?。ㄒ唬╉n國(guó)半導(dǎo)體照明相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策概述：
韓國(guó)在發(fā)展高新技術(shù)方面，以微電領(lǐng)域?yàn)橄葘?dǎo)，為此制定了具體的措施，制定高新技術(shù)發(fā)展規(guī)劃。明確重點(diǎn)發(fā)展微電子、光電子、機(jī)電一體化，新材料、精細(xì)化工、生物工程和航空等七大領(lǐng)域。對(duì)研究開發(fā)和生產(chǎn)銷售的全過(guò)程實(shí)行一條龍的組織管理、興建了現(xiàn)代化科研基地、科技城等，構(gòu)建最新科技信息網(wǎng)絡(luò)，加強(qiáng)與發(fā)達(dá)國(guó)家的技術(shù)交流與科研合作，加大對(duì)高新技術(shù)項(xiàng)目的投資力度。
從世界范圍來(lái)看，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最早起源于美國(guó)，早在50年代，美國(guó)就開發(fā)出世界第一個(gè)DRAM芯片和MPU芯片。日本在80年代成功地趕超了美國(guó)，將美國(guó)擠出了DRAM市場(chǎng)。80年代初，韓國(guó)開始大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，雖然初期韓國(guó)的技術(shù)、資金、市場(chǎng)都不如美國(guó)、日本等半導(dǎo)體先進(jìn)國(guó)家，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資規(guī)模又大，但韓國(guó)在90年代成功地實(shí)現(xiàn)了趕超，在國(guó)際DRAM（動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器）市場(chǎng)上取得了領(lǐng)先地位。
1974年，韓國(guó)第一家本地半導(dǎo)體公司由具有半導(dǎo)體設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)的韓裔美籍科學(xué)家建立。1975年，被三星收購(gòu)，三星從而逐漸開始生產(chǎn)各種晶體管和集成電路。1982年，三星決定大規(guī)模進(jìn)入半導(dǎo)體業(yè)，并建立了一個(gè)半導(dǎo)體R&D實(shí)驗(yàn)室，主要集中于雙極的和金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)的逆向工程和技術(shù)知識(shí)吸收。韓國(guó)微電子工業(yè)的發(fā)展一直是以大企業(yè)集團(tuán)為主體，其中尤其以三星公司為代表。三星從20世紀(jì)80年代早期開始介入大規(guī)模集成電路行業(yè)，1983年，三星公司開始生產(chǎn)64KDRAM，當(dāng)時(shí)落后美日近四年之久，三星從單純的技術(shù)模仿開始，通過(guò)積極主動(dòng)的技術(shù)學(xué)習(xí)，不斷地積累技術(shù)能力、進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，歷經(jīng)256K(落后兩年)、1M(落后日本一年)、4M(落后六個(gè)月)、16M(落后三個(gè)月)，到64M時(shí)與美日同步，到256M，超前美日半年推出，由后進(jìn)到追趕而迎頭趕上，三星公司僅用了10年時(shí)間。到1994年，三星成為世界上排名第一的DRAM制造商和第七大半導(dǎo)體制造商，其他韓國(guó)廠商，如現(xiàn)代、金星等也位居世界前列。1996年，成功開發(fā)出世界上第一個(gè)1GBDRAM；1994年，成功推出網(wǎng)絡(luò)可視手機(jī)CDMA手表式手機(jī)等。
韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成功，主要得益于韓國(guó)政府1980年代以來(lái)，在高技術(shù)產(chǎn)業(yè)方面實(shí)施的重點(diǎn)扶持政策，“主要依靠政府投資”拉動(dòng)該產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，其間，來(lái)自政府的投入占了整體投入的一半以上。此后，政府直接投資開始減少，來(lái)自于大企業(yè)、大銀行的投資開始上升。在財(cái)政支持方面，韓國(guó)政府成立了專門針對(duì)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的韓國(guó)新技術(shù)支持金融公司，以企業(yè)形式對(duì)相關(guān)項(xiàng)目實(shí)施國(guó)家支持。1975年，韓國(guó)政府制訂了推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的六年計(jì)劃，在產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期，政府建立了韓國(guó)高級(jí)科學(xué)技術(shù)研究院(KAIST)和韓國(guó)電子技術(shù)研究所(KIET)，進(jìn)行超大規(guī)模集成電路的研究，不僅為韓國(guó)微電子工業(yè)的發(fā)展起到了重要的作用，更重要的是為韓國(guó)培養(yǎng)了大批微電子方面的人才。
