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5 b7 u3 B( A* d4 L/ a0 B本設(shè)置講解，以785GTM-E65為藍(lán)本，其他AMD主板也可參考。( x# S* C2 }) I7 P
不同型號AMD主板只是BIOS設(shè)置項(xiàng)目有多有少，只要是有的項(xiàng)目，設(shè)置方式和內(nèi)容基本相同。
4 "' A+ O+ Z$ i: N3 B一、BIOS主菜單, P4 ]( y5 _/ "8 {0 k' q
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1、Standard CMOS Features 標(biāo)準(zhǔn)CMOS屬性$ i3 Q2 c& } v1 q$ F- Y: n8 I
2、Advanced BIOS Features 高級BIOS 屬性- G% p7 |) N; T v8 u& Y
3、Integrated Peripherals 整合周邊設(shè)備
# c; v, M9 I "0 C8 D9 N4、Power Management 電源管理
$ x8 l; M0 o3 P. W# "5、H/W Monitor 硬件監(jiān)測6 ~0 b$ T8 y; Z! U
6、Green Power 綠色節(jié)能
: y# q" x# u8 T) v7、BIOS Setting Password 開機(jī)密碼設(shè)置1 c B3 s0 H2 @; e% `
8、Cell Menu 核心菜單
3 o9 Y* ]% F: z. x4 v9 F( A# [2 r9、M-Flash U盤刷新BIOS
* T7 ]% q5 t- D4 ~" ?" d/ _10、User Settings 用戶設(shè)置項(xiàng)$ o; q- ~1 W) j1 B- L* U. b
11、Load Fail-Safe Defaults 加載安全缺省值. }3 u6 r% |3 o* L1 A: I
12、Load Optimized Defaults 加載優(yōu)化值
5 W" A0 T2 o/ L u8 ?$ j" q' L2 X' E13、Save & Exit Setup 保存設(shè)置并退出
; K: i+ k$ l1 z; w14、Exit Without Saving 退出而不保存
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- }+ u. ?, } ?5 h
1 {9 t6 s7 W- a, q$ ^, i! W二、Cell Menu 核心菜單設(shè)置2 B0 n% Q- L N$ G
w q* ?' L. R& h
: "# q( _3 l+ |' l
) K! F* M- l4 V2 T- t- ^1、CPU相關(guān)設(shè)置2 L; B% Q: H8 `8 I6 h
CPU相關(guān)設(shè)置有9項(xiàng)
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1-1、CPU Specifications：這是查看CPU的規(guī)格和參數(shù)，也可以隨時按F4查看。2 M1 P' A |! x# i' z
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1-2、AND Cool `n` Quiet：AMD CPU的節(jié)能技術(shù)，也叫“涼又靜”。依據(jù)CPU負(fù)載改變CPU的倍頻和電壓。當(dāng)CPU空閑時，核心電壓降到最低，倍頻也降到最低。如果主板有微星的APS功能，請開啟這個選項(xiàng)。該選項(xiàng)的設(shè)置是Enabled和Disabled。
) N h, c! R0 a. d- x" s' I1-3、Adjust CPU FSB Frequency （MHz）：調(diào)整CPU的前端總線頻率。默認(rèn)的頻率是CPU的標(biāo)準(zhǔn)FSB頻率，用戶可以自己調(diào)整，就是超頻。在這里直接鍵入頻率數(shù)值，比如220。
+ q5 ]2 I7 ~' V+ Y3 i1 a1-4、Adjust CPU Ratio：調(diào)整CPU的倍頻。AMD的CPU一般是鎖定最高倍頻的，只能降低倍頻。有個別不鎖倍頻的CPU才可以調(diào)整到更高的倍頻。該項(xiàng)的默認(rèn)設(shè)置是Auto。敲回車，彈出倍頻列表，用戶可以從中選擇希望的倍頻。- q/ C4 D. s% ~$ _5 y+ t
