67.計算機系統(tǒng)內(nèi)存有哪些類型?
在計算機里,內(nèi)存是一個十分繁忙的數(shù)據(jù)加工廠,按照計算機的設(shè)計原則,所有程序和數(shù)據(jù)都必須調(diào)入內(nèi)存才能進行處理。
直接與CPU進行數(shù)據(jù)交換的存儲器稱為“內(nèi)存”,而不能直接與CPU進行數(shù)據(jù)交換的存儲器稱為“外存”。例如,硬盤中的數(shù)據(jù)需要先輸入到內(nèi)存中,才能與CPU進行數(shù)據(jù)交換,因此硬盤為外存設(shè)備。內(nèi)存基本可以分為兩類,一類是只讀存儲器ROM,另一類是隨機存儲器。由于內(nèi)存的概念過于廣泛,通常將插在計算機主板上的內(nèi)存條稱為“主存”或簡稱“內(nèi)存”。
68.標志計算機內(nèi)存性能的主要技術(shù)參數(shù)有哪些?
(1)工作頻率:一般說來,頻率越高,一個時鐘周期里完成的指令數(shù)也越多,內(nèi)存的速度也就 越快。
(2)tCK(時鐘周期):tCK是Clock Cyele Time的縮寫,它代表了內(nèi)存可以運行的最大工作頻率,數(shù)字越小說明內(nèi)存所能運行的頻率就越高。
(3)tAC(存取時間):tAC僅僅代表訪問數(shù)據(jù)所需要的時間,也就是內(nèi)存平均閱讀下面送上來的數(shù)據(jù)所需要的時間。
(4)CL(CAS延遲時間):CL(CAS Latency)是內(nèi)存性能的一個重要指標,該時間越短越好。
(5)內(nèi)存帶寬:內(nèi)存帶寬也叫“數(shù)據(jù)傳輸率”,是指每秒鐘訪問內(nèi)存的最大位(Bit) 數(shù)(或字節(jié)數(shù),即Byte數(shù))。內(nèi)存帶寬總量(MB)=最大時鐘頻率(MHz)×總線寬度(bits)×每時鐘數(shù)據(jù)段數(shù)量/8。
(6)SPD:SPD的全稱是Serial Presence Detect,即“連續(xù)存在偵測”,它保存了該內(nèi)存的各種性能參數(shù),如容量、芯片廠商、工作速度、是否具備ECC校驗等。這些內(nèi)容都是內(nèi)存廠商輸入進去的,最后保存在一個EEPROM芯片中。
69.計算機系統(tǒng)內(nèi)存的主要品牌有 哪些?
計算機系統(tǒng)內(nèi)存主要品牌如下:
(1)現(xiàn)代系列
目前市場上的內(nèi)存條共有3種,一種編號為T7J,屬于PC100內(nèi)存,它的CL(CAS潛伏)數(shù)值可以達到2,速度為10ns;另一種編號為TJK,它的性能和T7J差不多,只是CL為3;T75則是一種PC133內(nèi)存,速度為7.5ns,CL為3。現(xiàn)代內(nèi)存條的兼容性以及電氣性能都不錯,現(xiàn)代的T75 PC133內(nèi)存就是理想的選擇。
(2)Kingmax內(nèi)存
Kingmax內(nèi)存以其優(yōu)秀的超頻性能享有很好的口碑。Kingmax內(nèi)存的芯片采用很少的BGA封裝,它可以提高內(nèi)存的穩(wěn)定性,減少電信號干擾。這種內(nèi)存工藝獨特,所以基本沒有假貨。目前市場上銷售的Kingmax內(nèi)存條全部為PC133標準。
(3)其他內(nèi)存條產(chǎn)品
現(xiàn)代和Kingmax內(nèi)存條幾乎占據(jù)了整個內(nèi)存市場,除它們之外,還可以見到一些樵風內(nèi)存條、三星原裝條、高手原裝條、小影霸超頻內(nèi)存條、KTI內(nèi)存條等產(chǎn)品。樵風內(nèi)存條很有特色,它采用BLP封裝形式,外形和Kingmax的產(chǎn)品差不多,可以穩(wěn)定地運行在143MHz頻率下。三星和高手內(nèi)存條都是號稱原廠生產(chǎn),不過價格都比較貴。小影霸超頻條是磐英公司推出的一種發(fā)燒型內(nèi)存條,采用三星的芯片,CL為 3,專門用于超頻。而KTI內(nèi)存條比較獨特,它是由生產(chǎn)Kingmax內(nèi)存條的廠家OEM生產(chǎn)的,速度 為8ns。
70.目前市場上主流內(nèi)存有哪些類型?
從目前市場上主流內(nèi)存的類型來說,主要可以分為三大類:SDRAM、DDR和RDRAM。三種結(jié)構(gòu)各不通用,而選用哪種內(nèi)存構(gòu)架則必須在計算機選購初期就作好決定,因為它涉及到選購不同種類的主板、處理器等其他部件。
(1)同步動態(tài)隨機存儲器SDRAM
SDRAM內(nèi)存條是目前普遍使用的內(nèi)存類型。SDRAM與CPU運行在同一個時鐘周期上,理論上講,它可以實現(xiàn)與CPU的同步工作,因此稱為“同步動態(tài)內(nèi)存”。
臺式機使用的SDRAM一般為168線的管腳接口,具有64b的帶寬,工作電壓3.3V,目前最快的內(nèi)存模塊為5.5ns。由于其最初的標準是采用將內(nèi)存與CPU進行同步頻率刷新的工作方式,因此,基本上消除了等待時間,提高了系統(tǒng)的整體性能。
由于CPU的核心頻率=系統(tǒng)外部頻率×倍頻的方式。而內(nèi)存就是工作在系統(tǒng)的外部頻率下,最初的66MHz的外部工作頻率嚴重地影響了系統(tǒng)整體的工作性能,芯片組廠商又陸續(xù)制訂出100MHz、133MHz系統(tǒng)外頻的工作標準。這樣SDRAM也就有了66MHz(PC66)、100MHz(PC100)和133MHz(PC133)三種標準規(guī)格,另外CL值也是衡量內(nèi)存的一個很重要的標準。某些內(nèi)存廠商為了滿足一些超頻愛好者的需求還推出了PC150和 PC166內(nèi)存,例如Kingmax和 Micro等。
(2)雙數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器DDR SDRAM
DDR SDRAM是SDRAM的更新?lián)Q代產(chǎn)品,它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù),因此在不提高時鐘頻率的情況下,就可以比SDRAM增加一倍的傳輸率和內(nèi)存帶寬。如表1-5所示。
表1-5 DDR SDRAM與SDRAM核心頻率比較
核心頻率 SDRAM DDR DDR II DDR III
166MHz 166MHz DDR333 DDR667 DDR1333
133MHz PC133 DDR266 DDR533 DDR1066
100MHz PC100 DDR200 DDR400 DDR800
上述情況只是理論上的,真正在實際應(yīng)用中,DDR內(nèi)存所帶來的性能提升并不是很大,經(jīng)測試在10%至15%之間。造成如此大的反差,主要原因在于目前的處理器及主板結(jié)構(gòu)還是依照著SDRAM進行設(shè)計的,還沒有充分挖掘出DDR的潛能。
在133MHz下,DDR內(nèi)存帶寬可以達到2.1GB/s,200MHz外頻標準出臺后,其帶寬更是達到了3.2GB/s。目前DDR400內(nèi)存已經(jīng)問世,其強大的攻勢不容忽視,發(fā)展前景非常廣闊。
目前市場上已經(jīng)有了針對DDR應(yīng)用的處理器及配套主板,但是由于還是初期發(fā)展階段,對于DDR內(nèi)存的巨大傳輸能力利用率不高,沒能在實際應(yīng)用中體現(xiàn)出來。所以,這種內(nèi)存技術(shù)的成熟應(yīng)用期還沒有到,目前只處于初級應(yīng)用階段。
DDR只是對SDRAM技術(shù)做了一些加強,所以生產(chǎn)SDRAM的生產(chǎn)線極容易改建于DDR的生產(chǎn)。不過DDR內(nèi)存為保持較高的數(shù)據(jù)傳輸率,電氣信號必須要求能較快改變,因此采用了2.5V的SSTL2標準,其管腳數(shù)為184線,與SDRAM在主板上無法實現(xiàn)兼容。
DDR SDRAM有著先天性的優(yōu)勢,因此取代SDRAM只是時間上的問題,相信隨著DDR內(nèi)存體系的愈加成熟,與SDRAM體系結(jié)構(gòu)間的性能會越拉越大,那時也正是DDR全面進入千家萬戶的時刻。
(3)Rambus公司動態(tài)隨機存儲器RDRAM
RDRAM是Rambus公司開發(fā)的新型內(nèi)存結(jié)構(gòu)。Rambus內(nèi)存在數(shù)據(jù)總線上發(fā)送串行16位數(shù)據(jù)包(SDRAM、DDR為64位),但發(fā)送頻率非常高(400MHz~1000MHz),同時使用低電壓信號。與DDR一樣,Rambus 也在時鐘周期的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)。Rambus 可以同時在800MHz或更高的頻率下傳輸數(shù)據(jù)。
RDRAM是Rambus公司開發(fā)的新型內(nèi)存結(jié)構(gòu)。 RDRAM原本是Intel強力推廣的未來內(nèi)存發(fā)展方向,其技術(shù)吸入了RISC(精簡指令集),依靠高時鐘頻率(目前有300MHz、350MHz和400MHz三種規(guī)格)來簡化每個時鐘周期的數(shù)據(jù)量。因此,其數(shù)據(jù)通道接口只有16b(由兩條8b的數(shù)據(jù)通道組成),遠低于SDRAM的64b。由于RDRAM也是采用類似于DDR的雙速率傳輸結(jié)構(gòu),同時利用時鐘脈沖的上升與下降沿進行數(shù)據(jù)傳輸,因此在300MHz 下數(shù)據(jù)的傳輸量可以達到300MHz×16b×2/8=1.2GB/s,400MHz 時可達到1.6GB/s,目前主流的雙通道PC800MHz RDRAM數(shù)據(jù)傳輸量更是達到了3.2GB/s。相對于133MHz下SDRAM的1.05GB/s,確實很有優(yōu)勢。
由于該內(nèi)存是全新的結(jié)構(gòu)體系,需要興建專用的內(nèi)存生產(chǎn)線才能進行大批量生產(chǎn),基本上無法對原有的生產(chǎn)線進行改建,這樣初期產(chǎn)品的成本難以與DDR進行競爭;而且生產(chǎn)這種內(nèi)存還必須按產(chǎn)量向Rambus公司交納一定的權(quán)利金,使各廠商纏足不前,在一定程度上阻礙了RDRAM的發(fā)展,不過更高帶寬雙通道的RDRAM不久將會出現(xiàn)。Rambus公司已經(jīng)推出世界上第一條運行在1200MHz頻率上的RDRAM,內(nèi)存的峰值帶寬將達到4.8GB/s。除此之外,Rambus 還將推出一款運行在1066MHz下的RDRAM,它們的設(shè)計和制造工藝與從前的Rambus內(nèi)存區(qū)別不是很大。
RDRAM 的認證機構(gòu)也較為嚴格,其認證測試包括DirectRDRAM元件、RIMM模塊、RIMM 連接器和DirectRDRAM 時鐘發(fā)生器,以確保與Intel的系統(tǒng)保持百分之百的兼容。
71.什么是ECC內(nèi)存?
ECC是Error Checking and Correcting的縮寫,意思是錯誤檢測與糾正。內(nèi)存所使用的ECC可以檢查出兩位的錯誤,對一位錯誤可以自動修正。多數(shù)內(nèi)存錯誤只有一位,芯片組和內(nèi)存就會在用戶不知道的情況下立刻發(fā)現(xiàn)并修復這個錯誤;如果發(fā)生了雙位內(nèi)存錯誤,系統(tǒng)會報告這個錯誤。目前帶ECC的內(nèi)存多用于服務(wù)器上,個人用戶沒必要采用。
72.PC100內(nèi)存的規(guī)范是什么?
PC100有兩項最重要的SDRAM技術(shù)指標,即TCK與TAC。TCK(時鐘周期時間)即內(nèi)存時鐘周期,由外頻決定,可簡單定義為TCK=1/F,F(xiàn)為工作時的外頻。例如系統(tǒng)在100MHz外頻工作時TCK=10ns。TAC(存取時間從CLK)即存取時間。TAC與CL(CAS潛伏,反應(yīng)時間)有關(guān)。CL即為當一個讀寫命令在時鐘上升沿發(fā)出數(shù)據(jù),輸出端可提供的時鐘延遲。在100MHz外頻時最多只有3個時鐘周期。CL一般為2或3,有測試結(jié)果表明,CL為2僅比CL為3時性能提高百分之幾。
Intel PC100規(guī)范要求TCK不大于10ns,TAC不大于6ns,對于內(nèi)存條的PCB(印刷電路板)層數(shù)、布線、線長和距離以及PLL電路、SPD芯片等都作出了規(guī)定。PC100標準要求內(nèi)存條上要有SPD(Serial Presence Delect,串行存在監(jiān)測)芯片。PC100的另一個特征是要求內(nèi)存條上要有ECC(冗余校驗與糾錯)功能。
73.什么樣的計算機適合使用PC100?
在使用中,100MHz外頻的主板正常工作應(yīng)選用PC100內(nèi)存,它除了滿足10ns的存取周期,還應(yīng)當通過Intel公司的PC100規(guī)范認證,滿足ECC、SPD等一些特殊的規(guī)范要求。當內(nèi)存條速度達不到10ns時,有必要選用支持DIMM異步方式的主板。這意味著當CPU工作在100MHz時,DIMM可以工作在66MHz頻率下。
需要指出的是,PC100內(nèi)存并非10ns 內(nèi)存芯片加上SPD,PC100是Intel為了配合其推出的BX芯片組,使計算機的各個配件能在100MHz總線速度下穩(wěn)定有效地工作而制定的一套準則,現(xiàn)在已得到所有主要PC配件生產(chǎn)廠商的支持。在這個規(guī)范中,對于內(nèi)存芯片要求時鐘周期(存取時間從時鐘)不大于6ns、CAS潛伏為2或3等。只有完全符合Intel PC100規(guī)范的內(nèi)存才是“真正”的PC100內(nèi)存。有人認為當主板時鐘頻率設(shè)置在100MHz,并且在主板的基本輸入輸出系統(tǒng)選項中CAS 設(shè)置為2時能穩(wěn)定地與主板外頻(100MHz)同步工作的 SDRAM才是真正的PC100 SDRAM。其實在100MHz外頻下,CAS為3也是符合PC100規(guī)范的,況且CAS為2時僅比CAS為3時性能提高百分之幾,可以不必太在意。
74.PC133內(nèi)存的規(guī)范是什么?
