寫在前面：本篇提到的思路或是方法，作為集顯主板硬件優(yōu)化的技術(shù)，原則上適用于所有集顯主板，筆者將力圖討論技術(shù)本身而不是硬件本身；但由于任何硬件技術(shù)都存有相應的硬件載體，因而出現(xiàn)帶有主板生產(chǎn)商自身特征的信息是不可避免的，對此大家僅作參考，而在行文的過程中筆者也將盡量回避。
基于用戶認可度和產(chǎn)品行情這兩個方面，筆者將討論重點設(shè)定為AMD 790GX芯片組，對于這款號稱“史上最強規(guī)格”的集顯芯片組，各大傳媒上的介紹可謂是汗牛充棟------筆者就此略過，只提關(guān)鍵性的一點：相較于其前代780G芯片組，790GX芯片組普遍采用了板載顯存的做法，由于板載顯存的引入，由此導致了超頻后花屏的現(xiàn)象，提升性能的同時解決花屏現(xiàn)象，顯然這也是優(yōu)化集顯的主旨所在，故在本篇就其方法也有所得及。
為了讀者們能夠有一個較清楚的認識，先進行理論探討，深化認識之后，再進行技術(shù)操作。
從理論上來看，集成顯示核心與一般的顯卡的工作原理是一樣的。為三部分：數(shù)據(jù)處理（GPU）、數(shù)據(jù)存儲（顯存）與數(shù)據(jù)傳遞（總線），差別就在于各部分所依托的硬件載體不同；如圖1所示，對K8/K10架構(gòu)而言，板載GPU與CPU之前通過HT總線互連，GPU通過訪問集成在CPU內(nèi)部的內(nèi)存控制器，讀取被共享為顯存的內(nèi)存中的數(shù)據(jù)。如此，按提升獨顯性能的常規(guī)思路，只需提升GPU的數(shù)據(jù)處理能力，并同時提升數(shù)據(jù)傳輸?shù)膸?，即可獲得性能上的提升；同理，用同樣的思路，也可以提升集顯的性能。
從硬件上來看，集顯工作部分實體為：計算部分，即板載的顯示核心GPU；數(shù)據(jù)傳輸部分，對于K8/K10平臺而言是HT總線，Intel平臺為FSB前端總線；數(shù)據(jù)存儲部分，為共享為顯存的內(nèi)存。這樣，由前面的講解，將自然地推導出這樣的規(guī)律：只需提升顯示核心和內(nèi)存的頻率就可以實現(xiàn)集顯性能的提升。---這無疑是正確的，但卻不是全部----實際操作發(fā)現(xiàn)，簡單的套用所帶來的性能提升十分有限。
原因何在？答案是HT總線。，出于習慣地將集成顯示等效為獨立顯卡，卻忽視了另一至關(guān)重要的因素，那就是數(shù)據(jù)傳輸。我們知道，AMD自754平臺開始，拋棄了前端總線架構(gòu)，轉(zhuǎn)而使用HT總線作為CPU與其他芯片進行數(shù)據(jù)交換的載體，由于工藝的原因，早期的K8系列主板并不能承受過高的HT總線，這導致絕大數(shù)的用戶都習慣性將HT總線倍頻降低，以提高CPU的外頻表現(xiàn)。由于忽視了集顯數(shù)據(jù)傳輸也同樣依托于HT總線，從而導致雖然GPU的數(shù)據(jù)處理能力提升，內(nèi)存可提供的數(shù)據(jù)帶寬攀升，但兩者之間的數(shù)據(jù)交換通道地是十分狹隘-----這顯然好比水庫要泄洪，雖然河道十分寬闊，但是閘門的開口太小，泄洪無法高效進行。
筆者于2007年使用A690G芯片組偶然之間的發(fā)現(xiàn)存在這樣的規(guī)律，并在之后的一段時間沉迷于對于這一發(fā)現(xiàn)的證明與拓廣之中。相對于人們常識性地提升核心與內(nèi)存頻率的方法而言，這個發(fā)現(xiàn)確實是更具備本質(zhì)性，因為它不僅是為理論解釋提供了素材，也為集顯優(yōu)化技術(shù)提供了指導。
經(jīng)過漫長的測試，根據(jù)集顯三個組成部分的對應因素，將影響集顯性能的因素按影響因子由大到小排列為：集成顯示核心頻率＞HT總線頻率＞內(nèi)存頻率與內(nèi)存參數(shù)＞CPU主頻。需要指出的是，對于不同的平臺，各個因素的影響因子并不一致，但是其順序的非列卻是基本一致的。與此同時，在這需要更正一個人們長期以來的成見，即認為CPU主頻幾乎不影禹集顯的性能，---對于INTEL平臺這也許是成立，但對于AMD平臺而言，由于CPU頻率攀升帶來內(nèi)存訪問延遲的降低以及內(nèi)存帶寬的提升----這在某種程度等效于提高內(nèi)存頻率和優(yōu)化時序---同樣也能帶著集顯性能的提升。