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1-5、Adjust CPU-NB Ratio：調(diào)整CPU內(nèi)北橋（內(nèi)存控制器）的倍率。AMD CPU整合了內(nèi)存控制器，這個選項(xiàng)可以調(diào)整內(nèi)存控制器的倍率。調(diào)整這個倍率要與內(nèi)存頻率設(shè)置相互配合，一般需要多次調(diào)整，才能達(dá)到最佳效果，如果設(shè)置不正確，可能引起藍(lán)屏死機(jī)。6 Y( N0 N" Z O; P, e" l1 Z
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; h2 }. y% E: [% v n. Q) Q! G1-6、EC Firmware：EC固件設(shè)置。這是AMD SB710芯片組新開的一個設(shè)置項(xiàng)，用于開啟被AMD關(guān)閉核心（有部分是不能正常運(yùn)作的）。這項(xiàng)的默認(rèn)設(shè)置是Normal。敲回車，彈出選項(xiàng)菜單供用戶選擇。' d7 m( J- E( j6 n! o' R, L3 C
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0 [: c7 M+ q9 V' Y3 F- F0 D7 m0 L% ?Normal是普通模式，就是不開啟關(guān)閉的核心。Special是特殊模式，開啟被關(guān)閉的核心。注意這個選項(xiàng)要配合下面的Advanced Clock Calibration設(shè)置。6 |( C# R" @' "9 E0 z1 c
1-7、Advanced Clock Calibration：高級時鐘校準(zhǔn)。這是SB750開始有的有的功能。用于校準(zhǔn)CPU的時鐘頻率，同時支持AMD的CPU超頻軟件AMD Over Drive。SB710繼承了這項(xiàng)功能，還可以配合EC Firmware開啟關(guān)閉的核心。默認(rèn)設(shè)置是Disabled。敲回車彈出選項(xiàng)菜單：
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, {0 j! A+ j1 v, U% B3 p; ~1 D* ]" Z. U+ a1 s
Auto是自動模式。想開啟關(guān)閉的核心，請?jiān)O(shè)置為Auto。9 u0 Z/ ]9 V$ |. s
All Cores是對所有核心都進(jìn)行相同的高級時鐘校準(zhǔn)。選擇了All Core后，菜單會多出一個選項(xiàng)。9 P0 y+ m8 u5 N6 H0 M
4 b1 b2 o9 b& c( Y4 v) X, G" }: I/ c, v, _/ m7 h; o
就是要求選擇校準(zhǔn)的百分比。在Value上敲回車會彈出百分比選擇菜單。* g$ a! } V: P% y
: `8 y9 l, r% ~$ B( KPer Core可以對每個核心單獨(dú)設(shè)置時鐘校準(zhǔn)百分比。選擇Per Core后，菜單會多出一個選項(xiàng)：# H7 S5 B' {* F b5 ?
/ "/ c( o5 K, X) w: s
/ b `/ l/ m& x7 P- T. k( _- T也是要求選擇校準(zhǔn)的百分比。在每一個Value敲回車都會彈出百分比選擇菜單。
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d- "( n8 "+ u5 K請注意，Value的個數(shù)與CPU的核心數(shù)相匹配，比如2核的就有2個Value選項(xiàng)。
- z: ~; A5 V5 z% [, F- |. d1-8、Auto Over Clock Technology：微星獨(dú)有的一種自動超頻技術(shù)，默認(rèn)是Disabled，可以設(shè)置為Max FSB。就是系統(tǒng)自動偵測CPU可能超頻的最大FSB值。設(shè)置該項(xiàng)后，系統(tǒng)可能重復(fù)啟動多次，最后找到最大FSB啟動。由于FSB涉及內(nèi)存的頻率，可能會因?yàn)閮?nèi)存緣故而出現(xiàn)在最大FSB情況下，不能進(jìn)系統(tǒng)，或者藍(lán)屏死機(jī)。
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1-9、Multistep OC Booster：這是微星獨(dú)有的超頻輔助技術(shù)，當(dāng)CPU因超頻較高，不能啟動時，可以利用這個選項(xiàng)。它的作用是先以較低的頻率啟動進(jìn)系統(tǒng)，然后再恢復(fù)原來頻率。