PC133標準是由經(jīng)(威盛)電子公司為首制定的,它沿用了PC100的大部分標準,如168線的SDRAM、3.3V的工作電壓、SPD等。
相對于PC100來說,PC133規(guī)范要求內(nèi)存芯片時鐘周期至少7.5ns ,要求在133MHz時最好能達到CAS=2,即只有當CAS設(shè)置成2時才是真正意義上的PC133。目前,主要內(nèi)存芯片廠商對生產(chǎn)PC133內(nèi)存芯片達成了共識:在現(xiàn)有PC100內(nèi)存條的基礎(chǔ)上將8ns的芯片顆粒換為7ns,即可完成從PC100到PC133的升級。
內(nèi)存容量與性能已成為決定計算機整體性能極為重要的因素。有些主板使用低規(guī)格的內(nèi)存也能到達133MHz,但這只是為了適應(yīng)超頻的需要,并不代表該SDRAM就是7ns的,大多數(shù)情況下這是主板上的TAC公羊幫了大忙。應(yīng)該指出的是,目前市場上真正支持7ns的SDRAM雖然有,但是型號還比較少,而且也只能是在CAS為3下穩(wěn)定工作。
75.PC133與PC100有什么區(qū)別?
PC100、PC133都是針對內(nèi)存的規(guī)范。PC100 SDRAM曾是SDRAM一個劃時代的杰作。PC133SDRAM是PC100 SDRAM技術(shù)的延續(xù)。PC133 SDRAM的優(yōu)勢主要在于其適中的價格和良好的兼容性,它實際上應(yīng)該算是PC100 SDRAM的一種增強型版本,在電路結(jié)構(gòu)上也與PC100 SDRAM區(qū)別不大。PC133 SDRAM的市場前景良好。
在PC100的規(guī)范中,要求內(nèi)存芯片速度至少是10ns,而在PC133規(guī)范中,則將這一速度提高到7.5ns。PC133的工作頻率為133MHz ,其結(jié)果是內(nèi)存的帶寬大大增加。但需要注意的是,PC133實際存取速度并不一定比PC100快,這是因為內(nèi)存除了工作頻率以外,還有許多其他重要指標,如CLtRCD、tRASt、RC、tRP、tAC、tOH等。其中以CL最為人們所重視。CL的全稱為CAS潛伏,在內(nèi)存讀取或者寫入數(shù)據(jù)時都要經(jīng)過一個完整的CAS信號,一般SDRAM內(nèi)存可以將CL設(shè)為2或3,在CL等于2的時候,會加快內(nèi)存的存取速度。但是由于工藝上的原因,目前大多數(shù)的PC133內(nèi)存CL都為3。
76.SDRAM有什么特點?
SDRAM(同時的DRAM,即同步DRAM),即與系統(tǒng)時鐘同步工作的動態(tài)存儲器。系統(tǒng)時鐘除了控制CPU,還要控制SDRAM的速度。理論上講,它可以實現(xiàn)與CPU同步工作。SDRAM 采用Multiple-Memory-Banks設(shè)計,存取效率成倍提高。當前市場上出售的SDRAM內(nèi)存主要有兩種:一種是工作速度100MHz的產(chǎn)品(即PC-100),另一種是工作速度為133MHz的產(chǎn)品(即PC-133),自1998年下半年以后,PC-133已占主導地位。SDRAMII是在SDRAM的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的新型內(nèi)存產(chǎn)品,正式名稱應(yīng)該是DDR SDRAM。SDRAMII更適合在100MHz系統(tǒng)上運行。目前已有100MHz(200Mbps)、125MHz(250Mbps)、133MHz(266Mbps)三種產(chǎn)品進入市場,1999年中期實用化產(chǎn)品大規(guī)模投放市場。不過要使用DDR SDRAM,主板芯片組能否支持是個先決條件。
77.什么是DDR內(nèi)存?
DDR是Double Data Rate 的縮寫(雙倍數(shù)據(jù)速率)。DDR SDRAM內(nèi)存技術(shù)是從主流的PC66,PC100,PC133 SDRAM技術(shù)發(fā)展而來,這一新技術(shù)使新一代的高性能計算機系統(tǒng)成為可能,包括臺式機、工作站、服務(wù)器、便攜式,也包括新的通信產(chǎn)品,如路由器。DDR內(nèi)存目前被廣泛應(yīng)用于高性能圖形適配器。
DDR DIMMs與SDRAM DIMMs的物理元數(shù)相同,但兩側(cè)的線數(shù)不同,DDR應(yīng)用184針腳,而SDRAM則應(yīng)用168針腳,因此,DDR內(nèi)存不向后兼容SDRAM,要求專為DDR設(shè)計的主板與系統(tǒng)。DDR內(nèi)存技術(shù)是成熟的PC100和PC133SDRAM技術(shù)的革命性進步。DDR內(nèi)存芯片由半導體制造商用現(xiàn)有的晶圓片、程序及測試設(shè)備生產(chǎn),從而降低了內(nèi)存芯片的成本。
主要的技術(shù)及芯片公司,包括Intel,AMD,Via Technology,Acer Labs (Ali),Silicon Integrated Systems (SiS),nVidia,ATI,及ServerWorks都已宣布支持DDR內(nèi)存。DDR DIMM的規(guī)范由JEDEC定案。JEDEC是電子行業(yè)聯(lián)盟的半導體工業(yè)標準化組織。大約300家會員公司提交行業(yè)中每一環(huán)節(jié)的標準,通過積極合作來發(fā)展符合行業(yè)需求的標準體系。
現(xiàn)在市面上100%的主板生產(chǎn)大廠都已經(jīng)出產(chǎn)了不只一種的主板支持使用DDR內(nèi)存,雖然DDR與SDRAM在物理線數(shù)上存在著很大的分別,兩者理論上是不能共存的,可是有一些廠商為了能夠提高產(chǎn)品在市場上的存在價值和為了使產(chǎn)品的競爭力提高,也生產(chǎn)了DDR與SDRAM都能夠使用的主板。這些主板一共擁有四條內(nèi)存插槽,兩條是專供DDR內(nèi)存使用,另兩條專供SDRAM內(nèi)存使用,通過主板上的跳線系統(tǒng)更換所屬方式。雖然不能將DDR與SDRAM混合使用,但給用戶提供了兩種內(nèi)存購買的選擇。所以在購買內(nèi)存時先得分清所使用的主板是支持哪一種格式的內(nèi)存條,只要向主板提供商詢問就可以知 道了。
78.DDR內(nèi)存的特點是什么?
DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM)是由JEDEC組織制定的內(nèi)存架構(gòu),事實上它是由傳統(tǒng)的SDRAM內(nèi)存延伸出來的新技術(shù)。SDRAM內(nèi)存只是在時鐘周期的上升沿傳輸數(shù)據(jù),PC133 SDRAM 傳輸速度為133MHz,數(shù)據(jù)帶寬為1064MB/s。而DDR SDRAM內(nèi)存的數(shù)據(jù)線由于采用特殊的電路,它在時鐘的上升沿和下降沿都可以傳輸數(shù)據(jù)。同SDRAM 一樣,DDR SDRAM也是采用64位并行數(shù)據(jù)總線,因此,在133MHz的時鐘頻率下,其數(shù)據(jù)傳輸帶寬可達PC133的兩倍,為2128MB/s(133MHzx2x64b/8 =2128MB/s)。因此,從理論上說,DDR SDRAM的性能比傳統(tǒng)的SDRAM內(nèi)存提升了一倍。
從芯片的外觀就能看出DDR SDRAM和傳統(tǒng)SDRAM 由于電氣結(jié)構(gòu)和電壓的差異,DDR SDRAM是采用184針兩段式設(shè)計,金手指上只有一個缺口;而傳統(tǒng)SDRAM采用168針三段式設(shè)計,金手指上有兩個缺口。
79.DDR內(nèi)存的命名規(guī)則是什么?
就內(nèi)存稱呼而言,傳統(tǒng)的SDRAM分為PC66、PC100、PC133規(guī)格,以此推,DDR SDRAM內(nèi)存的規(guī)格名稱應(yīng)該是PC200、PC266和PC333等,但是出于市場運作的原因,JEDEC把DDR SDRAM規(guī)格名稱定為PC1600、PC2100、PC2700、PC3200等。傳統(tǒng)的稱呼是基于工作頻率,而現(xiàn)行的DDR SDRAM內(nèi)存命名是基于傳輸速率。
(1)PC1600 DDR SDRAM的工作頻率為100MHz,DDR上下沿均傳輸數(shù)據(jù),它的速度和200MHz上升沿傳輸數(shù)據(jù)的一樣,所以被稱為DDR200。因其數(shù)據(jù)傳輸率為1600MB/s,又稱為PC1600。
(2)PC2100 DDR SDRAM的工作頻率為133MHz,DDR上下沿均傳輸數(shù)據(jù),它的速度和266MHz上升沿傳輸數(shù)據(jù)的一樣,所以被稱為DDR266。因其數(shù)據(jù)傳輸率為2100MB/s,又稱為PC2100。
(3)PC2700 DDR SDRAM的工作頻率為166MHz,DDR上下沿均傳輸數(shù)據(jù),它的速度和333MHz上升沿傳輸數(shù)據(jù)的一樣,所以被稱為DDR333。因其數(shù)據(jù)傳輸率為2700MB/s,又稱為PC2700 。
(4)PC3200 DDR SDRAM的工作頻率為200MHz,DDR上下沿均傳輸數(shù)據(jù),它的速度和400MHz上升沿傳輸數(shù)據(jù)的一樣,所以被稱為DDR400。因其數(shù)據(jù)傳輸率為3200MB/s,又稱為PC3200。
Kingmax曾推出了非標準的PC2400,時鐘頻率為150MHz。現(xiàn)在市場上可以看到PC1600、PC2100、PC2700的產(chǎn)品,而PC3200目前在國內(nèi)還沒有正式批量的產(chǎn)品出現(xiàn)。
80.P4 CPU配哪個牌子的DDR內(nèi)存 較好?
就現(xiàn)在市場上的DDR內(nèi)存來說,P4 CPU所配DDR內(nèi)存應(yīng)該偏向于三星和KingStone牌子的為好。兩者都是6ns的DDR內(nèi)存,默認c1=2.5,可以穩(wěn)定打開交錯傳輸4WAY,可以穩(wěn)定地運行在166MHz下,帶寬可達2.7G/S。
81.何為快閃存儲器?
快閃存儲器(閃光記憶)是一種內(nèi)存芯片,它是一種非易失性的存儲介質(zhì),加電時才能進行存儲和擦寫。這一點明顯不同于普通內(nèi)存,普通內(nèi)存一旦失去電源供應(yīng),便會在瞬間失去所有數(shù)據(jù),而快閃存儲器必須加大電壓才能進行擦除,否則,即便沒有電源的支持,數(shù)據(jù)也會存儲在介質(zhì)之中??扉W存儲器非常適合耗電量小的設(shè)備需求,如PDA等掌上產(chǎn)品。
快閃存儲器的另一個特點就是:它是一種超大規(guī)模集成電路,不是簡單的磁介質(zhì)或者光學存儲器。這決定了它能夠在很小的空間內(nèi)存儲大量的信息,即它的信息密度很高,體積非常小。通常用戶能夠看到的4MB、8MB的產(chǎn)品,往往只有信用卡那么大,而且僅有幾毫米厚。
除上述優(yōu)點之外,快閃存儲器的堅固性較強。以KingMax快閃存為例,它能夠承受高達2000GB的過載沖擊。這種耐高溫的堅固結(jié)構(gòu)(適用環(huán)境通常是45℃~85℃,大大高于硬盤的安全使用溫度)使得閃存卡非常適合攜帶,無論是戶外數(shù)據(jù)采集還是惡劣氣候工作,甚至是野戰(zhàn)環(huán)境,它都能高效而安全地完成數(shù)據(jù)存儲。
PDA、MP3隨身聽和掌上電腦、數(shù)碼相機都是快閃存儲器主要的應(yīng)用產(chǎn)品。
82.如何選擇DDR內(nèi)存CAS參數(shù)?
內(nèi)存有個CAS(Column Address Strobe,列地址選通脈沖)延遲時間,內(nèi)存在存儲信息時就像一個大表格一樣,通過行(Column)和列(Row)來為所有存儲在內(nèi)存里的信息定位,CL即指要多少個時鐘周期后才能找到相應(yīng)的位置。對于SDRAM而言,一般有2和3兩上值選擇,而按照內(nèi)存的CAS等待時間劃分,DDR內(nèi)存可分為2和2.5兩種,一般定義是:CAS2/PC2100稱為“DDR-266A”,CAS2.5/PC2100稱為“DDR-266B”;以此類推,CAS2/PC1600稱為“DDR-200A”,CAS2.5/PC1600稱為“DDR- 200B”……。CAS值越小越好,也就是說DDR內(nèi)存值為2的產(chǎn)品性能要好于2.5的產(chǎn)品,如果用戶需要的是CAS值為2的產(chǎn)品,那么在選擇時要注意有些非法廠商用2.5的產(chǎn)品當作2的產(chǎn)品來賣給用戶。
83.PC服務(wù)器內(nèi)存與PC內(nèi)存有何 區(qū)別?
在購機時,用戶常常會發(fā)現(xiàn)PC服務(wù)器所用的內(nèi)存和一般PC機用的內(nèi)存之間存有著巨大的價格差異,主要區(qū)別表現(xiàn)在:
(1)ECC
ECC內(nèi)存即糾錯內(nèi)存。簡單地說,它具有發(fā)現(xiàn)錯誤、糾正錯誤的功能,一般多應(yīng)用在高檔臺式機/服務(wù)器及圖形工作站上,可使計算機系統(tǒng)在工作時更趨于安全穩(wěn)定。很多人把帶校驗的內(nèi)存誤稱為ECC內(nèi)存,這是不對的,校驗功能只相當于發(fā)現(xiàn)錯誤,而服務(wù)器上的ECC內(nèi)存不但有發(fā)現(xiàn)錯誤的功能,同時也能糾正錯誤。
(2)記錄
記錄即寄存器或目錄寄存器,在內(nèi)存上的作用相當于書的目錄。有了它,當內(nèi)存接到讀寫指令時,會先檢索此目錄,然后再進行讀寫操作,這將大大提高服務(wù)器內(nèi)存的工作效率。帶有記錄的內(nèi)存一定帶緩沖器,并且目前能見到的記錄內(nèi)存也都具有ECC功能,主要應(yīng)用在中高端服務(wù)器及圖形工作站上。(3)緩沖器和Unbuffer
緩沖器即緩存器,也可理解成高速緩存,在服務(wù)器及圖形工作站所有內(nèi)存中有較多應(yīng)用,容量多為64KB,隨著內(nèi)存容量的不斷增大,容量也不斷增加,具有Buffer的內(nèi)存對于系統(tǒng)的讀寫速度有較大的提高;Unbuffer表示不具有高速緩存。有Buffer的內(nèi)存幾乎都帶有ECC功能,Unbuffer內(nèi)存只有少數(shù)帶ECC功能。
84.計算機配置的內(nèi)存是不是越大 越好?