微電子每下一代的研發(fā)費(fèi)用都在呈指數(shù)規(guī)律增長(zhǎng)。韓國(guó)政府為了避免企業(yè)之間重復(fù)投資，迅速提高本國(guó)企業(yè)的技術(shù)能力。1986年10月，政府將4MDRAM列為國(guó)家項(xiàng)目。將韓國(guó)三大半導(dǎo)體制造商：三星、LG、現(xiàn)代結(jié)盟進(jìn)行開發(fā)，由一個(gè)政府研究所——電子與電信研究所(ETRI)，作為這三大廠商和6所大學(xué)的協(xié)調(diào)者。目標(biāo)是到1989年開發(fā)出和規(guī)模生產(chǎn)4MDRAM，完全消除與日本公司的技術(shù)差距。三年中(1986-1989)R&D共花了1．1億美元，政府承擔(dān)了其中的57%，遠(yuǎn)超過(guò)其他國(guó)家項(xiàng)目。1988年，三星在三大企業(yè)中第一個(gè)宣布完成4MDRAM設(shè)計(jì)，只落后日本6個(gè)月。三星共申報(bào)了4MDRAM的56項(xiàng)專利，LG是40項(xiàng)，現(xiàn)代是38項(xiàng)，大學(xué)是3項(xiàng)，ETRI是11項(xiàng)。后來(lái)三星成功開發(fā)出16MDRAM，落后日本時(shí)間縮短為3個(gè)月。64M和256MDRAM的開發(fā)上，韓國(guó)政府也將列為國(guó)家項(xiàng)目，并組織了類似的結(jié)盟。但三個(gè)大企業(yè)都已建立了獨(dú)立的研究開發(fā)能力，拒絕與競(jìng)爭(zhēng)者共享知識(shí)。1992年8月，三星與日本廠商同時(shí)開發(fā)出64MDRAM。1994年下半年，三星成為世界上第一個(gè)商用64MDRAM供應(yīng)商，供給HP，IBM和SUN等大公司。1994年8月，在投資1．50億美元30個(gè)月后，三星成功開發(fā)出世界上第一個(gè)完全可用的256MDRAM樣品，在處理大批量數(shù)據(jù)上能力有了顯著提高。三星在這一時(shí)期內(nèi)部研究開發(fā)實(shí)力已經(jīng)得到了很大的提高，其R&D投資由1980年的8．5百萬(wàn)美元上升到1994年的891．6百萬(wàn)美元。同期R&D占總銷售額的比重從2．1%上升到6．2%，韓國(guó)本地授予的專利數(shù)量從1980年的4件上升到194年的1，413件，三星研究開發(fā)能力取得了很大的飛躍。
韓國(guó)微電子產(chǎn)業(yè)成功發(fā)展中，有兩個(gè)重要因素：一個(gè)是政府的作用，政府如何有效地參與和調(diào)控產(chǎn)業(yè)的發(fā)展是其關(guān)鍵；同樣，在韓國(guó)的模式中，人才的培養(yǎng)和核心技術(shù)的突破，也都是依賴于政府的作用。二是，政府、研究所和三大企業(yè)成立的聯(lián)合研究開發(fā)項(xiàng)目，對(duì)于韓國(guó)整體微電子行業(yè)的技術(shù)升級(jí)起到了關(guān)鍵的作用，使得韓國(guó)企業(yè)不僅能夠在4M和16MDRAM實(shí)現(xiàn)自主開發(fā)的突破，而且能夠得以在國(guó)際市場(chǎng)上形成強(qiáng)有力的競(jìng)爭(zhēng)地位。
同時(shí)韓國(guó)政府非常重視中小企業(yè)發(fā)展，認(rèn)為它們才是發(fā)展本國(guó)自主產(chǎn)業(yè)的主要力量。目前這些中小企業(yè)的發(fā)展大都定位于前沿技術(shù)的研發(fā)，瞄準(zhǔn)自有專利技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化。在技術(shù)轉(zhuǎn)移平臺(tái)營(yíng)造方面，韓國(guó)政府每年撥付?？钣糜谥С种行∑髽I(yè)孵化，銀行、風(fēng)險(xiǎn)投資財(cái)團(tuán)也給予鼎力協(xié)助。韓國(guó)政府在支持LG、三星、現(xiàn)代等大企業(yè)在技術(shù)開發(fā)的同時(shí)，讓中小企業(yè)也參與進(jìn)來(lái)，以避免技術(shù)分布的不平衡，從而帶動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