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! J) K4 }0 u6 K: c: l0 C& i該選項(xiàng)默認(rèn)是Disabled，有Mode1和Mode2選項(xiàng)。Mode1是以低于原頻率90%的頻率啟動。Mode2是以低于原頻率80%的頻率啟動。
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2、內(nèi)存相關(guān)設(shè)置
- U9 ?0 G; J- S) }; O5 h: "1 q內(nèi)存設(shè)置有3項(xiàng)：* l" r0 r2 B% i# B+ y; v
# F& }# E- A7 I2 "3 f% s- m3 s1 X' A5 {" k9 w+ N# S; @6 K
" j% i$ W& b6 F6 M9 f! "3 y2-1、MEMORY-Z：這是查看內(nèi)存的SPD參數(shù)。也可以隨時按F5查看8 L. O! ]7 a0 I, Q
" ^6 ^) }8 l e插2條內(nèi)存，彈出2條內(nèi)存的SPD信息，如果插4條，就會有4條SPD信息。回車就可以查看1條內(nèi)存的SPD：
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2-2、Advance DRAM Configuration：高級DRAM配置。就是用戶自己配置內(nèi)存時序參數(shù)。回車進(jìn)入高級DRAM配置：- W9 g/ n1 `' a: V
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" k- O2 s' G# r7 "3 k9 I- P9 r2-2-1、DRAM Timing Mode：DRAM時序模式。有4項(xiàng)設(shè)置：Auto、DCT0、DCT1、Both。
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Auto就是按內(nèi)存條的SPD設(shè)置內(nèi)存時序參數(shù)。DCT0是設(shè)置通道A，DCT1是設(shè)置通道B，Both是設(shè)置2個通道。默認(rèn)設(shè)置是Auto。; l$ _1 L5 j4 G! y
這是DCT0的時序參數(shù)設(shè)置：
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內(nèi)存時序參數(shù)最主要的有4個。CL-tRCD-tRP-tRAS，這4個參數(shù)也是在內(nèi)存條上常?？吹降?，比如8-8-8-24，就是這4個參數(shù)。
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! v, Z, p) v, {3 @附注：內(nèi)存時序參數(shù)知識
5 b: _7 T" q% J1、內(nèi)存芯片內(nèi)部的存儲單元是矩陣排列的，所以用行（Row）地址和列（Column）地址標(biāo)識一個內(nèi)存單元。# B( B5 Z" F5 M; E9 I
2、內(nèi)存尋址就是通過行地址和列地址尋找內(nèi)存的一個存儲單元。系統(tǒng)發(fā)出的地址編碼需要經(jīng)過地址譯碼器譯出行地址和列地址，才可以對內(nèi)存讀寫。
, ^$ e% B k# q" r1 `4 v3、內(nèi)存芯片是易失性存儲器，必須經(jīng)常對內(nèi)存的每個存儲單元充電，才可以保持存儲的數(shù)據(jù)。讀寫前要先對選定的存儲單元預(yù)充電（Pre charge）。+ c. E! ^! _2 t+ M
4、對內(nèi)存的存儲單元讀寫前要先發(fā)出激活（Active）命令，然后才是讀寫命令。: N/ Z+ M. F3 F9 X3 G
5、CL就是CAS Latency，CAS（列地址選通）潛伏時間，實(shí)際上也是延遲。指的是CPU發(fā)出讀命令到獲得內(nèi)存輸出數(shù)據(jù)的時間間隔。
3 t2 r1 "/ [, n& R- q6、tRCD是RAS-to-CAS Delay，行地址選通到列地址選通的延遲。一般是指發(fā)出激活命令和讀寫命令之間的時間間隔。在這段時間內(nèi)經(jīng)過充電，數(shù)據(jù)信號足夠強(qiáng)。
" ?0 l! q& c U w4 T; N7、tRP是Row-Pre charge Delay，行預(yù)充電延遲。一般是指發(fā)出預(yù)充電命令和激活命令之間的時間間隔。在這段時間內(nèi)對激活的行充電。
6 h' G1 M# {" ?3 P( "8、tRAS是Row-active Delay，行激活延遲。一般是指行激活命令和發(fā)出預(yù)充電命令之間的時間間隔。