790GX集顯的優(yōu)化操作立足于兩點：第一，由于790GX對帶寬的要求較高，顯示帶寬的提升帶來的性能提升是十分巨大的，這就意味著人，搭載K10（HT3.0）處理器的790GX平臺，相對于搭載K8處理器（HT總線為2.0）的平臺，將獲得更高的性能表現(xiàn)；第二，790GX板載顯存所帶來的影響是兩面的，雖然可以帶來性能的攀升，但同時也引入超外頻時花屏的現(xiàn)象（關(guān)閉板載顯存雖然可以根除花屏現(xiàn)象，但卻不是理想的優(yōu)化集顯的方法）。
因此，優(yōu)化的重點就必然緊在這兩個方面：提升帶寬和解決花屏現(xiàn)象，其中首要解決的就是顯卡花屏現(xiàn)象，因為超外頻時花屏現(xiàn)象不解決，外頻無法提升，HT總線頻率和內(nèi)存頻率都無法得到提升。在得出結(jié)論之前，筆者就手頭上的一塊790GX主板進行實現(xiàn)一個試驗。作一點補充，該主板板載容量128M，默認頻率為1066的三星顆粒顯存。
| 顯存分頻/ Mhz | 533 | 400 | 350 | 333 |
| 最高外頻/Mhz | 210 | 260 | 298 | 310 |
得到計算最高外頻的線性公式：
最高外頻=板載顯存極限頻率÷(BIOS內(nèi)顯存分頻/cpu的默認外頻)×2。
其中，BIOS內(nèi)顯存分頻一般為400Mhz、533Mhz、667Mhz這幾個選項;K8/K10 CPU的默認外頻為200Mhz;板載顯存的最高頻率可以按照板載顯存默認頻率稍微放大（廠商出于穩(wěn)定性的需要，會保留一定的余量）。當然也可以根據(jù)如下方法得顯存極限頻率:
1. 在BIOS將顯存頻率設(shè)為一定值，比如說我們可以設(shè)成400Mhz（等效于800Mhz）。
2. 以10Mhz為步進逐級提升外頻，至花屏為止，然后此基礎(chǔ)上將外頻降低10Mhz，使用二分法求得在此設(shè)定下最高外頻。例如我們假定主板在270外頻下花屏，取260與270之平均值265Mhz，觀察是否花屏；如不，則取265與270之均值，如花屏，則取265與250的平均值。如此循環(huán)，直到外頻不變。
3. 記錄下此時的外頻值，按照前面所提的反推。假定主板在265外頻不花屏，則此顯存的最高頻率為：265×（400÷200）×2=1060Mhz.
如此，則可以根據(jù)此顯存頻率求得不同顯存頻率設(shè)定下的最高外頻。
不難發(fā)現(xiàn)，板載顯存體質(zhì)越好，在相同的設(shè)定下極限外頻就越高，這也就是為何板載DDR3的主板具備更好的外頻表現(xiàn)的原因所在；那么對于板載DDR2顯存的主板的用戶，就沒有什么別的方法可以提升外頻了么？結(jié)論是NO!具體方法有二：
1. 通過要求廠商在BIOS內(nèi)增加顯存頻率333Mhz甚至更低的選項,按照公式，BIOS內(nèi)顯存頻率設(shè)定值越低，開啟板載的極限外頻就越高；
2. 軟改顯存頻率，最新的AMD OverDrive2.0.14軟件提供了顯示核心和顯示頻率的調(diào)節(jié)功能。使時需要注意的是，一定在在BIOS內(nèi)將顯示核心頻率設(shè)定置為默認。
有了前面的前面的準備工作，這樣我們就可以根據(jù)需要選定自己需要的外頻值，尋求最優(yōu)的設(shè)定參數(shù)。
外頻設(shè)定：對于影響集顯性能五大項目，其中集卡核心頻率和內(nèi)存的參數(shù)是獨立的，調(diào)其中任意一個項目不會影響其他項目，而另外三項卻是相互關(guān)聯(lián)，三者的組合起來將產(chǎn)生多種設(shè)定；對于優(yōu)化者而言，自然是希望各個參數(shù)均是極優(yōu)的，以達到理想的性能，然而在實際中并非所有的最優(yōu)參數(shù)所由一種設(shè)定實現(xiàn)-----這樣，就需求尋找各個互相制衡中的參數(shù)的平衡點。