計算機配置的內(nèi)存是不是越大越好呢?答案是根據(jù)用戶要用計算機來做些什么工作而定。即取決于用戶會運行一些什么樣的軟件,也就是用戶的計算機要處理的數(shù)據(jù)量的多少。內(nèi)存好比是一個倉庫,這個倉庫的大小要由用戶有多少貨物來決定:太小了貨物放不下或者放得雜亂無章會影響CPU的運算速度,使用戶花很長的時間去等待;但太大了,又會造成大部分倉庫空著,白白浪費了資源。運行的軟件一定時,內(nèi)存的增加對系統(tǒng)運行速度的提高是有一個限度的。當內(nèi)存達到某一數(shù)目后,再加大內(nèi)存,系統(tǒng)運行的速度就幾乎不會再提高了,這是因為再增加的內(nèi)存,系統(tǒng)根本用不上。所以,內(nèi)存的大小應(yīng)該視需要而定,比如把計算機用于文字處理工作,那16MB就差不 多了,而若要用來玩游戲,64MB都可能遠遠不夠,128 MB也不大。
85.品牌內(nèi)存和普通內(nèi)存之間的差別在哪里?
市場上口碑和質(zhì)量比較好的Kingston、現(xiàn)代、Kingmax、三星等幾家老牌內(nèi)存廠商生產(chǎn)的內(nèi)存,它們的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個方面:
(1)內(nèi)存的做工
品牌內(nèi)存一般采用6層PCB板,具有完整的電源層和布線層;而普通內(nèi)存多為4層PCB板,在穩(wěn)定性上就有很大差距。
(2)內(nèi)存封裝技術(shù)
普通內(nèi)存采用TOSP封裝技術(shù),這已經(jīng)不太適合支持高頻高速芯片;而有些品牌內(nèi)存,比如Kingmax內(nèi)存采用的是TinyBGA封裝技術(shù),該技術(shù)比TOSPII已經(jīng)有了較大的提高,從面積和電氣性能上都是目前幾種技術(shù)中較好的。在這方面品牌內(nèi)存條做得要比那些雜牌內(nèi)存條好許多。
(3)內(nèi)存速度
雖然標稱值同為133MHz,但普通內(nèi)存大都只能工作在CAS=3的狀態(tài)下支持133MHz,而一般的品牌內(nèi)存在CAS=2的情況下便可以運行到133MHz,仍能保持穩(wěn)定。在系統(tǒng)運行時,CAS=2的狀態(tài)對整體性能提升可以起到很大的幫助作用。目前DDR400將DDR內(nèi)存的有效工作頻率提升到400MHz(物理工作頻率為200MHz),位寬仍然為64b,DDR400 的理論內(nèi)存帶寬已經(jīng)達到3.2GB/s,足以與稱霸Pentium 4平臺的 PC800規(guī)格的RDRAM所能提供的帶寬相抗衡,但是隨著i850E芯片組發(fā)布PC 1066 RDRAM,又拉開了與DDR400內(nèi)存的差距。DDR400和其他DDR內(nèi)存非常相似,除頻率不同,工作方式、針腳定義、工作電壓都完全一樣。而在生產(chǎn)工藝方面則基本與DDR333一樣,都需要非常先進的封裝技術(shù)和更為精細的制造工藝。所以說,這種封裝技術(shù)和制造工藝是品牌內(nèi)存的最大優(yōu)勢。
(4)內(nèi)存SPD值
內(nèi)存在SPD芯片上保存信息使主板可以在開機自檢時讀取,并為內(nèi)存設(shè)置最優(yōu)化的工作方式??墒谴蠖鄶?shù)普通內(nèi)存為了在兼容性上盡量少出麻煩,基本上都舍棄了該工藝,而且也可以省下這一步驟來節(jié)約成本。一般來說品牌內(nèi)存都沒有忽略SPD設(shè)置,因此品牌內(nèi)存要比普通內(nèi)存的性能高出許多。事實上,內(nèi)存芯片上的每一步工藝都是提升整體性能的很重要的保證,所謂的省去某個工藝,則很大程度上降低了內(nèi)存的綜合性能表現(xiàn)。
(5)內(nèi)存的售后服務(wù)
雖然現(xiàn)在的內(nèi)存很便宜了,但畢竟不是幾塊錢的東西,如果買完以后出了什么問題該怎么辦?一般普通現(xiàn)代內(nèi)存的售后服務(wù)做的就不是很好,因為現(xiàn)代內(nèi)存在市場上有很多流通方式,并不是所有現(xiàn)代內(nèi)存條都可以做得到保修,這就使得很多經(jīng)銷商在發(fā)生問題的時候互相推諉,最終受損失的只有是消費者自己了。相比之下,品牌內(nèi)存的售后服務(wù)還是很有保證的,用戶盡可以放心地使用。
86.計算機對系統(tǒng)內(nèi)存的基本要求是 什么?
計算機內(nèi)的存儲器按其用途可分為主存儲器(簡稱主存)和輔助存儲器(簡稱輔存)。主存儲器又稱內(nèi)存儲器,簡稱內(nèi)存;輔助存儲器,簡稱外存。
內(nèi)存實質(zhì)上是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸入/輸出和數(shù)據(jù)存儲功能的集成電路。內(nèi)存按存儲信息的功能可分為只讀存儲器、可改寫的只讀存儲器EPROM和隨機存儲器。這里所說的內(nèi)存,其主要作用是存放各種輸入、輸出數(shù)據(jù)和中間計算結(jié)果,以及與外部存儲器交換信息時作緩沖作用。由于CPU只能直接處理內(nèi)存中的數(shù)據(jù),所以內(nèi)存的速度和大小對計算機性能的影響是相當大的。
在實際使用中,首先系統(tǒng)內(nèi)存的速度必須不小于系統(tǒng)總線即CPU外頻的速度,否則輕則計算機工作不穩(wěn)定,重則根本無法啟動。正是由于內(nèi)存的速度相對于CPU來說太慢,所以內(nèi)存廠商都在努力推出速度更快的新產(chǎn)品。目前最被看好的是RDRAM和DDR,前者速度很快且得到了Intel大力支持,配合P4的i850芯片組就支持RDRAM,但價格太高;后者相對便宜,性能比RDRAM稍差。其次系統(tǒng)內(nèi)存容量要盡可能的大。一旦內(nèi)存數(shù)量太少,Windows系統(tǒng)就會使用速度比內(nèi)存還要慢上一個數(shù)量級的硬盤做虛擬內(nèi)存,這將會使系統(tǒng)的整體速度大大降低,所以內(nèi)存一般都應(yīng)該配置128MB以上。
87.從哪些方面認識內(nèi)存條?
(1)內(nèi)存條組成
內(nèi)存條由動態(tài)存儲器芯片DRAM組成,目前市場上有SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM三種內(nèi)存條,它們的工作方式不同,互相不能兼容,技術(shù)性能各有特點,但是外觀形狀大同小異。以SDRAM內(nèi)存條為例,它們由印刷電路板(PCB)、內(nèi)存顆粒芯片、內(nèi)存序列存儲芯片(SPD)、貼片電阻、貼片電容、金手指等組成。按照內(nèi)存顆粒芯片它們被分為SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等;按照內(nèi)存工作頻率分為PC100、PC133、PC150、PC200、PC266、PC600、PC800等;按照存儲容量分為64MB、128MB、256MB、512MB等;按照金手指線數(shù)分為168線、184線、232線等;按照內(nèi)存條插座類型分為DIMM、RIMM等。
(2)內(nèi)存顆粒芯片
大部分內(nèi)存條在單面上都有8顆內(nèi)存芯片,它們都是用于存儲數(shù)據(jù)的。
內(nèi)存顆粒芯片雖然設(shè)計簡單,但是制造精度要求非常高,線路寬度目前已經(jīng)達到了0.13μm。在512MB的內(nèi)存條上,每個內(nèi)存顆粒芯片內(nèi)部都集成了2.56億個晶體管,而2GHz的P4CPU則集成了0.55億個晶體管。
(3)SPD內(nèi)存序列存儲芯片
SPD 一般在內(nèi)存條正面的右側(cè),它記錄了內(nèi)存的速度、容量、電壓、行、列地址、帶寬等參數(shù)。內(nèi)存參數(shù)由SPD控制,可以在氧化物半導體參數(shù)設(shè)置里進行設(shè)置,開機時基本輸入/輸出系統(tǒng)將自動讀取SPD中的信息,這樣就可以最大限度地發(fā)揮內(nèi)存性能,又可以避免出現(xiàn)死機或致命錯誤等 現(xiàn)象。
(4)內(nèi)存條金手指與插座
內(nèi)存條引腳是鍍金的信號線,又稱為“金手指”。鍍金的厚度與內(nèi)存條的質(zhì)量有關(guān),一般鍍層厚度為0.4μm ~1.3μm,往往在金中加入少量鈷或鎳,以增加鍍金的硬度。根據(jù)測試,0.4μm的鍍金層插拔200次就會磨穿鍍層,而1.3μm的鍍金層則可以插拔2000次。鍍金層的目的是保證內(nèi)存條與內(nèi)存插座接觸良好,以防插腳氧化,減少信號之間的干擾。
目前使用的內(nèi)存條插座有168線、184線、232線幾種,所謂多少“線”是指內(nèi)存條金手指上信號線的多少。
88.衡量內(nèi)存條技術(shù)的主要指標是 什么?
衡量內(nèi)存條技術(shù)的一個重要指標是DRAM芯片的存取時間,通常用納秒(ns)表示,數(shù)值越小,速度越快。因此內(nèi)存條產(chǎn)品的更新往往是通過其芯片技術(shù)的革新來縮短存取時間和提高內(nèi)存訪問周期效率的。FP DRAM(快頁模式)與EDO DRAM占據(jù)原PC內(nèi)存條的大部分市場,但隨著計算機進入奔騰時代,SDRAM已作為內(nèi)存條最新技術(shù)要求取代了前兩者在新型號計算機上的位置。SDRAM即同步DRAM,也就是同CPU定時同步的DRAM技術(shù),它可以高達100MHz的速度傳遞數(shù)據(jù),是標準DRAM的4倍,其性能也比EDO內(nèi)存條提高30%。隨著計算機科技的發(fā)展,SDRAM將成為內(nèi)存條上的主要產(chǎn)品,以適應(yīng)如多媒體、服務(wù)器、數(shù)字、ATM轉(zhuǎn)換器與其他需要高帶寬與快速傳輸率的網(wǎng)絡(luò)化、通信軟件的需求。
在內(nèi)存條模塊生產(chǎn)技術(shù)上,新型的168線DIMM內(nèi)存條模塊成為新時期內(nèi)存條的主流。DIMM在線模塊與SIMM在線模塊有很大區(qū)別,其中168線64位DIMM模塊在長度增加不多的情況下將模塊的總線寬度增加一倍。
89.廣泛使用的168線SDRAM內(nèi)存條由幾部分組成?
現(xiàn)在普通PC機上廣泛使用的是168線SDRAM內(nèi)存條,主要由PCB印刷電路板、內(nèi)存顆粒、SPD芯片和引腳幾個部分組成。
(1)FCB印刷電路板
FCB印刷電路板是構(gòu)成內(nèi)存條的基礎(chǔ),長條形的外觀也是內(nèi)存被稱為內(nèi)存“條”的直接原因。作為連接內(nèi)存顆粒的物質(zhì)載體,PCB板的質(zhì)量直接影響到內(nèi)存的穩(wěn)定性。
(2)內(nèi)存顆粒
內(nèi)存顆粒是內(nèi)存條的核心?,F(xiàn)在市面上流行的大容量內(nèi)存條,普遍是每一面有8顆內(nèi)存顆粒,和內(nèi)存條的長方向垂直,直接焊接在PCB板上。內(nèi)存條是單面還是雙面,決定了一根內(nèi)存條上的內(nèi)存顆??倲?shù)是8顆還是16顆。有的內(nèi)存條上一面就有9顆內(nèi)存顆粒,多出來的一顆是用來做ECC奇偶校驗的,這樣的內(nèi)存條也就叫ECC內(nèi)存條。(3)SPD芯片
SPD內(nèi)存條上的一個小的芯片里面記錄了內(nèi)存工作的最基本的參數(shù),主板啟動對內(nèi)存進行檢查時可以根據(jù)其中的信息調(diào)整內(nèi)存的讀寫等待時間等工作狀態(tài)。SPD芯片通常在PC100或更高速度的內(nèi)存上才能看到。
(4)引腳
內(nèi)存條下面的引腳是內(nèi)存和外部進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)慕涌凇?nèi)存和插槽兩者之間的接觸是否良好,對內(nèi)存能否穩(wěn)定工作起著很大的作用,所以較新的內(nèi)存條通常使用了和顯卡相同的“金手指”技術(shù)來保證兩者之間良好的接觸。
引腳的數(shù)目即通常所說的“線”數(shù)。引腳的數(shù)目是由內(nèi)存的接口決定的。內(nèi)存的常用接口有SIMM和DIMM兩種。SIMM是單一的在線記憶Medule 的縮寫,即單邊接觸內(nèi)存模組,是586及其較早的PC機中常用的內(nèi)存接口方式。在586時代,PC機的內(nèi)存大多采用72針的SIMM接口,或者是與DIMM接口類型并存。DIMM是雙的成一直線記憶Medule的簡稱,即雙邊接觸內(nèi)存模組。這種類型接口內(nèi)存條的兩邊都有引腳,通常為84針,所以一共有82×2=168線接觸,故而我們把這種內(nèi)存稱為168線內(nèi)存,而把72線的SIMM類型的內(nèi)存模組直接稱為72線內(nèi)存。
90.內(nèi)存條的CAS是什么意義?
CAS等待時間的定義是:一個讀命令在時鐘上升沿發(fā)出數(shù)據(jù)到輸出端可以提供的時延。這個值一般設(shè)為2或3個時鐘周期。在同等工作頻率下,內(nèi)存條CAS為2時要比為3時的速度快。一般意義上講,CAS等待時間決定了SDRAM內(nèi)存條的性能,并對系統(tǒng)工作速度有很大影響。
91.內(nèi)存條上SPD的作用是什么?