0 u; i2 T! B0 m: }/ n) U' g* W9、上述潛伏和延遲時間可以用絕對時間值ns，也可用相對時間—周期。一般多用周期表達(dá)。周期數(shù)越小，內(nèi)存的速度越高。選購內(nèi)存，不僅要看標(biāo)注的頻率，還要看標(biāo)注的時序參數(shù)。內(nèi)存時序參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)由JEDEC制定。下面列出DDR3的時序參數(shù)規(guī)格，供參考。9 T, Z1 k3 {* R( i4 f) R" z, T
; {+ w) Q, {" _* ]4 v; a
/ P( Y h- C' F+ h標(biāo)準(zhǔn)的時序參數(shù)有7-7-7/8-8-8/9-9-9三種，其中7-7-7的最好。還有非標(biāo)準(zhǔn)的7-8-8/8-9-9的，這種時序參數(shù)的內(nèi)存條，上標(biāo)稱頻率就會死機(jī)藍(lán)屏。降一級頻率就沒有問題。 |3 X! y& m& B/ }. i- n
+ Q( s* l( i y1 B" s3 x8 L6 S# y B/ f0 w
2-2-2、DRAM Drive Strength：DRAM驅(qū)動強(qiáng)度。! M. G" |, t5 h+ o2 M* ~9 t$ @
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; Y8 b& Q- p7 I& "該選項(xiàng)有4個參數(shù)，Auto是BIOS自動依據(jù)內(nèi)存設(shè)置。其他是用戶自己設(shè)置，DCT0是設(shè)置通道A，DCT1是設(shè)置通道B，Both是設(shè)置2個通道。設(shè)置為DCT0/1或Both時，會增加設(shè)置項(xiàng)目，下面看看用戶自己手動設(shè)置的項(xiàng)目：
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: g2 P( I& w0 x6 O& o每個通道的信號驅(qū)動強(qiáng)度設(shè)置包括8項(xiàng)。
9 x2 f8 f+ `8 WCKE Drive Strength：時鐘允許（Clock enable）信號驅(qū)動強(qiáng)度6 W' H7 Z& {0 u2 S$ P- K: q* y
CS/ODT Drive Strength：片選/內(nèi)建終端電阻驅(qū)動強(qiáng)度7 P; O( "/ t+ s2 e( w' S/ N$ X
Addr/Cmd Drive Strength：地址/命令驅(qū)動強(qiáng)度
$ y7 o5 h5 i$ M" s$ X e: X& |Clock Drive Strength：時鐘信號驅(qū)動強(qiáng)度: L8 b/ e' _9 |7 o; t
Data Drive Strength：數(shù)據(jù)信號驅(qū)動強(qiáng)度
, A( P T: ]4 A( l. iDQS Drive Strebgth：數(shù)據(jù)請求信號驅(qū)動強(qiáng)度
: `# s: E4 Z0 rProcOdt：CPU內(nèi)建終端電阻
( y1 m9 m8 ^) T0 O0 G) R驅(qū)動強(qiáng)度的設(shè)置就是用戶設(shè)置內(nèi)存信號的強(qiáng)度，一般以默認(rèn)為1，設(shè)置選項(xiàng)是默認(rèn)的倍率：
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- [, n) F7 _7 ]5 D2-2-3、DRAM Advance Control：DRAM高級控制。
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該選項(xiàng)有4個參數(shù)，Auto是BIOS自動依據(jù)內(nèi)存設(shè)置。其他是用戶自己設(shè)置，DCT0是設(shè)置通道A，DCT1是設(shè)置通道B，Both是設(shè)置2個通道。設(shè)置為DCT0/1或Both時，會增加設(shè)置項(xiàng)目，下面看看用戶自己手動設(shè)置的項(xiàng)目：
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每個通道的高級控制有6項(xiàng)。+ A0 C7 L% R/ A7 j) k: u
DRAM Termination：內(nèi)存芯片的片內(nèi)終端電阻。從DDR2開始內(nèi)存防止信號干擾的終端電阻放在芯片內(nèi)。DDR3也是這樣。這項(xiàng)是設(shè)置終端電阻的參數(shù)，設(shè)置參數(shù)有Auto、Disabled、75 ohms、150 ohms、50 ohms。默認(rèn)是Auto。