?。ǘ┟绹?guó)半導(dǎo)體照明相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策概述：
70年代前，美國(guó)沒(méi)有明顯的產(chǎn)業(yè)政策，主要是通過(guò)產(chǎn)業(yè)組織政策反對(duì)壟斷，但是在經(jīng)歷了70年代的經(jīng)濟(jì)萎縮后，歐美國(guó)家開始注意研究政府在經(jīng)濟(jì)發(fā)展中的作用，特別是面對(duì)日本的迅速崛起與競(jìng)爭(zhēng)，歐美國(guó)家更加關(guān)注日本發(fā)展中的產(chǎn)業(yè)政策作用。
取了一系列特殊的稅收優(yōu)惠政策，刺激企業(yè)不斷增加對(duì)R&D的投入，美國(guó)國(guó)會(huì)通過(guò)一系列法案，進(jìn)一步挖掘聯(lián)邦開發(fā)計(jì)劃的商業(yè)潛力，建立政府與民間的合作關(guān)系，提高美國(guó)的競(jìng)爭(zhēng)力。1988年商業(yè)和競(jìng)爭(zhēng)混合法案，使美國(guó)政府與民間聯(lián)合更加緊密?？肆诸D政府《為了國(guó)家利益的科學(xué)》、《為了國(guó)家利益的技術(shù)》總統(tǒng)報(bào)告，使企業(yè)界對(duì)政府制定研究開發(fā)的重點(diǎn)產(chǎn)生影響，而且在政府的幫助下保持國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。美國(guó)的半導(dǎo)體、光電、汽車等都從與政府的密切關(guān)系中獲得了巨大利益。布什政府科技政策的一個(gè)明顯的特征是在重視長(zhǎng)遠(yuǎn)考慮，即在加強(qiáng)基礎(chǔ)研究、普及科學(xué)教育與提高教育質(zhì)量的同時(shí)，加強(qiáng)了科技成果和新技術(shù)的迅速商品化，這在很大程度上突破了傳統(tǒng)的政策制定思路。美國(guó)的國(guó)家政策中把高技術(shù)培植及產(chǎn)業(yè)化發(fā)展、完善市場(chǎng)規(guī)則及競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境等作為其長(zhǎng)期目標(biāo)，通過(guò)立法形式確立下來(lái)，從體制上為眾多企業(yè)的壯大創(chuàng)造了外部條件。
下列措施在美國(guó)以科技促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展過(guò)程過(guò)程中發(fā)揮了巨大的作用：
•重視基礎(chǔ)研究和應(yīng)用研究
政府加強(qiáng)了對(duì)R＆D活動(dòng)的資金支持，增加聯(lián)邦投資，支持基礎(chǔ)研究；1997年全年美國(guó)用于研究與開發(fā)的總支出達(dá)到2056億美元，比1996年的1932億美元增加6.5%?？鄢ㄘ浥蛎浺蛩氐挠绊?，1997年美國(guó)R＆D總支出的實(shí)際增長(zhǎng)率為3.8%。與經(jīng)濟(jì)指標(biāo)相比，美國(guó)國(guó)內(nèi)生產(chǎn)總值(GDP)的實(shí)際增長(zhǎng)率(扣除通貨膨脹因素的影響)為2.4%，從而美國(guó)全國(guó)的R＆D總支出的增長(zhǎng)率明顯高于經(jīng)濟(jì)的增長(zhǎng)率。在美國(guó)1997年全年研究與開發(fā)總支出的2056億美元中，用于基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究、開發(fā)的支出分別為311億美元、462億美元、1283億美元，分別占總支出的15.1%、22.5%、62.4%。與1996年相比，扣除通貨膨脹影響，基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究、開發(fā)這三類支出的實(shí)際增長(zhǎng)率大約分別為2.8%、3.9%、4.0%。
•強(qiáng)化科學(xué)決策
簡(jiǎn)化聯(lián)邦政府的決策機(jī)構(gòu)和機(jī)制以消除有礙于產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的不必要和繁雜的規(guī)則和慣例，加強(qiáng)科學(xué)顧問(wèn)在政策制定過(guò)程中的作用。
•以高校為依托組建多學(xué)科的工程研究中心
