1．在常溫下，硅二極管的門檻電壓約為 0.5V，導通后在較大電流下的正向壓
降約為 0.7V；鍺二極管的門檻電壓約為 0.1V，導通后在較大電流下的正向壓降約為 0.2V。
2、二極管的正向電阻?。环聪螂娮璐?。
3、二極管的最主要特性是單向導電性。ＰＮ結外加正向電壓時，擴散電流大于 漂移電流，耗盡層變窄。
4、二極管最主要的電特性是單向導電性，穩(wěn)壓二極管在使用時，穩(wěn)壓二極管與 負載并聯(lián)，穩(wěn)壓二極管與輸入電源之間必須加入一個電阻。
5、電子技術分為模擬電子技術和數(shù)字電子技術兩大部分，其中研究在平滑、連 續(xù)變化的電壓或電流信號下工作的電子電路及其技術，稱為模擬電子技術。
6、PN 結反向偏置時，PN 結的內(nèi)電場增強。PN 具有具有單向導電特性。
7、硅二極管導通后，其管壓降是恒定的，且不隨電流而改變，典型值為 0.7 伏；其門坎電壓 Vth 約為 0.5 伏。
8、二極管正向偏置時，其正向導通電流由多數(shù)載流子的擴散運動形成。
9、P 型半導體的多子為空穴、N 型半導體的多子為自由電子、本征半導體的載 流子為電子—空穴對。
10、因摻入雜質(zhì)性質(zhì)不同，雜質(zhì)半導體可為空穴（P）半導體和電子（N）半導 體兩大類。
11、二極管的最主要特性是單向導電性，它的兩個主要參數(shù)是反映正向特性 的 最大整流電流和反映反向特性的反向擊穿電壓。
12、在常溫下，硅二極管的開啟電壓約為 0.5 V，導通后在較大電流下的正向 壓降約為 0.7V。
13、頻率響應是指在輸入正弦信號的情況下，輸出隨頻率連續(xù)變化的穩(wěn)態(tài)響應。
15、N 型半導體中的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴。
16、按一個周期內(nèi)一只三極管的導通角區(qū)分，功率放大電路可分為甲類、乙 類、 甲乙類三種基本類型。
17、在阻容耦合多級放大電路中，影響低頻信號放大的是耦合和旁路電容，影
響高頻信號放大的是結電容。
18、在 NPN 三極管組成的基本共射放大電路中，如果電路的其它參數(shù)不變，三 極管的 β 增加，則 IBQ 增大，ICQ 增大，UCEQ 減小。
19、三極管的三個工作區(qū)域是截止，飽和，放大。集成運算放大器是一種采用直接耦合方式的放大電路。
20、某放大電路中的三極管，在工作狀態(tài)中測得它的管腳電壓 Va = 1.2V， Vb
= 0.5V, Vc = 3.6V, 試問該三極管是硅管管（材料），NPN 型的三極管，該管 的集電極是 a、b、c 中的 C。
21、已知某兩級放大電路中第一、第二級的對數(shù)增益分別為 60dB 和20dB, 則 該放大電路總的對數(shù)增益為 80dB，總的電壓放大倍數(shù)為 10000。
22、 三極管實現(xiàn)放大作用的外部條件是：發(fā)射結正偏、集電結反偏。某放大電路中的三極管，測得管腳電壓 Va =-1V，Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 這是硅管
（硅、鍺），NPN 型，集電極管腳是 a。
23、三種不同耦合方式的放大電路分別為：阻容（RC）耦合、直接耦合和變壓 器耦合，其中直接耦合能夠放大緩慢變化的信號。
24、在多級放大電路中，后級的輸入電阻是前級的負載，而前級的輸出電阻可視為后級的信號源的內(nèi)阻。多級放大電路總的通頻帶比其中每一級的通頻帶要 窄。
25、某放大電路在負載開路時的輸出電壓為 4V，接入 12kΩ 的負載電阻后，輸 出電壓降為 3V，這說明放大電路的輸出電阻為 4kΩ 。
26、為了保證三極管工作在放大區(qū)，要求：①發(fā)射結正向偏置，集電結反向偏置。②對于ＮＰＮ型三極管，應使 VBC＜0。
27、放大器級間耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和變壓器耦合三大 類。
28、在三極管組成的三種不同組態(tài)的放大電路中，共射和共基組態(tài)有電壓放大
作用，共射組態(tài)有電流放大作用，共射和共集組態(tài)有倒相作用；共集組態(tài)帶負載能力強，共集組態(tài)向信號源索取的電流小，共基組態(tài)的頻率響應好。
29、三極管放大電路的三種基本組態(tài)是共集、共基、共射。
30、多級放大器各級之間的耦合連接方式一般情況下有直接耦合，阻容耦合， 變壓器耦合。