SPD是位于FCB(印刷電路板)上的一個約4mm見方的小芯片,由一塊EEPROM組成,是一塊8針的256B的電可擦可編程只讀存儲器芯片。同一些聲卡、顯卡所帶的基本輸入/輸出系統(tǒng)一樣,SPD包含了硬件的一些技術(shù)指標,比如內(nèi)存的類別、容量、工作頻率、速度和電壓等,一般符合PC100的內(nèi)存條都帶有SPD。同時它也負責自動調(diào)整主板上的內(nèi)存條速度。如果主板支持SPD,那么開機后就可以在基本輸入/輸出系統(tǒng)的DRAM設(shè)定時看到有關(guān)SPD設(shè)置。當設(shè)為自動時,一些相關(guān)設(shè)置(包括CAS等待時間)就會由SPD來設(shè)定。選用了帶有SPD的SDRAM,用戶無需通過主板的基本輸入/輸出系統(tǒng)進行手工設(shè)定。不過建議不使用SPD進行設(shè)定,因為個別廠商為了降低內(nèi)存條的生產(chǎn)成本,根本不裝SPD ,或焊上一片空的SPD。而這有可能導致100MHz以上外頻不能正常工作,降頻使用則會造成浪費。這對于喜歡超頻的用戶,只要可超性好,SPD中的數(shù)據(jù)并不重要。值得注意的是,有個別廠商的主板一定要基本輸入/輸出系統(tǒng)檢測到SPD中的數(shù)據(jù)才能工作,對此選購時要留意。
92.DDR與SDRAM內(nèi)存條主要差異是什么?
(1) 從外形上看,普通的SDRAM內(nèi)存條和DDR 2面)個接觸點,因而這種內(nèi)存又被稱為168線內(nèi)存;而新標準的DDR?SDRAM內(nèi)存條幾乎沒有什么區(qū)別,但仔細觀察還是可以發(fā)現(xiàn)一些不同之處。常說的SDRAM即DIMM內(nèi)存,它共有168(84 SDRAM則具有184個接觸點。
(2)SDRAM的金手指處有兩個缺口,而DDR SDRAM只有一個缺口,這是辨別SDRAM和DDR SDRAM最簡單有效的辦法。
(3)從電氣指標上SDRAM和DDR SDRAM也不兼容。SDRAM是3.3V電壓的內(nèi)存,而DDR SDRAM需要更低的2.5V電壓,并且DDR SDRAM對供電的要求也更嚴格。另外,因為DDR SDRAM 在工作時鐘的上升沿和下降沿都可以傳輸數(shù)據(jù),因此它的性能等同于兩倍(266MHz)的普通SDRAM。如果用戶的主板支持DDR內(nèi)存(有一些老主板不支持DDR內(nèi)存),建議購買DDR內(nèi)存。
93.內(nèi)存條的版本和規(guī)格不同會產(chǎn)生什么問題?
如果原來使用的是128MB Kingmax DDR266 內(nèi)存,后來又添加了一條128MB的Kingmax DDR333內(nèi)存,往往導致計算機死機,如果單插一條內(nèi)存的話就不會出現(xiàn)死機現(xiàn)象。這是由于雖然用戶使用的都是Kingmax的內(nèi)存,如果版本和規(guī)格不相同,對于一些較為挑剔的主板就有可能出現(xiàn)不兼容的情況,所以要盡量使用相同品牌、規(guī)格和版本的內(nèi)存。
94.內(nèi)存條混插應(yīng)遵循什么原則?
所謂內(nèi)存條混插,即指將同一品牌不同版本和規(guī)格(主要是PC100和PC133兩種)的內(nèi)存,或不同品牌的內(nèi)存在一臺計算機中混合使用。內(nèi)存條混插雖然可以節(jié)省內(nèi)存投資,但系統(tǒng)出問題的可能性卻增大了。為了更好地保證內(nèi)存混插的成功性和系統(tǒng)穩(wěn)定性,一般情況下都將低規(guī)范、低標準的內(nèi)存插入第一根內(nèi)存插槽(即DIMM1)中,95.在同一臺計算機里內(nèi)存條能否 混插?
如果同是SDRAM內(nèi)存條一般可以混合使用,但前提條件是必須執(zhí)行它們之間共同相符合的電氣特性。否則有時候會造成系統(tǒng)不穩(wěn)定或無法使用,尤其是內(nèi)存電氣特性差異越大問題就越嚴重。這類問題如果電氣特性差異不大,可以改BIOS中有關(guān)內(nèi)存的參數(shù)解決,但多少會降低性能。例如,內(nèi)存顆粒的CL=2與CL=3的內(nèi)存條混插時,必須進入BIOS,將CL的值設(shè)為3。如果是ECC與沒有ECC的內(nèi)存混插時,應(yīng)進入BIOS將“ECC/Parity”的項目關(guān)閉。如果是PC133與PC100內(nèi)存混插時,最好使用PC100標準,而且還要將“SDRAM CAL Latency”的值也設(shè)為PC100相對應(yīng)的值。
另外,有些主板上可能EDO、SDRAM兩種內(nèi)存插槽同時存在,并不說明這兩種內(nèi)存條就可以混插,這要看主板的設(shè)計,在多數(shù)情況下不建議用戶混插內(nèi)存條。
96.DDR和SDRAM內(nèi)存能不能同時 混插?
不少的主板都同時帶有DDR和SDRAM插槽,但DDR與SDRAM絕不能混插。因為它們的電壓和接口是不一樣的,DDR使用的是2.5V電壓,SDRAM使用的是3.3V電壓,其處理數(shù)據(jù)流的方式也各不相同,所以DDR和SDRAM內(nèi)存是不能同時使用的。
97.DDR266與DDR333內(nèi)存條是否可以混插?
如果DDR266與DDR333同是DDR內(nèi)存條一般可以混合使用,但前提條件必須執(zhí)行它們之間共同符合的電氣特性,否則有時會造成基本輸入/輸出系統(tǒng)誤檢測,并可能造成讀取的資料發(fā)生錯誤造成系統(tǒng)不穩(wěn)定或無法開機。尤其當內(nèi)存電氣特性差異不大時,可以通過修改主板基本輸入/輸出系統(tǒng)中有關(guān)內(nèi)存的參數(shù)來解決,但多少會降低一些性能。例如:CL=2與CL=2.5的內(nèi)存混插時,要將CL的值設(shè)為2.5 。如果是有ECC與沒有ECC內(nèi)存混插時,應(yīng)進入基本輸入/輸出系統(tǒng)將“ECC/奇偶”的項目關(guān)閉。如果是DDR266與DDR333內(nèi)存混插時,則應(yīng)使用DDR266標準。
98.內(nèi)存混插應(yīng)注意哪些事項?
(1)不可將不同類型的內(nèi)存混插
一般來說,不同類型內(nèi)存工作電壓存在較大的差異,而這個值遠遠高于內(nèi)存本身的承受能力,并且不同類型的內(nèi)存電氣接口也大不相同,所以不可將不同類型的內(nèi)存進行混插。即使主板上提供了兩種或兩種以上不同類型的內(nèi)存插槽,除非主板擁有特殊設(shè)置項,如將不同類型的內(nèi)存混插,由于電壓等多種因素,可能會縮短內(nèi)存的使用壽命,甚至導致內(nèi)存的燒毀。
(2)不可將同類型,但不同電壓的內(nèi)存進行 混插
即使同一種型號的內(nèi)存,其電壓也有不同,如SDRAM就有3.5V、3.3V之分。如果將兩種不同電壓的內(nèi)存混插,不僅會造成計算機不穩(wěn)定現(xiàn)象的出現(xiàn),而且會加速低電壓內(nèi)存的老化甚至是燒毀。
(3)注意芯片組支持的Bank數(shù)目
任何主板芯片組都對DIMM內(nèi)存插槽(或其他形式的內(nèi)存插槽)所支持的Bank數(shù)進行了限制。這也就是同時使用多根雙面內(nèi)存,且將所有內(nèi)存插槽插滿(而內(nèi)存總?cè)萘坎]有達到芯片組所支持的內(nèi)存上限)時,計算機無法識別內(nèi)存總?cè)萘?,甚至是無法啟動的一個重要原因。一般來說,在進行內(nèi)存混插時,如果出現(xiàn)內(nèi)存插槽插滿的情況,其中一根至少應(yīng)該是單面內(nèi)存條。
99.72線和168線內(nèi)存條能否共存?
在早期的計算機主板上,有些同時提供有SIMM和DIMM內(nèi)存插槽,廠商針對混插168線及72線的內(nèi)存條設(shè)計了穩(wěn)壓功能,有些是可以混合使用的,具體使用時要查看主板說明書。
100.兩條128MB內(nèi)存和一條256MB內(nèi)存相比哪種使用方法更好?
一般來說,一條256MB內(nèi)存更好一些。因為,在理論上兩條128MB內(nèi)存需要占用兩個內(nèi)存插槽,這樣會對日后的升級帶來一定的影響。另外,如果兩條內(nèi)存的品牌或芯片型號不同,它們之間可能會存在不同步或兼容性的問題,但是兩條內(nèi)存一起壞掉的幾率比一條內(nèi)存壞掉的幾率小很多,有人為了保險也會使用兩條品牌、頻率、規(guī)格一樣的內(nèi)存。
101.怎樣辨識內(nèi)存條的容量?
通過查驗內(nèi)存顆粒的型號可以計算出內(nèi)存的容量。雖然目前生產(chǎn)內(nèi)存條的廠商有許多,但能生產(chǎn)內(nèi)存顆粒、并且能夠占領(lǐng)市場的廠家相對來說就不多了,國內(nèi)市場上主流內(nèi)存條所有的內(nèi)存顆粒主要是由一些國際性的大廠所生產(chǎn)。
下面就以幾個大廠的內(nèi)存顆粒編碼規(guī)則為例來說明內(nèi)存容量的辨識方法。
(1)三星內(nèi)存顆粒
由于目前使用三星的內(nèi)存顆粒來生產(chǎn)內(nèi)存條的廠家非常多,使得其在市場上有很高的占有率。又由于其產(chǎn)品線龐大,使得其命名規(guī)則非常復雜。三星內(nèi)存顆粒的型號是采用一個16位數(shù)編碼命名的。其中,用戶更關(guān)心的是內(nèi)存容量和工作速率的識別。
編碼規(guī)則:K4XXXXXXXX-XXXXX
主要含義:
第1位——芯片功能K。代表內(nèi)存芯片。
第2位——芯片類型4。代表DRAM。
第3位——芯片更進一步的類型說明。S代表SDRAM、H代表DDR、G代表 SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率。容量相同的內(nèi)存采用不同的刷新率,也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mb的容量;28、27、2A代表128Mb的容量;56、55、57、5A代表256Mb的容量;51代表512Mb的容量。
第6、7位——數(shù)據(jù)線引腳個數(shù)。08代表8位數(shù)據(jù);16代表16位數(shù)據(jù);32代表32位數(shù)據(jù);64代表64位數(shù)據(jù)。
第11位——連線”-”。
第14、15位——芯片的速率。如60為6ns;70為7ns;7B為7.5ns(CL=3);7C為7.5ns(CL=2);80為8ns;10為10ns(66MHz)。
知道了內(nèi)存顆粒編碼主要數(shù)位的含義,拿到一個內(nèi)存條后就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR內(nèi)存,使用18片SAMSUNG K4280838B-TCBO顆粒封裝。顆粒編號第4、5位“28”代表該顆粒是128Mb,第6、7位代表是8位數(shù)據(jù)帶寬,這樣就可以計算出該內(nèi)存條的容量是,128Mb(兆數(shù)位)×16/8b=256MB(兆字節(jié))。
注:“b”為“數(shù)位”,“B”即字節(jié)“byte”,一個字節(jié)為8位則計算除以8。關(guān)于內(nèi)存容量的計算有兩種情況:一種是非ECC內(nèi)存,每8片8位數(shù)據(jù)寬度的顆粒就可以組成一條內(nèi)存;另一種ECC內(nèi)存,在每64位數(shù)據(jù)之后,還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼,可以檢測出內(nèi)存數(shù)據(jù)中的兩位錯誤,糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中,不計算校驗位,具有ECC功能的18片顆粒的內(nèi)存條實際容量按16乘。在購買時也可以據(jù)此判定18片或者9片內(nèi)存顆粒貼片的內(nèi)存條是否為ECC內(nèi)存。
(2)Micron內(nèi)存顆粒
Micron(美光)內(nèi)存顆粒的容量辨識相對于三星來說簡單許多,下面就以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內(nèi)存的編碼規(guī)則。
主要含義:
MT——Micron的廠商名稱。
48——內(nèi)存的類型。48代表SDRAM;46代表DDR。
LC——供電電壓。LC代表3V;C代表5V;V代表2.5V。
16M8——內(nèi)存顆粒容量為128Mb。計算方法是:16M(地址)×8位數(shù)據(jù)寬度。
A2——內(nèi)存內(nèi)核版本號。
TG——封裝方式。TG即TSOP封裝。
-75——內(nèi)存工作速率。-75即133MHz;–65即150MHz。
例如:一條Micron DDR內(nèi)存條,編號為MT46V32M4-75的顆粒制造。該內(nèi)存支持ECC功能,所以每個Bank是奇數(shù)片內(nèi)存顆粒。
其容量計算為:容量32M×4b×16片/8=256MB(兆字節(jié))。
(3)西門子內(nèi)存顆粒
目前國內(nèi)市場上的子公司Infineon生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒只有兩種容量:容量為128MB的內(nèi)存顆粒和容量為256MB的顆粒。編號中詳細列出了其內(nèi)存的容量、數(shù)據(jù)寬度。Infineon的內(nèi)存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成,所以其內(nèi)存顆粒型號比較少,辨別也是比較容易的。
HYB39S128400即128MB/4b。“128”標識的是該顆粒的容量,后三位標識的是內(nèi)存數(shù)據(jù)寬度,其他也是如此,如HYB39S128800即128MB/8b;HYB39S128160即128MB/16b;HYB39S256800即256MB/8b。
Infineon內(nèi)存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最后加一短線,然后標上工作速率。
-7.5——表示該內(nèi)存的工作頻率是133MHz。
-8——表示該內(nèi)存的工作頻率是100MHz。
例如:
1條Kingston的內(nèi)存條,采用16片Infineon 的HYB39S128400-7.5內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計算為:128Mb(兆數(shù)位)×16片/8=256MB(兆字節(jié))。
1條Ramaxel的內(nèi)存條,采用8片Infineon 的HYB39S128800-7.5內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計算為:128Mb(兆數(shù)位)×8片/8=128MB(兆字節(jié))。
(4)Kingmax內(nèi)存顆粒
Kingmax內(nèi)存都是醇用TingBGA 封裝(Ting ball grid array),并且該封裝模式是專利產(chǎn)品,所以可看到采用Kingmax顆粒制作的內(nèi)存條全是該廠自己生產(chǎn)。Kingmax內(nèi)存顆粒有兩種容量:64MB和128MB。在此可以將每種容量系列的內(nèi)存顆粒型號列表出來。
容量備注:
KSVA44T4AOA——64MB,16M地址空間×4位數(shù)據(jù)寬度;
KSV884T4AOA——64MB,8M地址空間×8位數(shù)據(jù)寬度;
KSV244T4XXX——128MB,32M地址空間×4位數(shù)據(jù)寬度;
KSV684T4XXX——128MB,16M地址空間×8位數(shù)據(jù)寬度;
KSV864T4XXX——128MB,8M地址空間×16位數(shù)據(jù)寬度。
Kingmax內(nèi)存的工作速率有四種狀態(tài),在型號后用短線符號隔開標識內(nèi)存的工作速率:
-7A-----PC133/CL=2;
-7-------PC133/CL=3;
-8A-----PC100/ CL=2;
-8-------PC100 /CL=3。
例如:一條Kingmax內(nèi)存條,采用16片KSV884T4AOA-7A的內(nèi)存顆粒制造,其容量計算為:64Mb(兆數(shù)位)×16片/8=128MB(兆字節(jié))。
102.判別內(nèi)存條的優(yōu)劣有哪些方法?