舉例而言，對一顆極限在3.4G的K8 CPU，我們該如何選擇外頻和倍頻的配置，既能發(fā)揮出內(nèi)存的性能，又能讓HT總線足夠高。這需要相當?shù)募记?，并且需要根?jù)具體情況進行具體的分析。假定內(nèi)存足夠好，6分頻比是最理想的，此時內(nèi)存頻率為3400÷6=566，等效為1132Mhz，當然前提是內(nèi)存能夠在該頻率下穩(wěn)定；接下來就需要選持合適的外頻，是選擇261*13，還是340*10，或是400*8.5，以提升HT總線頻率為標準：HT總線為5X，如果主板能夠承受2000Mhz的HT總線頻率（實際上790GX主板具備此種能力），顯然是外頻越高越好；于是就得到這樣的一組參數(shù)：外頻400、倍頻8.5、內(nèi)存分頻（不是分頻比）為DDR667、HT總線倍頻為5X（或1000Mhz）---一個初步的優(yōu)化方案形成。
因此可以總結(jié)出如下思想方法：首先，熟知CPU、內(nèi)存和主板的三者體質(zhì)，這是優(yōu)化的前提；第二，HT總線倍頻保持為5X，根據(jù)CPU頻率選持合理的外頻和倍頻，理論上是倍頻越低越好，以得到高外頻；第三，根據(jù)倍頻和內(nèi)存體質(zhì)選擇合理的分頻比，繼而設(shè)定相應的分頻。
內(nèi)存優(yōu)化：由于各廠商推出的BIOS中內(nèi)存參數(shù)選項不盡相同，所以難以統(tǒng)一論述，只以memset為例，對部分重要的參數(shù)進行講解，得出這些參數(shù)的影響規(guī)律花費的時間無疑是最多的。
對于tCL、tRTC、tRP、tRAS、tRC幾個參數(shù)，大家是十分熟悉的,這即是大家熟悉的“大參”，不待我說，在不影響穩(wěn)定的前提下，盡量將延遲優(yōu)化至最低。對比測試發(fā)現(xiàn)，tCL的影響因子是最大的，因而保證穩(wěn)定性的前提下，首先考慮優(yōu)化該參數(shù)。
而對于一些小參，大家想必是十分陌生的，現(xiàn)將最重要的幾個小參羅列出來：
Refresh Mode Select（tRC）： 該參數(shù)對帶寬的影響十分嚴重；將其設(shè)為15.6us（內(nèi)存默認為7.8us），將帶來3D性能十分顯著地提升。
Write to write delay(tWRWR)：其對性能影響的程度不亞于tRC，黙認為2，將其設(shè)為1可帶來集顯性能的顯著提升。
Read/Write Queue Bypass：該參數(shù)對于帶寬有一定的影響；默認為8X，值設(shè)為16X性能較優(yōu)。
Queue ByPass Max：對帶寬有一定影響；默認為7，值越大越好，推薦設(shè)為10以上。
Max Asynchrone lantency：默認隨主板不同而不同；越小越好，一般不能低于6ns，7ns是筆者主板的合適值。
Idle Cycle limit：根據(jù)主板不同而不同，默認為16，實際上可以設(shè)為64或更大，對性能有輕微的影響。
至于其他參數(shù)，對性能的影響并不是十分明顯。按照值越小，性能越好的思路優(yōu)化即可。
板載顯存優(yōu)化：對顯存的工作模式以及相應參數(shù)的設(shè)定，將極大提示集顯性能。
優(yōu)化思路如下：
1. 必須開啟板載顯存。經(jīng)多次測試對比發(fā)現(xiàn)，對于K8平臺而言，開啟板載顯存將帶來14%左右的性能提升；
2. UMA-SP Interleave Mode（板載顯存-共享內(nèi)存交互模式）設(shè)定為Inter leave ratio（顯存與共享顯存之比）為1：3，Inter leave size（顯存容量）為128M，該參數(shù)性能最佳。
3. 對比測試發(fā)現(xiàn)，在系統(tǒng)內(nèi)存為2G的條件下，共享內(nèi)存設(shè)為512M性能最優(yōu)。
附：以上每個參數(shù)的對照測試均進行三遍以上，其真實性應是毋庸置疑的。
通過筆者的反復調(diào)試，最終在373外頻，9倍頻，HT總線頻率1865Mhz，內(nèi)存頻率1120Mhz，顯示核心為1090Mhz下，將3D Mark06成績提升至2684分；而一顆搭配5000+，2G雙通道DDR800內(nèi)存的790GX主板的默認成績約為1400分左右，性能幅度提升喜人。