通過(guò)從事有意義的跨學(xué)科的研究工作，提高大學(xué)的創(chuàng)新能力，培養(yǎng)出優(yōu)秀的工程師，幫助企業(yè)提高其在國(guó)際市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)能力，是新型科技一教育一生產(chǎn)相結(jié)合的新形式。
•激勵(lì)大學(xué)、企業(yè)從事R＆D活動(dòng)
美國(guó)政府通過(guò)一系列激勵(lì)措施鼓勵(lì)大學(xué)、企業(yè)從事R&D活動(dòng)。
★改變政府直接參與科技活動(dòng)，政府部門起主導(dǎo)性作用的局面，側(cè)重通過(guò)私人部門的刺激，政府通過(guò)營(yíng)造更有利于私人部門創(chuàng)新的環(huán)境來(lái)促進(jìn)民間研究開發(fā)的活動(dòng)；美國(guó)政府以“研究合同、研究資助和合作研究”等形式向企業(yè)、高等院?；蚱渌块T撥款，極大地刺激了企業(yè)與高校的技術(shù)創(chuàng)新的積極性。
★美國(guó)在1978年頒布的《研究與開發(fā)法案》就規(guī)定企業(yè)用于Ｒ＆Ｄ的盈利部分，不予征稅。
★1982年美國(guó)國(guó)會(huì)通過(guò)的《Ｓ項(xiàng)修改法案》規(guī)定知識(shí)密集型公司可以少交1/3的稅款。
★在科技政策方面，開辟了從“總量支持”到“邊際支持”的時(shí)代。其一，針對(duì)企業(yè)R＆D的稅收優(yōu)惠。1981年通過(guò)了《經(jīng)濟(jì)復(fù)興稅收法》，規(guī)定企業(yè)在R＆D方面超過(guò)三年平均水平的開支增加額即可享受25%的稅收減免；60年代初，美國(guó)聯(lián)邦政府對(duì)R&D的資助是整個(gè)R&D投入的65%，直至1980年，美國(guó)企業(yè)界的R&D投入開始超過(guò)政府，隨后幾年增長(zhǎng)率保持在7.3%。1985—1990年，年平均增長(zhǎng)分別為2.2%和3.7%，從1993年開始，美國(guó)企業(yè)界的R&D的投入開始逐年迅速增長(zhǎng)，1994、1995年兩年以兩位數(shù)高速增長(zhǎng)，1996年，企業(yè)界R&D的投入為1135億美元，約占全國(guó)R&D總支出的61.6%。據(jù)分析家估計(jì)，美國(guó)企業(yè)界R&D經(jīng)費(fèi)今后數(shù)年仍保持增長(zhǎng)勢(shì)頭，2004年將超過(guò)2500億美元，占全國(guó)R&D總額的71.5%。
•加強(qiáng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)
不但在美國(guó)過(guò)內(nèi)加強(qiáng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)，并通過(guò)“烏拉圭回合”加強(qiáng)在世界范圍內(nèi)對(duì)美國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的保護(hù)。
•促進(jìn)技術(shù)向經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)化
鼓勵(lì)技術(shù)創(chuàng)新，并通過(guò)建立激勵(lì)機(jī)制、鼓勵(lì)研究人員的創(chuàng)業(yè)精神來(lái)推動(dòng)高新技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化和商品化。如1980年美國(guó)出臺(tái)的BayDole法案，在８０年代初期，對(duì)美國(guó)的高技術(shù)成果的轉(zhuǎn)化起了很大的推動(dòng)作用。1993年發(fā)表《促進(jìn)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的技術(shù)———增強(qiáng)經(jīng)濟(jì)實(shí)力的新方向》和《促進(jìn)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的技術(shù)———總統(tǒng)的發(fā)展報(bào)告》等報(bào)告。根據(jù)當(dāng)代科技和經(jīng)濟(jì)的變化，加強(qiáng)了相關(guān)學(xué)科研究，減少技術(shù)向經(jīng)濟(jì)效益轉(zhuǎn)化的障礙，重點(diǎn)強(qiáng)化了聯(lián)邦技術(shù)向私人部門的轉(zhuǎn)移。把由政府主導(dǎo)或擁有的技術(shù)成果，通過(guò)適當(dāng)?shù)耐緩睫D(zhuǎn)移到民間部門，主要通過(guò)企業(yè)、大學(xué)與聯(lián)邦實(shí)驗(yàn)室體系的合作。