要判別內(nèi)存條的優(yōu)劣可以按照以下三種方法:
(1)看品牌
和其他產(chǎn)品一樣,內(nèi)存芯片也有品牌的區(qū)別,不同品牌的芯片質(zhì)量自然也是不同。一般來說,一些久負盛名的內(nèi)存芯片在出廠的時候都會經(jīng)過嚴格的檢測,而且在對一些內(nèi)存標準的解釋上也會有所不同。另外一些名牌廠商的產(chǎn)品通常會給最大時鐘頻率留有一定的寬裕空間,所以有的人說超頻是檢驗內(nèi)存好壞的一種方法也不無道理。
(2)看類型
現(xiàn)在的DDR內(nèi)存已經(jīng)不像當初的SDRAM那樣可以將EDO RAM內(nèi)存芯片REMARK成DSRAM。DDR內(nèi)存條有184針,而且DDR比SDRAM在PCB板上是多了一個缺口的,即它有兩個缺口而SDRAM只有一個。
(3)看印刷電路板PCB
內(nèi)存條由內(nèi)存芯片和PCB組成。PCB對內(nèi)存性能有著很大的影響。決定PCB好壞的有幾個因素,首先是板材,一般來說,如果內(nèi)存條使用四層板,其在工作過程中由于信號干擾所產(chǎn)生的雜波就會很大,有時會產(chǎn)生不穩(wěn)定的現(xiàn)象,而使用六層板設(shè)計的內(nèi)存條相應(yīng)的干擾就會小得多。當然,并不是所有的東西都是肉眼能觀察到的,比如內(nèi)部布線等只能通過試用才能發(fā)覺其好壞,但還是能看出一些端倪:比如好的內(nèi)存條表面有比較強的金屬光潔度,色澤也比較均勻,部件焊接也比較整齊劃一,沒有錯位;金手指部分比較光亮,沒有發(fā)白或者發(fā)黑的現(xiàn)象。
103.辨認偽劣內(nèi)存條應(yīng)掌握哪些要點?
辨認偽劣內(nèi)存條應(yīng)掌握以下要點:
(1)備注芯片
所謂備注即打磨芯片上的產(chǎn)品標識。使低速產(chǎn)品高速運行,頻率一高,自然能辨出其優(yōu)劣。現(xiàn)在很多不法加工商,他們造假的水平很高,很難用肉眼辨出真假,但是可以讓這種產(chǎn)品跑在標稱的頻率之上,劣質(zhì)的內(nèi)存是經(jīng)不起這種考驗的。
備注芯片是不法商人作假最常見的手法,這些芯片都是一些不法廠商從原廠購買的等外品,而這些產(chǎn)品經(jīng)過測試,仍然有一些可以達到技術(shù)要求,于是他們把這些內(nèi)存芯片隨便印上一個品牌或者仿冒大廠的品牌做成內(nèi)存條來出售,以獲取暴利。
(2)非標準補位產(chǎn)品
標準的64MBSDRAM內(nèi)存條都是采用8片8MB內(nèi)存芯片焊裝而成的,而補位的64MB內(nèi)存條采用12片或者16片內(nèi)存條焊裝而成,這種內(nèi)存的成本很低,所以利潤比較高。用戶以后購買64MB內(nèi)存條的時候,一定要注意這種內(nèi)存條是否為8片內(nèi)存芯片,如果是12片或者16片的一定是補位條了。這種內(nèi)存在PC66的情況下尚能使用,但在PC100的情況下,就會出現(xiàn)藍屏或者死機的情況。
(3)假SPD
SPD一般記載著內(nèi)存條的性能數(shù)據(jù),比如速度、CL數(shù)值等。當計算機開機的時候,基本輸入/輸出系統(tǒng)會自動調(diào)用這些數(shù)據(jù),有的內(nèi)存廠商為了降低成本,將一個假的SPD芯片焊在內(nèi)存條上,實際上在開機的時候,基本輸入/輸出系統(tǒng)讀取不到任何有關(guān)內(nèi)存性能的數(shù)據(jù),這就會造成系統(tǒng)性能下降。
(4)制作工藝粗糙
劣質(zhì)內(nèi)存條不僅印刷電路板的薄厚各不相同,而且做工粗糙,邊緣不整齊,有時還帶有毛剌,芯片的焊點和印刷字樣特別模糊、粗糙。購買者一旦發(fā)現(xiàn)內(nèi)存條是由不同型號(或不同廠商、不同速度、不同日期)芯片的組合而成,那么它必定是劣質(zhì)產(chǎn)品。
(5)價格便宜
價格是偽劣產(chǎn)品的惟一竟爭優(yōu)勢,在購買的時候,千萬不要圖便宜。
104.怎樣通過查看內(nèi)存條缺口識內(nèi)存?
內(nèi)存是計算機中一個重要的部件,它是通過內(nèi)存插槽與主板相連接的。目前最常用的內(nèi)存為SDRAM內(nèi)存、DDR DRAM內(nèi)存和Rambus內(nèi)存,它們的外形和結(jié)構(gòu)都不同,因此所使用的插槽也不同,不能 混用。
(1)SDRAM內(nèi)存
SDRAM(Synchronous Dynamic RAM)同步動態(tài)內(nèi)存。內(nèi)存的腳上有兩個缺口,它的內(nèi)存插槽有
168個觸點,插槽上有兩個卡口,離得較遠。安裝內(nèi)存時有方向性,內(nèi)存腳缺口對應(yīng)著插槽上的卡口。
(2)DDR內(nèi)存
DDR內(nèi)存即DDR DRAM(Double Date Rate SDRAM,簡稱DDR)。DDR內(nèi)存是雙倍數(shù)據(jù)傳輸率同步動態(tài)內(nèi)存的意思。DDR內(nèi)存的腳上有一個缺口,插槽有184個觸點,并且在插槽上只有一個卡口,在安裝時也要注意和內(nèi)存腳缺口的對應(yīng)。
(3)Rambus內(nèi)存
Rambus內(nèi)存稱為RDRAM,也稱RIMM(Rambus Inline Memory Modules)內(nèi)存,它是Intel公司為解決內(nèi)存瓶頸問題而提出的方案。
Rambus內(nèi)存的腳上有兩個缺口,離得很近,它有兩個插槽,各有兩個卡口,并且都集中在插槽的中部。Rambus內(nèi)存在使用時必須將所有的插槽都插滿,如果沒有那么多的內(nèi)存,則可以使用專用的Rambus連接卡插在空的插槽上。
105.選購DDR內(nèi)存應(yīng)了解哪些技術(shù) 參數(shù)?
(1)時鐘頻率
時鐘頻率代表了DDR所能穩(wěn)定運行的最大頻率,即平時講的PC-1600和PC-2100等,它們分別表示可在200MHz和266MHz的時鐘頻率下穩(wěn)定運行。另外也要注意到,傳統(tǒng)的內(nèi)存規(guī)格命名是基于內(nèi)存的時鐘頻率,而現(xiàn)行的DDR內(nèi)存是基于傳輸速率命名的。實際上PC-1600和PC-2100按照SDRAM的劃分標準也就是相對應(yīng)的PC-200和PC-266。
(2)存取時間
存取時間代表讀取數(shù)據(jù)所延遲的時間。以前人們認為它和系統(tǒng)時鐘頻率有著某種聯(lián)系,其實二者在本質(zhì)上是有著顯著區(qū)別的,可以說完全是兩回事。例如SDRAM同樣是PC133的內(nèi)存,市面上有-7和-6的,它們的存取時間分別為7ns和6ns,但它們的時鐘頻率均為133MHz。存取時間和時鐘頻率不一樣,越小則越優(yōu),在DDR內(nèi)存上亦一樣。
(3)CAS的延遲時間
CAS的延遲時間指縱向地址脈沖的反應(yīng)時間,也是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范內(nèi)存的重要標志之一,通常用CAS Latency(CL)這個指標來衡量。對于PC-1600和PC-2100的內(nèi)存來說,其規(guī)定的CL應(yīng)該為2(即它讀取數(shù)據(jù)的延遲時間是兩個時鐘周期),也就是說,它必須在CL=2的情況下穩(wěn)定工作在其工作頻率。
106.選購內(nèi)存條的要點是什么?
選購內(nèi)存條時應(yīng)掌握的要點如下:
(1)芯片
市場上見到的內(nèi)存產(chǎn)品一般都是內(nèi)存條廠商從內(nèi)存廠家購買內(nèi)存芯片,在中國臺灣地區(qū)或者香港地區(qū)焊裝生產(chǎn)的,而這些內(nèi)存芯片大多來自韓國。人們常說的現(xiàn)代或者三星內(nèi)存條,指的是內(nèi)存條上的芯片由韓國現(xiàn)代集團或者三星集團生產(chǎn),而并非內(nèi)存條是這兩家公司生產(chǎn)的。除韓國生產(chǎn)的內(nèi)存芯片,市場上還可以見到西門子、麥康等廠家的芯片,此外,KINGMAX內(nèi)存條以及樵風內(nèi)存條上的芯片都采用了獨特的封裝工藝,發(fā)熱量以及穩(wěn)定性比一般的內(nèi)存條好一些。
(2)電路板
內(nèi)存芯片決定著速度,而內(nèi)存條所采用的PCB電路板則決定著內(nèi)存條工作的穩(wěn)定性。內(nèi)存條的電路板都采用六層板,當然某些廠商為了降低成本會采用四層板,這種內(nèi)存條在正常使用的時候不會出現(xiàn)問題,但如果超頻使用的話,就可能造成系統(tǒng)不穩(wěn)定或者死機。
(3)SPD
SPD是一塊EPROM,這塊小IC位于電路板上。由于開機的時候,基本輸入/輸出系統(tǒng)會去偵測內(nèi)存的一些性能數(shù)據(jù),而SPD里存放的就是這些數(shù)據(jù),這樣基本輸入/輸出系統(tǒng)只要讀取SPD就可以得到需要的數(shù)據(jù),不用再去偵測。一般SPD是焊裝在內(nèi)存PCB板的一角,是一塊8個管腳的小芯片,比較容易辨認。
(4)內(nèi)存的種類和容量
內(nèi)存容量對系統(tǒng)性能的影響很大,64MB內(nèi)存的計算機明顯比32MB 內(nèi)存的計算機快,這應(yīng)該是有目共睹的。內(nèi)存容量可謂多多益善,但價格也更高。對一般用戶有64MB的內(nèi)存就不錯了,起碼也要準備32MB,就目前的主流操作系統(tǒng)和應(yīng)用軟件,至少要有32MB以上的內(nèi)存。
107.怎樣挑選內(nèi)存條芯片?
在選購內(nèi)存芯片時要注意以下幾點:
(1)認準類型
現(xiàn)在許多人認為168線內(nèi)存就是SDRAM,這是不對的,因為同樣有168線的EDO DRAM。目前市場上168線的EDO DRAM還能經(jīng)常看到。168線的EDO DRAM最明顯的一點是EDO DRAM的針腳比較少,標準的16Mb SDRAM的針腳為44根,而16Mb EDO DRAM的針腳為28根,疏密程度明顯不同;64Mb SDRAM 的針腳為54根,而EDO DRAM的針腳為32或44根。針腳不是連續(xù)排列,因而中間會留下幾個針腳的空隙,但最保險的方法是看芯片的編號,從內(nèi)存芯片的編號上可以辨認出其類型、性能等。
(2)認清芯片的品牌不同的品牌質(zhì)量不同。一些品牌的內(nèi)存芯片檢測比較嚴格,在質(zhì)量和性能上留的富余度也比較大,而一些廠商可能由于品質(zhì)管理或自身的技術(shù)條件限制了其產(chǎn)品的品質(zhì)。這種品牌區(qū)別一般不會影響正常的使用,但在超頻的時候就有比較大的影響。
(3)追求芯片的品質(zhì)
內(nèi)存芯片上的標號只能是一個參考,芯片本身的品質(zhì)并不會完全在標號上面體現(xiàn)出來,有可能會遇到名不符實的芯片。有兩種可能,一種情況是芯片本身是次品,但通過不明途徑流入市場;另一種情況是備注的芯片,將低質(zhì)芯片的標識打磨掉之后,重新打上標識,以冒充較優(yōu)質(zhì)的芯片。
(4)小心次品
有此次品,使用的一般是原廠的芯片,芯片的外觀一般比較完美。這類內(nèi)存的價格一般都比較低,在遇到芯片不錯,價格低廉的內(nèi)存時一定要注意,看看這根內(nèi)存的印刷電路板是否做得比較簡陋、粗糙。如果感覺印刷電路板比較差,而好的芯片配這樣不起眼的印刷電路板就非常令人擔心。另外要仔細查看其上標的生產(chǎn)日期是否一致,如果有幾個不同的日期就說明同一條內(nèi)存上的芯片有幾個不同的批次,這時購者就需要小心。
此外有暇疵的產(chǎn)品還有一種表現(xiàn)形式是芯片的數(shù)目和實際容量不符,常見的就是所謂的“補位片”或“補位條”。如看芯片上的標識,知道每顆芯片的容量是64MB,除8得知每顆芯片是8MB,則64MB一條的內(nèi)存上應(yīng)該有8顆芯片,若帶校驗的內(nèi)存就有9顆,否則芯片的數(shù)目與實際容量不符。
(5)必須警惕備注
這種情況由于要打磨或腐蝕芯片的表面,一般都會在芯片的外觀上表現(xiàn)出來。正品的芯片表面一般都很有質(zhì)感,要么有光澤或熒光感要么就是啞光的。如果覺得芯片的表面色澤不純甚至比較粗糙、發(fā)毛,那么這顆芯片的表面一定受到了磨損。刮擦留下的痕跡通常比較粗,打磨芯片上的痕跡主要集中在標識附近,細看后可以發(fā)現(xiàn)芯片的這些區(qū)域與其他部分的質(zhì)感不大一致,如顏色偏淺、泛白等。另外備注的芯片還可能出現(xiàn)芯片表面有明顯的磨損面,通常芯片的角上會有凹陷的小圓圈,側(cè)光觀察小圓圈的深度是否均勻。打磨過芯片上的小圓圈可能還會出現(xiàn)某部分邊緣缺失的情況。
108.為什么DDR內(nèi)存是用戶現(xiàn)在的首選產(chǎn)品?