5 Z- W2 n5 z8 W* U% eDRAM Drive Weak：減弱DRAM驅(qū)動強(qiáng)度。設(shè)置參數(shù)有Auto、Normal、Reduced。Auto是讓BIOS依據(jù)內(nèi)存條自動設(shè)置。Normal是默認(rèn)強(qiáng)度，Reduced是減弱驅(qū)動強(qiáng)度。
5 w5 L& H7 A( eDRAM Parity Enable：允許DRAM 奇偶校驗(yàn)。奇偶校驗(yàn)是對內(nèi)存讀寫是防止數(shù)據(jù)錯誤的一種方法。但允許奇偶校驗(yàn)會影響內(nèi)存讀寫速度。設(shè)置參數(shù)有Auto、Enabled、Disabled。默認(rèn)設(shè)置是Auto。. s" I, |3 h# |- g. ]0 l. c8 ^
DRAM Self Refresh Rate Enable：允許DRAM自刷新速率。DRAM刷新就是充電，通過充電保持?jǐn)?shù)據(jù)信號。自刷新是關(guān)閉系統(tǒng)時鐘CKE，DRAM采用自己的內(nèi)部時鐘確定刷新速率。設(shè)置參數(shù)有Auto、Enabled、Disabled。默認(rèn)設(shè)置是Auto。
7 X' G) N( w, T- U; r% o( lDRAM Burst Length 32：DRAM突發(fā)模式的長度32。突發(fā)模式是系統(tǒng)對內(nèi)存讀寫時一次連續(xù)讀寫。連續(xù)讀寫的長度有32字節(jié)和64字節(jié)。這項(xiàng)設(shè)置就是選擇32字節(jié)，還是64字節(jié)。設(shè)置參數(shù)有Auto、64字節(jié)、32字節(jié)。默認(rèn)是Auto。Auto就是由系統(tǒng)依據(jù)數(shù)據(jù)分布自動采用突發(fā)模式的長度。 g7 {: D; U7 v, q, W4 D7 x) p
Bank Swizzle Mode：Bank攪和模式。內(nèi)存芯片內(nèi)的存儲單元是按矩陣排列的，每一矩陣組成一個Bank，芯片內(nèi)的Bank有4 Bank、8 Bank等，一般中文稱之為邏輯Bank。
. Q+ L3 H7 ^0 j$ m s/ X- G內(nèi)存芯片組成內(nèi)存條后，也有Bank，一般以64位為一個Bank。通常一面內(nèi)存的8顆芯片構(gòu)成一個Bank。雙面就是2個Bank。CPU和內(nèi)存進(jìn)行數(shù)據(jù)交換時以Bank為單位，一次交換64位數(shù)據(jù)，也就是通常說的“帶寬”，雙通道就是128位。這種Bank稱之為物理Bank。CPU訪問內(nèi)存時先定位物理Bank，然后通過片選（信號）定位芯片內(nèi)的邏輯Bank。
5 x! a" d2 |5 U7 Q" [ _1 |插在DIMM槽的內(nèi)存條有1個或2個片選Bank，訪問命令不管實(shí)際有幾個片選Bank，都是覆蓋2個。Bank Swizzle模式就是通過異或（XOR）邏輯運(yùn)算，判定實(shí)際的片選Bank。設(shè)置參數(shù)有Auto、Disabled、Enabled。Auto就是交給BIOS和系統(tǒng)處理。Disabled就是禁止Swizzle模式，Enabled就是允許。Swizzle模式可以提高CPU的性能，但是會影響顯卡性能。一般還是設(shè)置Auto為好。
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) t: Q$ ?' ?1 H9 X Q+ Q2-2-4、1T/2T Memory Timing：1T/2T內(nèi)存時序。這個選項(xiàng)也叫做“命令速度”，就是內(nèi)存控制器開始發(fā)送命令到命令被送到內(nèi)存芯片的延遲。1T當(dāng)然比2T快。但是要依據(jù)內(nèi)存條的性能。性能低的設(shè)置1T后肯定要藍(lán)屏死機(jī)。一般保持Auto設(shè)置即可，讓BIOS自己去設(shè)置。
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9 R9 w% r9 V! d5 H( a# R6 H2-2-5、DCT Unganged Mode：內(nèi)存通道控制模式。選擇內(nèi)存通道的控制模式，Ganged是一個雙通道，128位帶寬。Unganged是2個單通道，64位x2帶寬。設(shè)置選項(xiàng)是Disabled（Ganged）和Enabled（Unganged）。默認(rèn)是Enabled。! U2 Q5 `& k, l
