通常大家所說的DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等，其實并非是內(nèi)存的真正頻率，而是業(yè)界約定俗成的等效頻率，這些DDR1/2/3內(nèi)存相當(dāng)于老牌SDR內(nèi)存運行在400MHz、800MHz、1600MHz時的帶寬，因此頻率看上去很夸張，其實真正的內(nèi)核頻率都只有200MHz而已！

    內(nèi)存有三種不同的頻率指標，它們分別是核心頻率、時鐘頻率和有效數(shù)據(jù)傳輸頻率。核心頻率即為內(nèi)存Cell陣列(Memory Cell Array，即內(nèi)部電容)的刷新頻率，它是內(nèi)存的真實運行頻率；時鐘頻率即I/O Buffer（輸入/輸出緩沖）的傳輸頻率；而有效數(shù)據(jù)傳輸頻率就是指數(shù)據(jù)傳送的頻率（即等效頻率）。

● SDR和DDR1/2/3全系列頻率對照表：

常見DDR內(nèi)存頻率對照表

    通過上表就能非常直觀的看出，近年來內(nèi)存的頻率雖然在成倍增長，可實際上真正存儲單元的頻率一直在133MHz-200MHz之間徘徊，這是因為電容的刷新頻率受制于制造工藝而很難取得突破。而每一代DDR的推出，都能夠以較低的存儲單元頻率，實現(xiàn)更大的帶寬，并且為將來頻率和帶寬的提升留下了一定的空間。

● SDR和DDR1/2/3存儲原理示意圖：

    雖然存儲單元的頻率一直都沒變，但內(nèi)存顆粒的I/O頻率卻一直在增長，再加上DDR是雙倍數(shù)據(jù)傳輸，因此內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸率可以達到核心頻率的8倍之多！通過下面的示意圖就能略知一二：

    那么，內(nèi)存IO頻率為什么能達到數(shù)倍于核心頻率呢？

相信很多人都知道，DDR1/2/3內(nèi)存最關(guān)鍵的技術(shù)就是分別采用了2/4/8bit數(shù)據(jù)預(yù)取技術(shù)（Prefetch），由此得以將帶寬翻倍，與此同時I/O控制器也必須做相應(yīng)的改進。

● DDR1/2/3數(shù)據(jù)預(yù)取技術(shù)原理：

    預(yù)取，顧名思義就是預(yù)先/提前存取數(shù)據(jù)，也就是說在I/O控制器發(fā)出請求之前，存儲單元已經(jīng)事先準備好了2/4/8bit數(shù)據(jù)。簡單來說這就是把并行傳輸?shù)臄?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為串行數(shù)據(jù)流，我們可以把它認為是存儲單元內(nèi)部的Raid/多通道技術(shù)，可以說是以電容矩陣為單位的。

內(nèi)存數(shù)據(jù)預(yù)取技術(shù)示意圖：并行轉(zhuǎn)串行

    這種存儲陣列內(nèi)部的實際位寬較大，但是數(shù)據(jù)輸出位寬卻比較小的設(shè)計，就是所謂的數(shù)據(jù)預(yù)取技術(shù)，它可以讓內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸頻率倍增。試想如果我們把一條細水管安裝在粗水管之上，那么水流的噴射速度就會翻幾倍。

    明白了數(shù)據(jù)預(yù)取技術(shù)的原理之后，再來看看DDR1/2/3內(nèi)存的定義，以及三種頻率之間的關(guān)系，就豁然開朗了：

● SDRAM（Synchronous DRAM）：同步動態(tài)隨機存儲器

    之所以被稱為“同步”，因為SDR內(nèi)存的存儲單元頻率、I/O頻率及數(shù)據(jù)傳輸率都是相同的，比如經(jīng)典的PC133，三種頻率都是133MHz。

    SDR在一個時鐘周期內(nèi)只能讀/寫一次，只在時鐘上升期讀/寫數(shù)據(jù)，當(dāng)同時需要讀取和寫入時，就得等待其中一個動作完成之后才能繼續(xù)進行下一個動作。

● DDR（Double Date Rate SDRAM）：雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器

    雙倍是指在一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù)，在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)(通過差分時鐘技術(shù)實現(xiàn))，在存儲陣列頻率不變的情況下，數(shù)據(jù)傳輸率達到了SDR的兩倍，此時就需要I/O從存儲陣列中預(yù)取2bit數(shù)據(jù)，因此I/O的工作頻率是存儲陣列頻率的兩倍。

    DQ頻率和I/O頻率是相同的，因為DQ在時鐘上升和下降研能傳輸兩次數(shù)據(jù)，也是兩倍于存儲陣列的頻率。

● DDR2（DDR 2 SDRAM）：第二代雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器

    DDR2在DDR1的基礎(chǔ)上，數(shù)據(jù)預(yù)取位數(shù)從2bit擴充至4bit，此時上下行同時傳輸數(shù)據(jù)（雙倍）已經(jīng)滿足不了4bit預(yù)取的要求，因此I/O控制器頻率必須加倍。

    至此，在存儲單元頻率保持133-200MHz不變的情況下，DDR2的實際頻率達到了266-400MHz，而（等效）數(shù)據(jù)傳輸率達到了533-800MHz。

● DDR3（DDR 3 SDRAM）：第三代雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器

    DDR3就更容易理解了，數(shù)據(jù)預(yù)取位數(shù)再次翻倍到8bit，同理I/O控制器頻率也加倍。此時，在存儲單元頻率保持133-200MHz不變的情況下，DDR3的實際頻率達到了533-800MHz，而（等效）數(shù)據(jù)傳輸率高達1066-1600MHz。

    綜上可以看出，DDR1/2/3的發(fā)展是圍繞著數(shù)據(jù)預(yù)取而進行的，同時也給I/O控制器造成了不小的壓力，雖然存儲單元的工作頻率保持不變，但I/O頻率以級數(shù)增長，我們可以看到DDR3的I/O頻率已逼近1GHz大關(guān)，此時I/O頻率成為了新的瓶頸，如果繼續(xù)推出DDR4（注意不是GDDR4，兩者完全不是同一概念，后文會有詳細解釋）的話，將會受到很多未知因素的制約，必須等待更先進的工藝或者新解決方案的出現(xiàn)才有可能延續(xù)DDR的生命。