SDRAM小結
1，SDRAM的地址線，
在我們一般用的什么SRAM啊，PSRAM啊，RAM啊，一般而言都是有多少根地址線，然后可以算出尋址空間，比如有11根地址線，那尋址空間就是2的11次方減1。但是SDRAM是分列地址和行地址的，行、列地址線是復用的，所以有時候我們看到說尋址空間有多大多大，但是看看地址線怎么就那么幾根啊，呵呵。SDRAM一般還有2根BANK的線，分成4個BANK，在有的處理器的SDRAM控制模塊中，這兩根線可能映射到地址線的某兩根去。一般芯片常按照以下方式寫芯片的配置，比如4Meg x 4 x 16，那這個芯片就是256Mbits。其中16指數(shù)據(jù)線是16根，中間一個4是只分4個BANK， 每個BANK是4Meg。
2，SDRAM的初始化
SDRAM上電后使用前必須要經(jīng)過一段初始化操作才可以使用。這個操作過程是標準的過程。這個過程如下
A: precharge
B: auto-refresh
C: Load Mode Register
D: Normal Read/Write
在上電后輸入初始化命令值錢，最少要100us延遲（這個其實很容易滿足，呵呵）。
在輸入precharge命令后，因為必須是對所有BANK進行Precharge，所以A10這個管腳要設置成高，因此在Precharge后面要做一個讀的操作，這個操作最主要的是在SDRAM的尋址空間里設置的地址必須是A10是高的。
在輸入Auto-refresh命令后，一般要跟幾句空操作或者讀什么之類的，反正要達到延遲的目的，以使得SDRAM有時間來完成refresh。
之后就是要設置SDRAM的模式寄存器，這個寄存器里一般設置了burst長度，CAS，burst類型，操作模式，還有是設置SDRAM是工作在單個讀寫操作還是burst操作下。而這個寄存器的設置也是通過地址線來設置的，所以在發(fā)出Load Mode Register命令后要做一個操作可是使得在SDRAM的地址線上出線的值就是你要設置的值。這里很有必要提醒的一下的是，這個操作是8位的操作，切記切記。
設置完模式寄存器后就進入正常操作模式。
實際上具體的操作要跟選用的處理器的SDRAM控制模塊相結合來設置。對于這些初始化命令比較直觀的理解就是拿邏輯分析儀來分析。
在這里需要提醒一下CAS這個參數(shù)很重要。還有SDRAM必須要刷新的，因此刷新頻率可以按照手冊算出來的，但是設置的高一點也是可以的。常常SDRAM都有工作頻率，但是也可以工作在低一點的頻率上，比如PC133的，你工作到100也是可以的，設置基本不需要修改。
3，其他
我們有時候看到有的原理圖上數(shù)據(jù)線有倒過來接的，其實這個無所謂的，反過接，寫進去的就是反的，但是讀出又反了一下，反反兩次正好沒反。
延伸一下到DDR，其實DDR就是SDRAM外面加了一個烏龜殼。因此初始化是一樣的。當然DDR一是多了一個把時鐘頻率反相的時鐘，因此有2個相位差180度的時鐘。這兩個一般都是用同一個時鐘源產(chǎn)生，一致性會比較好。還有多了2個DQS，這個也是一個時序要求，一般CPU的控制模塊都有設置好了。如果你使用的CPU不含有控制模塊，那用FPGA去做一個控制模塊的話，那就要好好研究時序了。
在有些處理器的控制模塊中，由于EMI的設置，地址線映射關系復雜，因此推算會比較麻煩，一般如果沒有什么映射的話，還是很容易操作的
4.內(nèi)存芯片的邏輯BANK
在芯片的內(nèi)部，內(nèi)存的數(shù)據(jù)是以位（bit）為單位寫入一張大的矩陣中，每個單元我們稱為CELL，只要指定一個行（Row），再指定一個列（Column），就可以準確地定位到某個CELL，這就是內(nèi)存芯片尋址的基本原理。這個陣列我們就稱為內(nèi)存芯片的BANK，也稱之為邏輯BANK（LogicalBANK）。由于工藝上的原因，這個陣列不可能做得太大，所以一般內(nèi)存芯片中都是將內(nèi)存容量分成幾個陣列來制造，也就是說存在內(nèi)存芯片中存在多個邏輯BANK，隨著芯片容量的不斷增加，邏輯BANK數(shù)量也在不斷增加，目前從32MB到1GB的芯片基本都是4個，只有早期的16Mbit和32Mbit的芯片采用的還是2個邏輯BANK的設計，譬如三星的兩種16MB芯片：K4S161622D （512K x 16Bit x 2BANK）和K4S160822DT（1M x 8Bit x 2BANK）。芯片組本身設計時在一個時鐘周期內(nèi)只允許對一個邏輯BANK進行操作（實際上芯片的位寬就是邏輯BANK的位寬），而不是芯片組對內(nèi)存芯片內(nèi)所有邏輯BANK同時操作。邏輯BANK的地址線是通用的，只要再有一個邏輯BANK編號加以區(qū)別就可以了（BANK0到BANK3）。但是這個芯片的位寬決定了一次能從它那里讀出多少數(shù)據(jù)，并不是內(nèi)存芯片里所有單元的數(shù)據(jù)一次全部能夠讀出
每個邏輯BANK有8M個單元格（CELL），一些廠商（比如現(xiàn)代/三星）就把每個邏輯BANK的單元格數(shù)稱為數(shù)據(jù)深度（DataDepth），每個單元由8bit組成，那么一個邏輯BANK的總?cè)萘烤褪?4Mbit（8M×8bit），4個邏輯BANK就是256Mbit，因此這顆芯片的總?cè)萘烤褪?56Mbit（32MB）。
內(nèi)存芯片的容量是一般以bit為單位的。比如說32Mbit的芯片，就是說它的容量是32Mb（b=bit=位），注意位（bit）與字節(jié)（Byte）區(qū)別,這個芯片換算成字節(jié)就是4MB（B=Byte=字節(jié)=8個bit）,一般內(nèi)存芯片廠家在芯片上是標明容量的，我們可以芯片上的標識知道，這個芯片有幾個邏輯BANK，每個邏輯bank的位寬是多少，每個邏輯BANK內(nèi)有多少單元格（CELL），比如64MB和128MB內(nèi)存條常用的64Mbit的芯片就有如下三種結構形式：
?、?6 Meg x 4 (4 Meg x4 x 4 banks) [16M╳4]
?、? Meg x 8 (2 Meg x 8 x 4 banks) [8M╳8]
③4 Meg x 16 (1 Meg x 16 x 4 banks) [4M╳16]
表示方法是：每個邏輯BANK的單元格數(shù)×邏輯BANK數(shù)量×每個單元格的位數(shù)（芯片的位寬）。芯片邏輯BANK位寬目前的工藝水平只能最多做到16位，因此大家看到幾乎所有的芯片邏輯BANK位寬只可能4/8/16三者之一。以前16Mbit的芯片基本采用的單個芯片兩個邏輯BANK，但是到了64Mbit基本就都是4個邏輯BANK設計了