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2-2-6、Bank Interleaving：Bank交錯存取。內(nèi)存bank 交錯存取可以讓系統(tǒng)對內(nèi)存的不同bank同時存取，可以提升內(nèi)存速度及穩(wěn)定性。設(shè)置值有Auto和Disabled，默認(rèn)值是Auto(開啟交錯存取)。
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2-2-7、Power Down Enabled：開啟或關(guān)閉DRAM Power Down。內(nèi)存掉電設(shè)置，選項(xiàng)有Disabled和Enabled。默認(rèn)是Disabled。; d& J' J" P7 "+ L7 t3 P
) m+ N' k# U; {2 ~8 e' T5 q. C+ j6 J2 m: T& F9 ~
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設(shè)置為Enabled后，增加Power Down Mode選項(xiàng)，選擇Channel模式和Chip Select模式。6 S0 [; @7 s6 i, X% T8 "5 p* "- t
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7 z. T: }- p8 }" ]' t% }1 S2-2-8、MemClk Tristate C3/ATLVID：開啟或關(guān)閉內(nèi)存時鐘在C3/ATLVID下的3態(tài)。默認(rèn)是關(guān)閉的（Disabled）。" O" k" G( X$ W
/ Q# W- r' G6 k/ [) M2 ~& n2-3、FSB/DRAM Ratio：前端總線和內(nèi)存倍率設(shè)置。* }+ G9 l( R z0 O, i. [
默認(rèn)設(shè)置是Auto，自動識別內(nèi)存條的SPD，設(shè)置內(nèi)存頻率。回車可以手動設(shè)置。
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, `- c: q! F3 S; }2 D$ u
* z0 s2 c. Q: B T4 h- Q# x0 h通過設(shè)置倍率可以改變內(nèi)存的頻率，F(xiàn)SB=200，1:2就是DDR800，1:3.33就是DDR1333。1:4 就是DDR1600。
7 |* `/ V# n- T% V如果出現(xiàn)藍(lán)屏死機(jī)現(xiàn)象，可以先通過這項(xiàng)設(shè)置降低內(nèi)存頻率試試，是不是內(nèi)存不兼容或內(nèi)存品質(zhì)不良。如果降低頻率可以排除故障，可以降頻使用，或者更換內(nèi)存條。
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DDR3 1333內(nèi)存條有3種，一種是SPD只有1066，沒有1333，可以通過設(shè)置倍率（1:1.333）上到1333。第二種是SPD有1333，但是1333的參數(shù)不對，1333對應(yīng)的頻率應(yīng)該是666，這種內(nèi)存的頻率是601，這樣的內(nèi)存也需要通過設(shè)置倍率上1333。第三種是標(biāo)準(zhǔn)的1333，SPD的1333頻率參數(shù)是666或667。這種內(nèi)存默認(rèn)就可以上1333。4 @$ P* @" E7 F$ h) S$ Y
, e$ D! c9 V/ k% c) q+ HDDR3 1600內(nèi)存有3種：超頻1600的（SPD只有1333），可以通過設(shè)置倍率（!:4）到1600。第2種是SPD參數(shù)有1600（800），這樣的內(nèi)存條可以默認(rèn)上1600。第3種是1600采用X.M.P規(guī)格，使用這種1600內(nèi)存，BIOS會出現(xiàn)X.M.P選項(xiàng)，把這項(xiàng)設(shè)置為Disabled即可上1600。
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3、內(nèi)置顯卡超頻# j' j2 A- R4 D1 z' _
為方便用戶對內(nèi)置顯卡4200超頻，BIOS把顯卡頻率設(shè)置選項(xiàng)移到核心菜單，叫做：
6 Z/ }. r: X( ?# "' DOnboard VGA Core Over Clock。
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Onboard VGA Core Over Clock的設(shè)置項(xiàng)有Disabled（默認(rèn)）和Enabled。
