(1)動態(tài)存儲器的組成：由單個MOS管來存儲一位二進制信息。信息存儲在MOS管的源極的寄生電容CS中。
◎?qū)憯?shù)據(jù)時：字線為高電平，T導通。
寫“1”時，位線(數(shù)據(jù)線)為低電平， VDD(電源)將向電容充電
寫“0時，位線(數(shù)據(jù)線)為高電平， 若電容存儲了電荷，則將會使電容完成放電，就表示存儲了“0”。
◎ 讀數(shù)據(jù)時：先使位線(數(shù)據(jù)線)變?yōu)楦唠娖?，當字線高電平到來時T導通，若電容原存儲有電荷( 是“1” )，則電容就要放電，就會使數(shù)據(jù)線電位由高變低;若電容沒有存儲電荷( 是“0” )，則數(shù)據(jù)線電位不會變化。檢測數(shù)據(jù)線上電位的變化就可以區(qū)分讀出的數(shù)據(jù)是1還是0。
注意
①讀操作使電容原存儲的電荷丟失，因此是破壞性讀出。為保持原記憶內(nèi)容，必須在讀操作后立刻跟隨一次寫入操作，稱為預充電延遲。
②向動態(tài)存儲器的存儲單元提供地址，是先送行地址再送列地址。原因就是對動態(tài)存儲器必須定時刷新(如2ms)，刷新不是按字處理，而是每次刷新一行，即為連接在同一行上所有存儲單元的電容補充一次能量。
③在動態(tài)存儲器的位線上讀出信號很小，必須接讀出放大器，通常用觸發(fā)器線路實現(xiàn)。
④存儲器芯片內(nèi)部的行地址和列地址鎖存器分先后接受行、列地址。
⑤RAS、CAS、WE、Din、Dout時序關系如下圖：
