì)量的確變大了，但是究竟變大多少就不好說了，這取決于寫入的二進(jìn)制數(shù)據(jù)包含0的數(shù)量。但即便全部是0，它的質(zhì)量增加也不是人能感覺得到的（這不是廢話嗎*.*)！

哈哈，娛樂一把，但最起碼將EEPROM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的大致過程弄清楚了，還是比較有意義的！

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