$ j" D8 ]' H1 W9 N8 a開啟顯卡超頻，增加一項(xiàng)調(diào)整顯卡頻率值的選項(xiàng)：Adjust Onboard VGA Frequency。默認(rèn)值是500MHz。超頻時直接鍵入頻率值，比如550MHz。6 e! E: O2 |6 W( e6 b! G; Y' D
. V, ]- w: U# x: _4、HT和PCI相關(guān)設(shè)置
; j" U/ [, |5 _2 V' yHT（超傳輸）總線是AMD的開發(fā)的芯片互連總線。AMD把內(nèi)存控制器移到CPU，CPU內(nèi)部采用HT總線。顯卡采用PCIE總線，HT和PCIE之間需要橋接。AMD的北橋就起到HT和PCIE的橋接作用。北橋和CPU之間是HT總線連接。所以BIOS有HT總線的設(shè)置和PCIE總線的設(shè)置。相關(guān)設(shè)置有4項(xiàng)：
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4-1、HT Link Control：HT鏈接控制。這個選項(xiàng)設(shè)置需進(jìn)入二級菜單?；剀囘M(jìn)入二級菜單后，看到的是2個選項(xiàng)：/ l8 e' R4 X6 F, r
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HT Incoming Link Width和HT Outgoing Link Width：HT上行鏈接寬度和下行鏈接寬度。HT總線采用差分信號，單向串行傳輸。每一路采用一對信號線，一條發(fā)送信號（下行），一條接收信號（上行）。這兩個選項(xiàng)就是設(shè)置HT總線的位寬。3個設(shè)置項(xiàng)：Auto（默認(rèn)）、8位、16位。Auto是讓系統(tǒng)自動設(shè)置，8位和16位是手動設(shè)置。
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2-4-2、HT Link Speed：HT鏈接速度。鏈接速度以倍率表示，從x1到x13。默認(rèn)設(shè)置是Auto，系統(tǒng)自動依據(jù)CPU動態(tài)設(shè)置，F(xiàn)SB超頻會自動提升HT鏈接速度。用戶也可以手動設(shè)置固定的倍率。X1是200MHz，X5就是1000MHz，以此類推。( l7 D9 q% M6 P
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2-4-3、Adjust PCI-E Frequency：調(diào)整PCI-E頻率。
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系統(tǒng)給PCI-E的頻率是100MHz，由于現(xiàn)在的FSB和PCI-E時鐘頻率是分開的，調(diào)整FSB頻率不會影響PCI-E/PCI頻率。超頻時不必再考慮鎖定PCI-E和PCI頻率。BIOS也沒有鎖定選項(xiàng)。這里的PCI-E頻率調(diào)整是為PCI-E超頻設(shè)計(jì)的，直接鍵入超頻頻率值，超頻范圍是100MHz-150MHz。5 {) z3 Y+ F* Z/ n2 G6 o( s
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2-4-4、Auto Disable DRAM/PCI Frequency：自動關(guān)閉DRAM/PCI時鐘信號。
. c4 M/ s: h# B默認(rèn)設(shè)置是Enabled，系統(tǒng)將關(guān)閉空閑的DRAM和PCI槽的時鐘信號，降低干擾。
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5、電壓設(shè)置- P" c+ [8 V: m( {( x K: _
785GM-E65 BIOS提供了8項(xiàng)電壓設(shè)置：3 s6 b6 X+ s+ B; b
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CPU VDD電壓：CPU VDD電壓。調(diào)整范圍1.1000-1.5500V# X* L/ {; G8 t1 ]% U7 V. c7 R
CPU-NB VDD電壓：CPU內(nèi)北橋VDD電壓。調(diào)整范圍1.1000-1.5500
`' L# Y' u! a# |CPU電壓：CPU核心電壓。調(diào)整范圍1.025-1.975V
7 i3 ?) G2 v8 `$ D: S, Q* l" b4 ^7 NCPU-NB電壓：CPU內(nèi)北橋電壓。調(diào)整范圍1.202-1.520V# Z% E1 X7 U( Y/ L4 P