允許多數(shù)聯(lián)邦實(shí)驗(yàn)室將專利技術(shù)以排它性方式授予企業(yè)和大學(xué)，以鼓勵(lì)私營(yíng)企業(yè)進(jìn)一步投入資源，促進(jìn)了聯(lián)邦技術(shù)向民間的轉(zhuǎn)移，實(shí)現(xiàn)聯(lián)邦成果的商業(yè)化，吸收民間資源，實(shí)現(xiàn)這些技術(shù)的商業(yè)化和民用，促進(jìn)了大學(xué)、企業(yè)和聯(lián)邦實(shí)驗(yàn)室的相互合作，發(fā)揮利用政府資源推動(dòng)民間資本的杠桿作用，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新。為此先后制定了《大學(xué)和小企業(yè)專利程序法》、《技術(shù)創(chuàng)新法》、《聯(lián)邦技術(shù)轉(zhuǎn)移法》等。
同時(shí)美國(guó)政府還通過(guò)放寬反托拉斯法的規(guī)定，促進(jìn)企業(yè)之間的合作，同時(shí)通過(guò)鼓勵(lì)科技方面的國(guó)際合作、振興科技教育等舉措確保美國(guó)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
由政府組織研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)共同完成高技術(shù)的研究、開發(fā)和轉(zhuǎn)化。如美國(guó)政府資助聯(lián)邦實(shí)驗(yàn)室與企業(yè)界合作。發(fā)達(dá)國(guó)家用風(fēng)險(xiǎn)投資辦法來(lái)解決高技術(shù)企業(yè)起步階段資金上的困難，并通過(guò)整合政府、企業(yè)、研究機(jī)構(gòu)各方面的資源，及利用很多中小型高技術(shù)企業(yè)出現(xiàn)的成熟技術(shù)與自己的關(guān)鍵技術(shù)集成形成高科技產(chǎn)品。
它山之石——美國(guó)Sematech
在政府財(cái)政資助下、成功的戰(zhàn)略技術(shù)聯(lián)盟莫過(guò)于美國(guó)的半導(dǎo)體制造技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟—Sematech在美國(guó)，80年代末90年代初，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是最大的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)之一，而且，該產(chǎn)業(yè)還為其它的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)提供產(chǎn)品，如電子計(jì)算機(jī)設(shè)備以及電訊設(shè)備；同時(shí)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還排在研究發(fā)展活動(dòng)最密集的產(chǎn)業(yè)行列。正因如此，為鼓勵(lì)改進(jìn)美國(guó)的半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)，1987年，在美國(guó)政府年預(yù)算補(bǔ)貼10億美元的資助下，14個(gè)在美國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)中居領(lǐng)先地位的企業(yè)組成Ｒ＆Ｄ戰(zhàn)略技術(shù)聯(lián)盟，即Sematech。其使命有二：其一，提高半導(dǎo)體技術(shù)的研究數(shù)量；其二，為聯(lián)盟內(nèi)的成員企業(yè)提供研發(fā)資源，使其能夠分享成果、減少重復(fù)研究造成的浪費(fèi)。Sematech集中于一般的過(guò)程研發(fā)，而不是產(chǎn)品研發(fā)。根據(jù)一些學(xué)者的研究，這種戰(zhàn)略技術(shù)聯(lián)盟會(huì)潛在地使其成員企業(yè)受益，并不會(huì)威脅它們的核心能力。Sematech負(fù)責(zé)購(gòu)買、測(cè)試半導(dǎo)體制造設(shè)備，將技術(shù)知識(shí)傳播給其成員企業(yè)，通過(guò)統(tǒng)一購(gòu)買和測(cè)試可以減少企業(yè)重復(fù)開發(fā)、檢驗(yàn)新的工具，從而降低設(shè)備開發(fā)及引進(jìn)的成本。
