IGBT的等效電路如圖3-4所示。由圖3-4可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成為低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。由此可知，IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定：(1

    IGBT的等效電路如圖3-4所示。由圖3-4可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成為低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。由此可知，IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定：

   (1) IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓。

   (2) IGBT集電極與發(fā)射極之間的電壓。

   (3) 流過IGBT集電極一發(fā)射極的電流。

   (4) IGBT的結(jié)溫。

    圖3-4    IGBT的等效電路

    如果IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓，即驅(qū)動(dòng)電壓過低，則IGBT不能穩(wěn)定正常地工作，如果過高，超過柵極一發(fā)射極之間的耐壓則IGBT可能永久性損壞。同樣，如果加在IGBT集電極與發(fā)射極允許的電壓超過集電極一發(fā)射極之間的耐壓，流過IGBT集電極一發(fā)射極的電流超過集電極一發(fā)射極允許的最大電流，IGBT的結(jié)溫超過其結(jié)溫的允許值，IGBT都可能會(huì)永久性損壞。

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