從目前市場的主流內(nèi)存類型來看,主要可以分為三大類:SDRAM、DDR和RDRAM。三種結(jié)構(gòu)各不通用,而選用哪種內(nèi)存構(gòu)架則必須在計算機選購初期就作好決定,因為它涉及到選購不同種類的主板、處理器等其他部件。下面在對上述三種內(nèi)存作一些介紹的基礎(chǔ)上,可以說明為什么DDR內(nèi)存是用戶現(xiàn)在的首選產(chǎn)品。
(1)SDRAM
從現(xiàn)在的情況來看SDRAM的地位已經(jīng)逐漸被讀者DDR內(nèi)存所取代,但是由于人們使用的計算機中有許多仍然采用的是SDRAM,所以讀者還是應(yīng)當最先了解它的性能。臺式機使用的SDRAM一般為168線的管腳接口,具有64b的帶寬,工作電壓為3.3伏,目前最快的內(nèi)存模塊為5.5ns。由于其最初的標準是采用將內(nèi)存與CPU進行同步頻率刷新的工作方式,因此,基本上消除了等待時間,提高了系統(tǒng)整體性能。CPU的核心頻率=系統(tǒng)外部頻率×倍頻,而內(nèi)存也就是工作在外部頻率下。最初66MHz的外部工作頻率嚴重地影響了系統(tǒng)整體的工作性能,芯片組廠商已陸續(xù)制定出100 MHz、133MHz系統(tǒng)外頻的工作標準。這樣SDRAM內(nèi)存也就有了66MHz(PC66)、100MHz(PC100)和133 MHz(PC133)三種標準規(guī)格,當然一些廠家為了滿足DIY用戶超頻的需要還推出了PC150和PC166內(nèi)存。
(2)DDR內(nèi)存
DDR內(nèi)存是DDR(Duel Date Rate,雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率)SDRAM的簡稱。顧名思義,DDR內(nèi)存可以在時鐘觸發(fā)沿的上、下沿同時進行數(shù)據(jù)傳輸,所以在相同的前端系統(tǒng)總線頻率下具有更高的數(shù)據(jù)傳輸帶寬,即使是在133 MHz總線頻率下的帶寬,也能達到2.1GB/s,是PC133內(nèi)存標準的2倍。與PC133內(nèi)存所采用的3.3V電壓LVTTL標準不同,DDR內(nèi)存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標準,不過它仍然可以沿用現(xiàn)有SDRAM的生產(chǎn)體系。雖說制造成本比普通SDRAM略高一些,但是卻要明顯低于RDRAM內(nèi)存的生產(chǎn)成本,這就為DDR內(nèi)存的迅速普及準備好了條件。
DDR內(nèi)存具有184只管腳和一個小缺口,從管腳數(shù)上看,DDR內(nèi)存比傳統(tǒng)的SDRAM內(nèi)存多出16只管腳,這些管腳主要包含了新的閥門控制、時鐘、電源和接地等信號。其實目前市場中所謂的DDR200、DDR266以及DDR333都不是官方的規(guī)定,按規(guī)定它們應(yīng)當分別稱作PC-1600、PC-2100和PC-2700。雖然DDR內(nèi)存在技術(shù)上仍然和RDRAM存在著很大差距,但是由于DDR目前和SDRAM已經(jīng)沒有價格差距了,并且和同等容量的RDRAM的相比更是便宜了一半以上,這成為它取代SDRAM、擊敗RDRAM一個重要原因。目前各大內(nèi)存廠商在市場中都有DDR內(nèi)存,這給用戶的選購提供了很大的空間,一般來說選擇現(xiàn)代的產(chǎn)品就可以了,因為它的性能中規(guī)中矩,并且兼容性和價格方面都有一定的優(yōu)勢。如果用戶追求速度的話,那么應(yīng)當選擇KingMax DDR333的產(chǎn)品,因為這也是現(xiàn)在市場中惟一能夠看到的DDR333內(nèi)存。另外在這里還提醒廣大的用戶,現(xiàn)在市場中有DDR400的產(chǎn)品,如果用戶遇到的話最好不要購買,因為DDR400并不是一個規(guī)范,DDR333之后的下一代DDR內(nèi)存將是DDRII。
(3)RDRAM
雖然現(xiàn)在RDRAM遠沒有DDR內(nèi)存普及,但是沒有人能夠否認RDRAM在性能上的出色。RDRAM原本是Intel強力推廣的未來內(nèi)存發(fā)展方向,其技術(shù)引入了RISC(精簡指令集),依靠高時鐘頻率(目前有300MHz、350MHz、400MHz 三種規(guī)范)來簡化每個時鐘周期的數(shù)據(jù)量,因此其數(shù)據(jù)通道接口只有16b(由兩條8b 的數(shù)據(jù)通道組成),遠低于SDRAM的64b。由于RDRAM也是采用類似于DDR的雙速率傳輸結(jié)構(gòu),同時利用時鐘脈沖的上升與下降沿進行數(shù)據(jù)傳輸,因此在300MHz下的數(shù)據(jù)傳輸量可以達到300MHz×16b×2/8=1.2GB/s,400MHz 時可達到1.6GB/s,目前主流的雙通道PC800MHz RARAM的數(shù)據(jù)傳輸率更是達到了3.2GB/s 。
由于該種內(nèi)存是全新的結(jié)構(gòu)體系,需要興建專用的內(nèi)存生產(chǎn)線才能進行大批量生產(chǎn),基本上無法對原有的生產(chǎn)線進行改建,而且生產(chǎn)這種內(nèi)存還必須按產(chǎn)量向Rambus公司交納一定的權(quán)利金。正是由于上述原因RDRAM無法和DDR在市場中競爭。
綜上,SDRAM現(xiàn)在已經(jīng)基本被淘汰了,而RDRAM雖然性能出色,但是由于高昂的價格和主板選擇的單一性也不是用戶理想的選擇,DDR內(nèi)存無疑是用戶現(xiàn)在的首選產(chǎn)品。
109.選購DDR內(nèi)存條的要點是什么?
如今DDR SDRAM規(guī)格和品牌眾多,選購要點如下:
(1)確定內(nèi)存容量
對于普通用戶而言,128MB的內(nèi)存基本夠用。如果用戶是一個電腦玩家+游戲玩家,建議選擇256MB內(nèi)存,如果用戶想順暢使用Windows XP操作系統(tǒng),256MB內(nèi)存是必不可少的。
(2)選擇規(guī)格
目前市面上主要有PC1600、PC2100、PC2700的DDR SDRAM內(nèi)存。這幾種規(guī)格并沒有太大的差異,為了以后的升級,建議用戶選擇PC2700規(guī)格的內(nèi)存。PC2700可以在同樣的價位下獲得更高的帶寬,如果擔心主板不能支持的話,最好先查看主板說明書,看看是否能支持PC2700。
(3)防止被蒙騙
受騙分為兩種情況,一種是出售Remark內(nèi)存,即不法商家將原有內(nèi)存條芯片上的標號打磨掉,再換上全新的編號、生產(chǎn)日期,以次充好、以假亂真。一般情況下名牌內(nèi)存條的芯片表面字跡印刷很清晰,沒有任何磨過的痕跡,即使用橡皮擦也很難擦掉,而被“Remark”內(nèi)存條的內(nèi)存芯片表面上字體標號一般非常模糊,仔細看就會發(fā)現(xiàn)有打磨過的痕跡。第二種是一些商人采取蒙騙的手段,比如將沒有ECC功能的內(nèi)存說成有ECC功能,將PC1600說成PC2700等。雖然內(nèi)存的參數(shù)一般可以通過內(nèi)存芯片上的標號得知,但不是所有的人都了解這些標號的意義。針對以上的情況,這里為讀者介紹兩種簡單易用的辨別 方法。
第一種:通過BIOS來檢測內(nèi)存。該方法主要通過DDR SDRAM內(nèi)存所帶的SPD EEPROM中的時間參數(shù)和數(shù)據(jù),來確定內(nèi)存條的規(guī)格。進入BIOS設(shè)置程序,內(nèi)存參數(shù)標為標準的工作頻率,如果開機時無法啟動,或出現(xiàn)內(nèi)存檢測報錯,或者無法正常穩(wěn)定地運行,最好是不要購買此種內(nèi)存。
第二種:下載一個SiSoft Sandra 2001 Standard 軟件(下載網(wǎng)址http://www.sisoftwae.demon.co.uk/
san_dem/html/dload.htm;最新版本2002.1.8.59)來識別真假內(nèi)存。將下載后的san859.zip解壓縮安裝后,運行SiSoft Sandra 2001 Standard,再雙擊“Mainboard Information”項目,找到“Memory Modules”子項目,如果使用Kingmax 256MB PC2700內(nèi)存,這個項目便顯示“Tristar MPMB62D –68KX3 –MAA 256MB 16×(16M×8)DDR-SDRAM PC2700U –2533 –750 (CL2.5 upto 167MHz)(CL2 upto 133MHz)”的字樣。從以上顯示中可以對該內(nèi)存的規(guī)格一覽無余:ristar MPMB62D –68KX3 –MAA表示內(nèi)存顆粒型號;256MB表示內(nèi)存容量為256MB,16×(16M×8)表示內(nèi)存顆粒共有16 顆,每顆內(nèi)存顆粒的容量為16MB;DDR-SDRAM表示內(nèi)存類型;至于PC2700U –2533 –750則是內(nèi)存的統(tǒng)一標注方法,其格式為PCxm-aabc-dde.。在其格式中:
① x代表內(nèi)存帶寬(單位為MB/s),內(nèi)存帶寬的1/16也就是內(nèi)存標準的工作頻率,如2100代表內(nèi)存帶寬為2100MB/s,內(nèi)存標準的工作頻率為133MHz。
② m代表模塊類型,R代表DIMM已注冊,U代表DIMM不含緩沖區(qū)。
③ aa代表CAS的延遲時間,用時鐘周期來表示。表達時不帶小數(shù)點,如25代表CL=2.5。
④ b代表RAS相對CAS的延時時間,用時鐘周期來表示。⑤ c代表RAS預(yù)充電時間,用時鐘周期來表示。
⑥ dd代表相對時鐘下降沿的數(shù)據(jù)讀取時間,表達時不帶小數(shù)點,如75代表7.5ns tAC。
⑦ e代表SPD版本,如O代表SPD版本為1.0。
110.選用內(nèi)存條需要注意哪些事項?
自從有了計算機就有了內(nèi)存。計算機水平不斷地提高,內(nèi)存技術(shù)也不斷地進步。內(nèi)存還在不停地被需要,選購內(nèi)存顆粒應(yīng)注意以下事項:
(1)內(nèi)存的顆粒
選購內(nèi)存最應(yīng)注意的是內(nèi)存顆粒,因為內(nèi)存顆粒的好壞直接關(guān)系到內(nèi)存條品質(zhì)的優(yōu)劣,也直接關(guān)系到系統(tǒng)的穩(wěn)定性,選著名的品牌就用得放心一些。
(2)內(nèi)存的編號
內(nèi)存的編號各廠家不盡相同,下面是三種有代表性的編號。
① Ge11(金邦)內(nèi)存
金邦內(nèi)存分為金邦金條、千禧條(GL2000)兩種。其中金邦金條又分為“金、紅、綠、銀、藍” 五種。
金色適合雙處理器的主板、PC133高性能系統(tǒng);綠色為PC100內(nèi)存;藍A色、藍V色(KX133)、藍T色(KT133)均支持針對較特殊的K7系列主板;銀色為PC133內(nèi)存,適合便攜式電腦。
② Kingmax內(nèi)存
Kingmax內(nèi)存標識格式如表1-6所示。
表1-6 Kingmax內(nèi)存的標識格式
KM 編號 X XX S XX X X X X X-X XX
字段 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
KM——代表Kingmax產(chǎn)品;
1——代表內(nèi)存芯片種類,如4代表DRAM,S代表SDRAM。
2——代表內(nèi)存芯片組成。
3——代表內(nèi)存芯片密度。
4——代表刷新速度。
5——代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個Bank組成。
6——代表內(nèi)存接口(I/O),O代表LVTTL,1代表SSTL。
7——代表內(nèi)存版本??瞻状淼?代,A代表第2代,B代表第3代。
8——代表封裝類型。
9——代表電壓供應(yīng)方式。G代表自動刷新,F(xiàn)代表低電壓自動刷新。
10——代表最少存取周期(最高頻率)。如7代表143MHz、8代表125MHz、10代表 100MHz。
示例:KM416S16238AG10指的是Kingmax的16Mb×16=256Mb SDRAM內(nèi)存芯片,刷新為8Kref,Bank為3,內(nèi)存接口為LVTTL,第2代內(nèi)存,自動刷新,速度是10ns(100MHz)。
③ Hyundai(現(xiàn)代)內(nèi)存
由于Hyundai(現(xiàn)代)公司收購了LG的內(nèi)存制造部門,故現(xiàn)代內(nèi)存芯片上的標識不再是以HY開頭,而是以GM開頭(即LGS的顆粒)。Hyundai內(nèi)存標識格式如表1-7所示。
表1-7 Hyundai內(nèi)存標識格式
GM 編號 72 X XX X X X X X XX
字段 1 2 3 4 5 6 7 8 9
GM——代表現(xiàn)代產(chǎn)品。
1——代表內(nèi)存種類。72為SDRAM。
2——代表工藝和電壓。V為CMOS(3.3V)。
3——代表內(nèi)存密度和刷新速度。
4——代表數(shù)據(jù)帶寬。其中4、8、16和32分別代表4位、8位、16位和32位。
5——代表內(nèi)存芯片組成。
6——代表內(nèi)存接口(I/O接口)。一般為O,代表LVTTL接口。
7——代表內(nèi)存版本??瞻状碓及姹?,A代表第1代,B代表第2代,C代表第3代。
8——代表封裝類型。
9——代表最少存取周期(最高頻率)。如6代表150MHz、7代表143MHz、……7J代表PC100/3-2-2、7k代表PC100/2-2-2。
(3)購買內(nèi)存條時的四看原則
① 看內(nèi)存芯片封裝技術(shù)。小心查看就能發(fā)現(xiàn) 真假。
② 看電路板制造工藝。電路板有毛剌、粗糙、裂痕的內(nèi)存芯片為次品。
③ 看ECC奇偶校驗。在BIOS中把內(nèi)存的ECC校驗打開以試真假。
④ 看是否漂洗、打磨過。用藥水清洗后的內(nèi)存芯片會發(fā)白;而有刮痕、字跡模糊、表面粗糙的,多半是以次充好者,真品內(nèi)存的標識字符通常較暗。
111.如何識別內(nèi)存顆粒編號?