由于成立Sematech的宗旨是提高美國(guó)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)，因此，其成員只限于美國(guó)國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體企業(yè)，國(guó)外企業(yè)在美國(guó)的子公司不能加入(如1988年，日立公司在美國(guó)的分公司的加入申請(qǐng)就被拒絕)，但是，對(duì)與國(guó)外企業(yè)進(jìn)行合作經(jīng)營(yíng)的合資企業(yè)沒(méi)有限制。Sematech不能參與半導(dǎo)體產(chǎn)品的銷售，不能設(shè)計(jì)半導(dǎo)體產(chǎn)品，不能限制其成員企業(yè)在戰(zhàn)略聯(lián)盟以外的Ｒ＆Ｄ支出。Sematech的成員企業(yè)有義務(wù)為聯(lián)盟提供資金資源和人力資源。如成員企業(yè)需將其半導(dǎo)體銷售收益的1%上繳給聯(lián)盟，也就是說(shuō)，最低交納1百萬(wàn)美元，最高交納1500萬(wàn)美元；在人力資源方面，在Sematech內(nèi)的400個(gè)技術(shù)人員中，大約有220個(gè)來(lái)自于其成員企業(yè)，來(lái)自戰(zhàn)略技術(shù)聯(lián)盟成員企業(yè)的技術(shù)人員將在Sematech在奧斯汀的總部工作6到30個(gè)月。雖然Sematech也存在一些缺點(diǎn)，如其交納成員費(fèi)政策(成員企業(yè)需將半導(dǎo)體銷售收益的1%上繳給聯(lián)盟，最低交納1百萬(wàn)美元，最高交納1500萬(wàn)美元)就廣受批判。這一費(fèi)用對(duì)銷售額低于1000萬(wàn)美元的企業(yè)是相當(dāng)重的財(cái)政負(fù)擔(dān)、而對(duì)銷售額超過(guò)15億美元的企業(yè)來(lái)說(shuō)卻又微不足道。據(jù)一些較小規(guī)模的企業(yè)稱，他們負(fù)擔(dān)不起如此昂貴的費(fèi)用，也不能將其企業(yè)中最好的技術(shù)人員派到Sematech總部工作一年或更長(zhǎng)的時(shí)間。而且，即使它們可以加入Sematech，它們對(duì)共同研究的進(jìn)程的影響也非常有限。但是，也應(yīng)當(dāng)看到，美國(guó)的半導(dǎo)體技術(shù)研究戰(zhàn)略聯(lián)盟逐漸使其成員企業(yè)降低用于Ｒ＆Ｄ活動(dòng)的支出，減少了重復(fù)研究，實(shí)現(xiàn)研究成果共享。這意味著，聯(lián)盟內(nèi)的Ｒ＆Ｄ支出比單個(gè)企業(yè)的Ｒ＆Ｄ支出更有效率，即Ｒ＆Ｄ支出減少，而研究活動(dòng)增加；或者說(shuō)用更少的支出，做相同數(shù)量的研究。同時(shí)也意味著，如果沒(méi)有政府的預(yù)算資助，聯(lián)盟內(nèi)的成員企業(yè)更傾向于自主地資助戰(zhàn)略聯(lián)盟的Ｒ＆Ｄ活動(dòng)。同時(shí)，研究也表明，Sematech對(duì)非成員的半導(dǎo)體企業(yè)的技術(shù)溢出也在提高。
?。ㄈ┤毡景雽?dǎo)體照明相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策概述：
日本是產(chǎn)業(yè)政策的發(fā)起國(guó)，也是成功實(shí)行產(chǎn)業(yè)政策的典型國(guó)家，產(chǎn)業(yè)政策的成功實(shí)施使日本趕超發(fā)展戰(zhàn)略得以實(shí)現(xiàn)。日本政府通過(guò)提高研究項(xiàng)目評(píng)價(jià)的透明度和公開性，推進(jìn)基礎(chǔ)研究的水平；通過(guò)競(jìng)爭(zhēng)性研究資金的倍增計(jì)劃，強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力、改革產(chǎn)、學(xué)、官的構(gòu)成系統(tǒng)?？晒┙梃b的有：
•競(jìng)爭(zhēng)性研究環(huán)境的營(yíng)造
通過(guò)增加競(jìng)爭(zhēng)性研究資金的比例，改革現(xiàn)有的研究評(píng)價(jià)體制，延長(zhǎng)研究人員的聘任期（從3年延長(zhǎng)到5年）等舉措即為科學(xué)家創(chuàng)造可以發(fā)揮其獨(dú)創(chuàng)性的競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境；又使其所從事的科學(xué)研究適應(yīng)國(guó)家發(fā)展戰(zhàn)略目標(biāo)和社會(huì)公眾的需求，從科學(xué)的、經(jīng)濟(jì)的、社會(huì)的這三個(gè)角度進(jìn)行評(píng)價(jià)和公共選擇。
•大力扶持新工業(yè)制度
(1)進(jìn)行調(diào)研，起草關(guān)于該工業(yè)的需要及發(fā)展前景的基本政策報(bào)告；
(2)由通產(chǎn)省批準(zhǔn)外匯配額，由開發(fā)銀行對(duì)該工業(yè)提供貸款；
(3)頒發(fā)外國(guó)技術(shù)進(jìn)口許可證；