DRAM電壓：內(nèi)存電壓。調(diào)整范圍1.50-2.42V
; C* e$ T H' T8 yNB電壓：北橋電壓。調(diào)整范圍1.108-1.337V& ?! S) N5 S6 x$ i' c0 b
HT Link電壓：HT總線鏈接電壓。調(diào)整范圍1.202-1.454V9 Q8 j, p7 "' Y3 ^ E
SB電壓：南橋電壓。調(diào)整范圍1.228-1.472V
% b5 `/ W7 M. m- c& z: Q0 O1、上面8項(xiàng)電壓中，前2項(xiàng)VDD電壓是CPU內(nèi)的CMOS電路的漏極電壓。調(diào)整這個電壓可以使超頻更穩(wěn)定。& `4 |* Z* C% h r" o
2、其余5項(xiàng)電壓是供電電壓。超頻時提高一點(diǎn)電壓可以提高超頻成功率。因?yàn)槌l后，CPU內(nèi)的CMOS開關(guān)頻率加快，輸出信號的電平幅度會降低，導(dǎo)致信號不穩(wěn)定，提高一點(diǎn)供電電壓，就會提高信號電平幅度，增強(qiáng)信號。
" r/ Z# j$ j9 ^0 l# ]1 d# p簡單講CPU內(nèi)的所有晶體管都是CMOS電路，都是開關(guān)。CPU運(yùn)算就是這些CMOS開關(guān)電路不停地“開”和“關(guān)”?！伴_”就是導(dǎo)通，讓代表“1”的高電平信號通過?！瓣P(guān)”就是斷開，信號變成低電平，表示“0”。如果代表“1”的高電平較低，就會與低電平的“0”混淆，CPU分辨不出“1”和“0”，自然運(yùn)算就出錯，導(dǎo)致死機(jī)、藍(lán)屏。; T' d0 ]8 c- Z8 ]
3、電壓提升過高也不利于超頻，因?yàn)殡妷哼^高，把信號電平也拉高，信號電平越高，CMOS開關(guān)的頻率就無法加快。這個道理可以從CPU電壓的進(jìn)展歷程看出來。486/586時代，CPU的核心電壓和I/O電壓都是3.3V。奔騰4開始，把CPU的核心電壓與I/O分開，核心電壓降到2V左右，現(xiàn)在降到1.xx V，降低信號電平就是要提高CPU的頻率。CPU的頻率取決于CMOS電路的開關(guān)速度，信號電平設(shè)計(jì)的越低，開關(guān)速度就越快。
! `9 [" ~$ ]$ o! a: d3 y$ T4、有些DIY發(fā)現(xiàn)，超頻頻率很高時，CPU滿載運(yùn)作會有“掉”電壓的現(xiàn)象。于是想辦法改電路，或者再提高電壓。其實(shí)，“掉”電壓是正?，F(xiàn)象。頻率提高30%，CMOS電路的開關(guān)頻率提高30%，開關(guān)時間縮短30%，輸出的高電平信號電壓肯定降低，自然也要把供電電壓拉低。
$ }9 o* u7 D n2 a# E; K& n5、所以，調(diào)整電壓要適當(dāng)，不是越高越好。上述8項(xiàng)電壓設(shè)置，灰色的Auto表示默認(rèn)電壓。白色數(shù)字表示正常范圍的電壓。紅色數(shù)字表示非正常電壓，包括過高和過低的。
8 m5 P- @! R6 J m; i6、調(diào)整電壓時，可以用小鍵盤的“+”和“-”鍵，也可以用Page Up和Page Down鍵。# ?- _1 M7 p V/ ]
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6、頻展設(shè)置) k5 u$ s# P5 ". w9 i. a
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/ U6 k/ J) z& g* K) U0 `2 ESpread Spectrum（擴(kuò)展頻譜）技術(shù)是一種常用的無線通訊技術(shù)，簡稱展頻技術(shù)。當(dāng)主板上的時鐘發(fā)生器工作時，脈沖的峰值會產(chǎn)生電磁干擾（EMI），展頻技術(shù)可以降低脈沖發(fā)生器所產(chǎn)生的電磁干擾。在沒有遇到電磁干擾問題時，應(yīng)將此類項(xiàng)目的值全部設(shè)為“Disabled”，這樣可以優(yōu)化系統(tǒng)性能，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性；如果遇到電磁干擾問題，則應(yīng)將該項(xiàng)設(shè)為“Enabled”以便減少電磁干擾。在將處理器超頻時，最好將該項(xiàng)設(shè)置為“Disabled”，因?yàn)榧词故俏⑿〉姆逯碉h移也會引起時鐘的短暫突發(fā)，這樣會導(dǎo)致超頻后的處理器被鎖死。
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