在選購內(nèi)存的時候,如果不明白它的編號就很難分辨內(nèi)存的容量大小、工作頻率及規(guī)范標準等。如果了解內(nèi)存顆粒的編號,這些問題就容易解決。
無論哪個廠商生產(chǎn)的內(nèi)存都會把內(nèi)存的信息印刷在內(nèi)存顆粒上,盡管各個廠家印刷的形式不一樣,但是用戶想要的信息,例如單片容量、芯片類型、工作速度和生產(chǎn)日期等都會有。
市場上常見的內(nèi)存廠商代號有:AAA(NMB)、BM(IBM)、GM(LG-Semicon)、HY(現(xiàn)代電子)、HM(日立)、KM或M(三星)、LH(SHARP)、M5M(Hitsubishi)、MB(Fujitu)、MCM(Motorola)、MT(Micron)、TC或TD(東芝)、TI(德州儀器)。下文列出一些常見的內(nèi)存廠商代號作以說明。
(1)HY
編號:HY5a b cde fg h 0 i j k1 mn。
5a代表芯片類型。57是SDRAM,5D是DDR。
b 代表電壓。U是2.5V,V是3.3V,空白是5V。
cde代表容量(Mb)和刷新速度。
fg代表數(shù)據(jù)位寬(位)。
h代表內(nèi)存的Bank數(shù)量。1、2、3分別代表2、4、8個Bank。
0表示接口界面。
i 表示內(nèi)核版本號??梢允强瞻?。
j代表類型??瞻状砥胀ㄐ?,L代表低功耗型。
k1代表封裝形式的編號。
m代表速度。
n一般是P或S。P通常比S好。
(2)LGS
編號:GM72V ab cd e i f g t hi。
ab代表容量(MB)。
cd代表數(shù)據(jù)位寬(位)。
e代表Bank數(shù)量。
f代表內(nèi)核版本號??梢允强瞻?。
g代表型號??瞻资瞧胀ㄐ?,L是低功耗型。
hi代表速度。
(3)Micron
編號:MT48 ab cd M ef Ag TG-hi j。
ab代表芯片類型。LC是SDRAM,46V是DDR。
cdef代表容量(Mb)。
j代表類型??瞻资瞧胀ㄐ停琇代表低功耗。
(4)三星電子
編號:KM4 ab S cd 0 e f g T-h。
ab代表數(shù)據(jù)位寬(位)。
cd代表容量(MB)。
e代表Bank數(shù)量。1、2、3分別代表2、4、8個Bank。
f代表內(nèi)存接口。
g代表內(nèi)存版本??瞻资堑谝淮珹是第二代,B是第三代。
T代表是TSOP II封裝。
H代表電源供應(yīng)。G是自動刷新,F(xiàn)是低電壓自動刷新。
(5)NEC
編號:D45 ab c d eG5-Afg h-ijk。
ab代表容量(MB)。
c代表數(shù)據(jù)位寬(位)。
d代表Bank數(shù)量。3、4都是4個Bank。
e代表內(nèi)存接口。
112.怎樣識別現(xiàn)代內(nèi)存條?
(1)老版本SDRAM內(nèi)存條
老版本SDRAM內(nèi)存條的標識格式如表1-8所示。
表1-8 老版本SDRAM內(nèi)存條的標識格式
編號 HY XX X XXX XX X X X X XX XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
其中:
1——HY代表現(xiàn)代產(chǎn)品。
2——代表產(chǎn)品類型。57代表DRAM,5D代表DDR SDRAM。
3——代表電壓。V代表3.3V,U代表2.5V。
4——代表密度和刷新。4代表4MB(1K刷新);16MB(4K刷新),64代表64MB(8K刷新),65代表64MB(4K刷新),128代表128MB(8K刷新),129代表128MB(4K刷新),257代表256MB(8K刷新)。
5——代表數(shù)據(jù)帶寬。40代表4位,80代表8位,16代表16位,32代表32位。
6——代表芯片組成。1代表2BANK,2代表4BANK。
7——代表電器接口。0代表LVTTL,1代表SSTL,2代表SSTL2。
8——代表芯片修正版本??瞻状淼?版,A代表第2版,B代表第3版,C代表第4版,D代表第5版。
9——代表功耗。空白代表普通,L代表低功耗。
10——代表封裝方式。JC代表400mil SOJ,TC代表400mil TSOP II,TD代表13mm TSOP-II,TG代表16 mm TSOP-II,TQ代表100Pin TQF-PI。
11——代表內(nèi)存的速度。5代表5ns(200MHz),55代表55ns (183MHz),6代表6ns (166MHz),7代表7ns (143MHz),75代表75ns(133MHz),8代表8ns (125MHz),10P代表10ns (100MHz@CL=2或3),10S代表10ns (100MHz@CL=3),10代表10ns(100 MHz),12代表12ns(83 MHz),15代表15ns(66 MHz)。
(2)新版本SDRAM內(nèi)存條
新版本SDRAM內(nèi)存條的標識格式如表1-9所示。
表1-9 新版本SDRAM內(nèi)存條的標識格式
編號 HY XX X XX XX X X X XX X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
其中:
1——HY代表現(xiàn)代產(chǎn)品。
2——代表產(chǎn)品類型。57代表SDRAM。
3——代表電壓。V代表3.3V。
4——代表密度和刷新。64代表64MB(4K刷新),65代表64MB(8K刷新),28代表128MB(4K刷新),56代表156MB(8K刷新)。
5——代表數(shù)據(jù)帶寬。4代表4位,8代表8位,16代表16位,32代表32位。
6——代表芯片組成。1代表2BANK,2代表4BANK。
7——代表意義不詳。一般為0。
8——代表電氣接口。0代表LVTTL,1代表 SSTL_3。
9——代表芯片修正版本??瞻谆騂代表第1版,A或HA代表第2版,B或HB代表第3版,C或HC代表第4版。
10——代表封裝方式。T代表TSOP,Q代表TQFP,I代表BLP,L代表CSP(LF-CSP)。
11——代表內(nèi)存的速度。5代表5ns(200MHz),55代表5.5 ns (183MHz),6代表6ns(166MHz),7代表7ns(143MHz),K代表7.5 ns (PC133@CL=2),H代表7.5 ns (PC133@CL=3),8代表8ns(125MHz),P代表10ns (PC100@CL=2),S代表10ns (PC100@CL=3),10代表10ns(100MHz)。
113.怎樣識別光美DDR內(nèi)存條編號的含義?
光美DDR內(nèi)存顆粒編號規(guī)格如表1-10所示。
表1-10 光美DDR內(nèi)存顆粒編號規(guī)格
xx xx xx xxx xx xx -xx x x xx
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
其中:
1——生產(chǎn)廠商。MT:光美科技公司。
2——產(chǎn)品類型。46:DDR SDRAM。
3——工作電壓與工藝。C:5V VCC CMOS
LC:3.3V VDD CMOS
V:2.5V VDD CMOS。
4——數(shù)據(jù)深度與寬度。舉例說明一下,16M×8代表芯片深度為16Mb,數(shù)據(jù)寬度為8b。
5——特殊標識。其隨產(chǎn)品的不同而有所不同,一般有A2和B2兩種。
6——封裝形式。FB:FBGA(60pin,8×16)
FC:FBGA(60pin and 90pin,11
×13)
FD:FBGA(80pin,9×16)
FF:FBGA(54pin,8×9)
FG:FBGA(54pin,8×14)
F1:FBGA(62pin,2 rom depop)
F2:FBGA(84pin,2 rom depop)
TG:TSOP(類型2)
U:UBGA。
7——芯片速度。-8 C1600(2-2-2)DDR200
-75 C2100(2.5-3-3)DDR266B
-7(PC2199(2-2-2)DDR266A。
8——能量等級。L:低能量
S:自刷新。
9——工作溫度??瞻祝荷虡I(yè)工作溫度范圍(-0℃~70℃)
IT:工業(yè)工作溫度范圍(-40℃~85℃)。
10——芯片版本。ES:工程樣品
MS:機械樣品。
114.三星內(nèi)存條識別方法是什么?
內(nèi)存的品牌、型號很多,可以通過內(nèi)存顆粒上的編號識別內(nèi)存的生產(chǎn)廠家、種類、使用的電壓、芯片密度、電氣接口、容量、速度、芯片封裝方式、功耗、版本等重要參數(shù)。
三星內(nèi)存顆粒編號規(guī)格如表1-11所示。
表1-11 三星內(nèi)存顆粒編號規(guī)格
編號 KM X XX X XX X X X X X -X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
其中:
1——KM表示三星內(nèi)存。
2——公羊的種類。4=DRAM。
3——內(nèi)存芯片組成。4=x4,8=x8,16=x16(分別代表4位、8位、16位)。
4——S=SDRAM。
5——內(nèi)存芯片密度。1=1M,2=2M,4=4M,…
6——刷新。0=4K,1=2K,2=8K。
7——內(nèi)存排數(shù)。2=2排,3=4排。
8——內(nèi)存電氣接口。0=LVTTL,1=SSTL。
9——內(nèi)存版本??瞻?第1版,A=第二版……
10——封裝類型。T=TSOP II。
11——電源供應(yīng)。C=自動調(diào)節(jié);F=低電壓自動調(diào)節(jié)低功耗。
12——最少存取周期。7=7ns(143MHz),8=8ns(125MHz),10=10ns(100MHz),H=100MHz @ CAS值為2,L=100MHz @ CAS值為3。
115.Windows能夠管理的最大內(nèi)存是多少?
Windows 9x必須在Intel 80486以上的CPU上運行,Windows 3.x可以在80386上運行。80386至Pentium III處理器都是32位處理器,所謂32位指CPU在以字節(jié)為單位的前提下(字節(jié)的英文單詞為Byte,縮寫時用大寫字母B來表示,一個字節(jié)由8個比特組成;比特的英文單詞為bit,縮寫時用小寫字母b來表示),它能訪問和管理的內(nèi)存地址為32位的二進制數(shù),即這些CPU能訪問和管理的內(nèi)存容量是232個字節(jié),即4GB。
116.為什么Windows需要使用虛擬 內(nèi)存?
Windows是一個多任務(wù)操作系統(tǒng),它可以同時運行多個程序。由于不同的程序在不同的時候?qū)?nèi)存的需求量都不同,所以整個系統(tǒng)在運行過程中對內(nèi)存的需求是變化的,另外,有的程序甚至會需要超出機器內(nèi)安裝的全部內(nèi)存的容量。在這種情況下,Windows顯然不能把自己和其他所有程序的代碼和數(shù)據(jù)全部都放到內(nèi)存,它需要找一個地方來存放當前不使用的代碼和數(shù)據(jù),只把當前使用的代碼和數(shù)據(jù)放到內(nèi)存中。隨著系統(tǒng)的運行,可能要用到以前不用的代碼和數(shù)據(jù),則Windows會將這些代碼和數(shù)據(jù)從臨時存儲的地方讀回到內(nèi)存中,又將內(nèi)存中的一些暫時不會用到的代碼和數(shù)據(jù)寫到臨時存儲的地方,該臨時存儲數(shù)據(jù)的地方便是虛擬內(nèi)存。Win386.swp是Windows 98用于提供虛擬內(nèi)存的交換文件,當然,Win386.swp是不可刪除的,即使強行刪除了,下次啟動時,Windows 98 又會自動生成該文件。
117.使用虛擬內(nèi)存有什么好處?
內(nèi)存在計算機中的作用很大,計算機中所有運行的程序都需要經(jīng)過內(nèi)存來執(zhí)行,如果執(zhí)行的程序很大或很多,就會導致內(nèi)存消耗殆盡。為了解決該問題,Windows中運用了虛擬內(nèi)存技術(shù),即拿出一部分硬盤空間來充當內(nèi)存使用,以緩解內(nèi)存的緊張。舉一個例子來說,如果計算機只有128MB物理內(nèi)存,當讀取一個容量為200MB的文件時,就必須要用到比較大的虛擬內(nèi)存。文件被內(nèi)存讀取之后先儲存到虛擬內(nèi)存,等待內(nèi)存把文件全部儲存到虛擬內(nèi)存之后,接著就會把虛擬內(nèi)存儲存的文件釋放到原來的安裝目 錄里。
為了實現(xiàn)虛擬內(nèi)存,Windows利用了80386以上CPU提供的內(nèi)存分頁技術(shù),這些CPU支持把內(nèi)存分成一個個4KB單位的“頁面”,并為每個“頁面”建立一個索引。索引中包含了一個標志,用來表示該“頁面”當前是否在內(nèi)存中。當某個程序中一段當前不在內(nèi)存里的代碼將要被執(zhí)行時,或者該程序需要用到當前不在內(nèi)存中的數(shù)據(jù)時,CPU會產(chǎn)生一個中斷(即暫時中斷當前程序)來通知Windows,Windows則會從交換文件中讀回相應(yīng)的代碼或數(shù)據(jù),最后從中斷返回,繼續(xù)執(zhí)行原來的序。
內(nèi)存與交換文件之間進行的數(shù)據(jù)交換過程是透明的,即程序不會感覺到自己的部分代碼或數(shù)據(jù)當前并不在內(nèi)存中,實際上,它們感覺到的是自己擁有大量的內(nèi)存,因為當它們向Windows申請分配更多內(nèi)存時基本上都能得到滿足,這便是Windows向程序提供了由實際內(nèi)存和交換文件組成的虛擬內(nèi)存空間的益處。由此可見,虛擬內(nèi)存對Windows系統(tǒng)很重要,因為只有利用虛擬內(nèi)存技術(shù)才能滿足多任務(wù)對內(nèi)存的需求。
需要指出的是,虛擬內(nèi)存技術(shù)在Intel 推出80386之前已存在了,因為其他類型的CPU和操作系統(tǒng)也遇到過物理內(nèi)存不能滿足實際需要的問題,人們最終想出了利用價格相對便宜、速度有一定保證的硬盤構(gòu)成虛擬內(nèi)存來配合物理內(nèi)存的方法,該方法沿用至今。Windows與CPU之間的緊密配合是實現(xiàn)虛擬內(nèi)存的關(guān)鍵,當初微軟曾協(xié)助Intel 設(shè)計80386,自80386以來相繼還有80486、Pentium、Pentium II、Celeron和Pentium III等CPU問世,它們基本上都沿用了80386引入的內(nèi)存分頁技術(shù),Windows與這些CPU都能良好地相互配合以實現(xiàn)虛擬內(nèi)存。除了Windows,其他很多操作系統(tǒng)也都使用了虛擬內(nèi)存技術(shù),例如時下熱門的Linux。運行于PC機上的Linux會建立一個專門的交換分區(qū),該交換分區(qū)就相當于Windows的交換文件,兩者的原理是一致的。
118.Windows對虛擬內(nèi)存是如何管 理的?