(4)確定為戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，準(zhǔn)許對(duì)其投資作特別和加速折舊；
(5)無(wú)償或以象征性價(jià)格提供整修好的土地，以便建造廠房和安裝設(shè)備；
(6)減免關(guān)控性稅收；
(7)成立行政指導(dǎo)卡特爾，在各個(gè)公司之間調(diào)節(jié)競(jìng)爭(zhēng)和協(xié)調(diào)投資。
日本產(chǎn)業(yè)政策的制定和實(shí)施主要是由其經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)?。ㄍóa(chǎn)省），通產(chǎn)省通過(guò)電子工業(yè)振興運(yùn)動(dòng)、大規(guī)模集成電路攻關(guān)等，在政府強(qiáng)有力的領(lǐng)導(dǎo)和干預(yù)下，極大地促進(jìn)了日本機(jī)械與電子工業(yè)的發(fā)展。
它山之石二——日本VLSI
日本微電子產(chǎn)業(yè)起飛的關(guān)鍵在于VLSI合作研究組織，使得核心共性技術(shù)得以成功突破，為以后本國(guó)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了平臺(tái)和基礎(chǔ)。20世紀(jì)70年代中期，鑒于超大規(guī)模集成電路技術(shù)就成為影響信息產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展的關(guān)鍵共性核心技術(shù)，其難以靠單個(gè)企業(yè)的力量來(lái)實(shí)現(xiàn)突破。日本政府與日本主要計(jì)算機(jī)公司聯(lián)合簽署組成了超大規(guī)模集成電路(VLSI)研究協(xié)會(huì)的協(xié)議，日本VLSI研究協(xié)會(huì)包括NEC(日本電氣)、日立、三菱、富士通和東芝等五家日本最大的計(jì)算機(jī)公司，還有日本通產(chǎn)省的電氣技術(shù)實(shí)驗(yàn)室(EFL)；兩個(gè)先前成立的公司聯(lián)合研究機(jī)構(gòu)也參與了VLSI研究協(xié)會(huì)，一個(gè)是日立、三菱、富士通聯(lián)合建立的CDL，一個(gè)是NEC和東芝聯(lián)合建立的NTIS。VLSI研究協(xié)會(huì)的總投入為300億日元，折合當(dāng)時(shí)的3．06億美元，其中1．32億美元是日本政府的貼息貸款，其余的1．76億美元由五大公司分?jǐn)?。通過(guò)四年的合作，VISL研究協(xié)會(huì)共申請(qǐng)了1000項(xiàng)專利，其中600項(xiàng)取得了專利權(quán)。在技術(shù)成果上取得了一系列突破，使得日本在DRAM生產(chǎn)居世界領(lǐng)先地位，在產(chǎn)業(yè)內(nèi)部建立了一系列工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。日本的VLSI合作研究組織對(duì)于日本微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展乃至于日本整個(gè)信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起到了重要的作用，使得日本微電子產(chǎn)業(yè)在世界上的相對(duì)地位發(fā)生了明顯轉(zhuǎn)變，使得日本與美國(guó)在微電子領(lǐng)域的差距從10年以上縮短到幾乎沒(méi)有差距。通過(guò)VLSI的實(shí)施提升了日本整體微電子行業(yè)的技術(shù)水平。日本微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展經(jīng)驗(yàn)，有兩個(gè)鮮明的里程碑，一個(gè)就是通過(guò)VLSI合作研究組織的建立，實(shí)現(xiàn)了微電子產(chǎn)業(yè)核心共性技術(shù)的突破，為了企業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展提供了平臺(tái)；另外一個(gè)就是通過(guò)正確的核心競(jìng)爭(zhēng)能力戰(zhàn)略的實(shí)施，迅速提升了公司自身的核心競(jìng)爭(zhēng)能力，從而贏得了市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
綜上所述，在照明領(lǐng)域，LED的應(yīng)用將以其綠色節(jié)能的性能，成為繼明火和白熾燈之后的第三次照明變革。
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