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英特爾:芯片領(lǐng)域?qū)l(fā)生重大技術(shù)變革


未來幾年內(nèi),如果電腦芯片想要再進(jìn)一步發(fā)展,需要進(jìn)行重大技術(shù)變革。
世界上最大的芯片制造商英特爾正準(zhǔn)備針對(duì)已經(jīng)持續(xù)計(jì)算超過50年的技術(shù)進(jìn)行變革。領(lǐng)導(dǎo)公司技術(shù)和制造團(tuán)隊(duì)的威廉·霍爾特(William Holt)近日表示,為使得芯片精益求精,英特爾將很快開始使用全新技術(shù)。
霍爾特表示,即使在四、五年內(nèi)就很可能會(huì)投入使用,但英特爾目前還不知道將采取何種新型芯片技術(shù)。他指出兩種候選方案:名為隧穿晶體管(Tunneling Transistors)的設(shè)備和名為自旋電子(Spintronics)的技術(shù)。都需要在芯片設(shè)計(jì)和制造方面作出重大改變,并且可能使用硅晶體管。
然而,霍爾特引用的新型技術(shù)針對(duì)硅晶體管不具備速度優(yōu)勢(shì),這表明芯片可能停止科技行業(yè)慣有的速度增長。然而,新技術(shù)將提高芯片的能源效率,這對(duì)當(dāng)前許多尖端計(jì)算應(yīng)用至關(guān)重要,比如云計(jì)算,移動(dòng)設(shè)備和機(jī)器人。
“我們將會(huì)看到重大轉(zhuǎn)變,”霍爾特在舊釒山國際固態(tài)電路會(huì)議上說?!靶录夹g(shù)將完全不同?!?/font>
芯片行業(yè)數(shù)十年來始終服從由英特爾創(chuàng)始人之一戈登·摩爾(Gordon Moore)在1965年制定的摩爾定律,已成為計(jì)算機(jī)功能持續(xù)、快速進(jìn)步的標(biāo)志。摩爾建議公司每兩年將芯片給定面積上的晶體管數(shù)量加倍,制造性能更好的芯片,且成本可控。英特爾和其他公司按部就班地生產(chǎn)出具有更多、更小和更便宜的硅晶體管的處理器。同時(shí),晶體管變得更加節(jié)能。在這樣的趨勢(shì)下,開發(fā)出超級(jí)計(jì)算機(jī)、筆記本電腦、智能手機(jī)和自動(dòng)駕駛汽車。
霍爾特說,他們將在四或五年內(nèi)繼續(xù)更新兩代,屆時(shí)硅晶體管的尺寸將僅為7納米。
霍爾特提到的可能填補(bǔ)這一空白的兩種技術(shù)之一的隧穿晶體管,似乎遠(yuǎn)離商業(yè)化,盡管美國國防部先進(jìn)研究項(xiàng)目局(DARPA)和行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體研究公司資助設(shè)備研究。他們利用損害傳統(tǒng)晶體管性能的電子量子力學(xué)特性,但在晶體管尺寸越來越小的情況下,這已成為問題。
自旋電子元件更接近商業(yè)生產(chǎn),甚至可能在明年投入市場(chǎng)。自旋電子也被稱為磁電子,它利用電子的自旋和磁矩,使固體器件中除電荷輸運(yùn)外,還加入電子的自旋和磁矩。研究自旋電子的加利福尼亞大學(xué)洛杉磯分校電氣工程師Kang Wang說,霍爾特的言論符合自己的預(yù)期,明年自旋電子將出現(xiàn)在部分低功耗內(nèi)存芯片或高性能顯卡中。
例如,東芝公司去年宣布開發(fā)出實(shí)驗(yàn)性的自旋電子存儲(chǔ)器陣列,相比高速內(nèi)存SRAM 節(jié)省80%的電力。
然而,隧穿晶體管和自旋電子都有缺點(diǎn),事實(shí)上它們需要英特爾制造流程的整體再造工程。減少硅晶體管維持摩爾定律使得一代又一代的芯片更強(qiáng)大和更節(jié)能,但這兩種新型技術(shù)不具備硅晶體管的數(shù)據(jù)處理速度?!拔覀兛梢赃M(jìn)行的最佳純技術(shù)改進(jìn)將降低功耗同時(shí)降低速度,”霍爾特說。
這表明,正如我們所知,摩爾定律可能成為歷史。但霍爾特說,針對(duì)當(dāng)前計(jì)算機(jī),更重要的是持續(xù)提高能源效率,而非原始計(jì)算能力。
“尤其針對(duì)物聯(lián)網(wǎng),重點(diǎn)將從速度提升轉(zhuǎn)移至顯著減少能耗,”霍爾特說。針對(duì)計(jì)算范圍,功耗是個(gè)問題。谷歌、亞馬遜、臉書等公司運(yùn)營的數(shù)據(jù)中心的碳足跡正在以驚人的速度增長。同時(shí),從烤面包機(jī)到汽車,將更多家用、商務(wù)、行業(yè)設(shè)備連接至互聯(lián)網(wǎng)所需要的芯片,也需要盡可能地減少能耗。
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