當系統(tǒng)運行時,如果用戶啟動了很多程序,導致當前的交換文件已經(jīng)不夠用了,Windows 9x/Me/2000/XP就會以4MB為單位來增加交換文件的大小,直到滿足程序的要求或者硬盤自由空間不夠(Word等程序在此之前就會報告沒有足夠的內(nèi)存完成某些操作)。Windows 9x/Me/2000/XP除了會增加交換文件的大小,它還會在系統(tǒng)啟動程序時舍棄交換文件中一些不再有用的數(shù)據(jù),以便縮小交換文件的 大小。
Windows 9x/Me/2000/XP自動增加交換文件的目的是盡量滿足程序?qū)μ摂M內(nèi)存的需求,自動縮小交換文件的目的則是在不需要很多虛擬內(nèi)存時盡量節(jié)省硬盤空間。不過,該方式也有缺點:首先,增加和縮小交換文件都需要一定的處理時間,在啟動程序時可能會帶來較長的延時;其次,由于交換文件在硬盤上不連續(xù),一方面使得對交換文件的讀寫效率不高,另一方面則可能會加快文件碎片的生成速度。
119.Windows系統(tǒng)交換文件過大的解決辦法是什么?
如果發(fā)現(xiàn)Win386.swp過大,這說明系統(tǒng)同時運行了很多大型應(yīng)用程序,所以才需要如此大的交換文件。為了減小交換文件的體積,只需要重新啟動系統(tǒng),并且盡量只運行必要的程序就行了。還可以在“系統(tǒng)”屬性中自己指定虛擬內(nèi)存設(shè)置,使Windows使用其他分區(qū)的空間,例如D盤的自由空間很多,并且使最大值和最小值保持默認值即可。
實際上,如果硬盤空間比較大,還可以讓Windows 9x/Me/2000/XP使用一段連續(xù)并且大小固定的硬盤空間作為交換文件,從而能在一定程度上提高系統(tǒng)的性能。具體方法是先格式化一個分區(qū),然后指定Windows使用該分區(qū)的空間,并使最大值和最小值相等,設(shè)為實際內(nèi)存的四五倍。在這種情況下,Windows 9x將在指定分區(qū)上建立一個連續(xù)的Win386.swp,并且不會動態(tài)改變交換文件的大小。
如果Windows在內(nèi)存和交換文件之間頻繁地交換數(shù)據(jù),說明系統(tǒng)嚴重缺乏內(nèi)存,此時系統(tǒng)性能將受到很大的影響;如果硬盤自由空間也不夠用的話,某些程序或其部分功能就無法正常運行。針對該情況,添置更多的內(nèi)存和一個大容量硬盤是最好的解決辦法,也可用一些工具來優(yōu)化內(nèi)存的使用,提高系統(tǒng)的性能。
120.如何設(shè)置虛擬內(nèi)存大小?
對于虛擬內(nèi)存主要設(shè)置兩點,即內(nèi)存大小和分頁位置。內(nèi)存大小指設(shè)置虛擬內(nèi)存最小為多少和最大為多少;而分頁位置則是指設(shè)置虛擬內(nèi)存應(yīng)該使用哪個分區(qū)中的硬盤空間。對于內(nèi)存大小的設(shè)置,可以通過下面的方法來獲得最小值和最大值,操作方法如下:
選擇“開始→程序→附件→系統(tǒng)工具→系統(tǒng)監(jiān)視器”(如果系統(tǒng)工具中沒有,可以通過“添加/刪除程序”中的Windows安裝程序進行安裝)打開系統(tǒng)監(jiān)視器,然后選擇“編輯→添加項目”,在“類型”項中選擇“內(nèi)存管理程序”,在右側(cè)的列表中選擇“交換文件大小”。這樣,隨著用戶的操作會顯示出交換文件值的波動情況,用戶可以把經(jīng)常要使用到的程序打開,然后對它進行使用,這時查看一下系統(tǒng)監(jiān)視器中的表現(xiàn)值,由于用戶每次使用計算機時的情況都不盡相同,因此最好能夠通過較長時間對交換文件進行監(jiān)視來找出最符合用戶的文件的數(shù)值,這樣才能保證系統(tǒng)性能穩(wěn)定以及保持最佳狀態(tài)。
找出最合適的范圍值后,在設(shè)置虛擬內(nèi)存時,用鼠標右擊“我的電腦”,選擇“屬性”,彈出“系統(tǒng)屬性”窗口,選擇“性能”標簽,然后單擊下面的“虛擬內(nèi)存”按鈕,會彈出虛擬內(nèi)存設(shè)置窗口,然后單擊“用戶自己指定虛擬內(nèi)存設(shè)置”單選按鈕,“硬盤”中選較大剩余空間的分區(qū),最后在“最小值”和“最大值”文本框中輸入合適的范圍值。如果用戶感覺使用系統(tǒng)監(jiān)視器來獲得最大值和最小值有些麻煩,這里完全可以選擇”讓Windows管理虛擬內(nèi)存設(shè)置”。
121.如何調(diào)整Windows系統(tǒng)的虛擬內(nèi)存分頁位置?
Windows 9x的虛擬內(nèi)存分頁位置保存在C盤根目錄下的一個虛擬內(nèi)存文件(也稱為交換文件)Win386.swp,它的存放位置可以是任何一個分區(qū)。如果系統(tǒng)盤C容量有限,可以把Win386.swp調(diào)到別的分區(qū)中,方法是在記事本中打開System.ini(C:\Windows)文件,將“PagingDrive=C:Windows
Win386.swp”改為其他分區(qū)的路徑;如果要將交換文件放在D盤中,則改為“PagingDrive= D:Win386.swp”;如沒有上述語句直接鍵入即可。
對于使用Windows2000和Windows XP的用戶,可以選擇“控制面板→系統(tǒng)→高級→性能”中的“設(shè)置→高級→更改”,打開虛擬內(nèi)存設(shè)置窗口,在驅(qū)動器“卷標”中默認選擇的是系統(tǒng)所在的分區(qū)。如果想更改到其他分區(qū),首先要把原先的分區(qū)設(shè)置為無分頁文件,然后再選擇其他分區(qū)。
122.如何通過手工設(shè)置虛擬內(nèi)存?
具體步驟如下:
q 用鼠標右擊桌面上的“我的電腦”圖標,然后單擊“屬性”選項,在“系統(tǒng)屬性”對話框的“性能”選項卡上,單擊“虛擬內(nèi)存”。
q 在“虛擬內(nèi)存”對話框中,選中“用戶自己指定虛擬內(nèi)存設(shè)置”;在“硬盤”框中,選定為D盤,然后單擊“確定”。
q 重新啟動計算機,交換文件已移到D盤上。啟動“磁盤碎片整理”程序,整理C盤。
q 在上述“性能”選項卡的“硬盤”中,選定C盤;在“最大值”和“最小值”框上鍵入自定義的交換文件大小值(約為物理內(nèi)存的4倍),然后單擊 “確定”按鈕。
q 重新啟動計算機,設(shè)置即告完成。一個固定大小的交換文件連續(xù)存放在C盤上。文件名為Win386.swp ,存放在根目錄中。
123.從哪些方面對虛擬內(nèi)存進行優(yōu)化?
虛擬內(nèi)存的大小是由Windows來控制的,但這種默認的Windows設(shè)置并不是最佳的方案,因此需要對其進行一些調(diào)整,這樣才能發(fā)揮出系統(tǒng)的最佳 性能。
(1)改變頁面文件的位置
改變頁面文件的位置,其目的主要是為了保持虛擬內(nèi)存的連續(xù)性。因為硬盤讀取數(shù)據(jù)是靠磁頭在磁性物質(zhì)上讀取,頁面文件放在磁盤上的不同區(qū)域,磁頭就要跳來跳去,不利于提高效率。而且系統(tǒng)盤文件眾多,虛擬內(nèi)存不連續(xù),因此要將其放到其他盤上。改變頁面文件位置的方法是:用鼠標右擊“我的電腦”,選擇“屬性→高級→性能設(shè)置→高級→更改虛擬內(nèi)存”,在驅(qū)動器欄里選擇想要改變到的位置即可。值得注意的是,當移動好頁面文件后,要將原來的文件刪除(系統(tǒng)不會自動刪除)。
(2)改變頁面文件的大小
改變了頁面文件的位置后,還可以對它的大小進行一些調(diào)整。調(diào)整時需要注意,不要將最大、最小頁面文件設(shè)為等值。因為通常內(nèi)存不會真正“塞滿”,它會在內(nèi)存儲量到達一定程度時,自動將一部分暫時不用的數(shù)據(jù)放到硬盤中。最小頁面文件越大所占比例就越低,執(zhí)行的速度也就越慢。最大頁面文件是極限值,有時打開很多程序,內(nèi)存和最小頁面文件都已“塞滿”,就會自動溢出到最大頁面文件,所以將兩者設(shè)為等值是不合理的。一般情況下,最小頁面文件設(shè)得小些,這樣能在內(nèi)存中盡可能存儲更多數(shù)據(jù),效率就越高。最大頁面文件設(shè)得大些,以免出現(xiàn)“滿員”的情況。
(3)禁用頁面文件
當擁有了512MB以上的內(nèi)存時,頁面文件的作用將不再明顯,因此可以對其禁用。方法是:依次進入注冊表編輯器“HKEY_LOCAL_MACHINE \System\CurrentControlSet\Control\Session Manager\ Memory Management”,在“DisablePAging Executive”(禁用頁面文件)選項中將其值設(shè)為“1”即可。
(4)清空頁面文件
在同一位置上有一個“ClearPage FileAtShutdown(關(guān)機時清除頁面文件)”,將該值設(shè)為“1”。這里所說的“清除”頁面文件并非是指從硬盤上完全刪除pagefile.sys文件,而是對其進行“清洗”和整理,從而為下次啟動Windows XP時更好地利用虛擬內(nèi)存做好準備。
124.怎樣解決虛擬內(nèi)存不夠的問題?
如果在分區(qū)的時候把系統(tǒng)分區(qū)劃小了一點,系統(tǒng)安裝后又安裝了很多應(yīng)用程序,那么在運行很多應(yīng)用程序的時候,就會出現(xiàn)總是提示內(nèi)存不足的情況。要把其他分區(qū)的空間劃一部分到系統(tǒng)分區(qū)中去,從而可以有更多的空間作為緩沖,可以使用Pgmagic使其在不損壞硬盤數(shù)據(jù)的情況下重新進行分區(qū)。步驟如下:
(1)在軟件菜單下選擇Partitions,然后選中用戶要減少空間的那個分區(qū),如D,再依次單擊Operating/Resize/Move…。在新彈出的Resize/ Move Partition對話框中,將鼠標移到“示意條”左端的滑桿上,并向右拖動直到NEW SIZE的值符合用戶要添加的硬盤空間的值。用戶也可以直接在Free Space Before中鍵入C盤要增大的容量。
(2)選擇Partitions,然后選中C,在執(zhí)行Resize/Move時,要把“示意條”拉到最右端,最后單擊Apply,重分區(qū)就完成了。
其實也可以通過改變系統(tǒng)虛擬內(nèi)存設(shè)置來解決虛擬內(nèi)存不足的問題,操作步驟如下:
依次單擊“我的電腦→控制面板→系統(tǒng)”,選擇“性能”菜單中的“虛擬內(nèi)存”設(shè)置欄,然后選擇“用戶自己指定虛擬內(nèi)存設(shè)置”,在彈出的對話框中選擇有較大剩余空間的硬盤作為虛擬內(nèi)存盤符,并指定最大、最小虛擬內(nèi)存量。設(shè)置好后,單擊“確定”按鈕直至退出“控制面板”。
125.如何查看計算機系統(tǒng)還有多少內(nèi)存資源可用?
由于內(nèi)存資源直接關(guān)系到系統(tǒng)的穩(wěn)定,所以需要隨時查看內(nèi)存的使用情況。特別是在當系統(tǒng)長時間運行且出現(xiàn)性能急劇下降的情況下,更應(yīng)該關(guān)注系統(tǒng)的內(nèi)存資源,防止因內(nèi)存不足出現(xiàn)系統(tǒng)崩潰的情況。
(1)通過“任務(wù)管理器”查看
在Windows 2000/XP 中,Windows系統(tǒng)集成了一個內(nèi)存監(jiān)控組件,它集成在“任務(wù)管理器”中。“任務(wù)管理器”是一個后臺程序,它隨系統(tǒng)啟動而自動啟動,并且自動監(jiān)控系統(tǒng)的各項資源,這其中自然包含了內(nèi)存資源的監(jiān)控。因此,只要打開“Windows任務(wù)管理器”,就可以了解系統(tǒng)當前的內(nèi)存資源。
右擊任務(wù)欄,在彈出的右鍵菜單中選擇任務(wù)管理器并打開它,進入“Windows任務(wù)管理器”,會發(fā)現(xiàn)其除了常規(guī)的菜單欄,還提供了“應(yīng)用程序”、“進程”、“性能”、“聯(lián)網(wǎng)”、“用戶”等5個功能標簽,這里需要的是它的“性能”功能項。單擊“性能”標簽,可以看到4個狀態(tài)窗口。
上面的兩個狀態(tài)窗口中“CPU使用”顯示的是當前的CPU占用情況,而“CPU使用記錄”則記錄了一段時間內(nèi)的CPU使用情況;在下面的兩個狀態(tài)窗口中,“PF使用率”顯示的是系統(tǒng)頁面文件(虛擬內(nèi)存)的使用率,而“頁面文件使用記錄”則是顯示頁面文件的量隨時間變化情況的圖表。
在該窗口的下方還顯示了“總數(shù)”、“物理內(nèi)存”、“認可用量”、“核心內(nèi)存”等4個選項。其中“總數(shù)”顯示的是計算機上正在運行的句柄、線程和進程的總數(shù),即當前系統(tǒng)所運行的程序個數(shù)多少;而“物理內(nèi)存”顯示的是計算機上所安裝的總物理內(nèi)存;“認可用量”表示可供使用的內(nèi)存的量,它是用戶需要特別注意的一個量。
通過“資源管理器”,用戶就能查看到當前系統(tǒng)的“物理內(nèi)存”資源和“虛擬內(nèi)存”資源。
(2)用軟件查看
在Windows 2000/XP中可以非常方便地通過任務(wù)管理器來查看內(nèi)存資源,但是在Windows 98/Me中因為Windows 98/Me沒有自帶資源查看工具,只能利用第三方工具。
Windows優(yōu)化大師(http://www.wopti.net)是一款很常見的系統(tǒng)優(yōu)化軟件,很多用戶都安裝了該工具軟件。Windows優(yōu)化大師實質(zhì)上自帶了一款免費的內(nèi)存監(jiān)控、整理工具Windows 內(nèi)存整理。
當用戶安裝好Windows優(yōu)化大師后,只須單擊“開始→程序→Windows優(yōu)化大師→Windows 內(nèi)存整理”,即可進入“Windows 內(nèi)存整理”的主界面。
在該窗口中,用戶可以非常方便地查看到系統(tǒng)的內(nèi)存資源占用情況,例如物理內(nèi)存、可用的物理內(nèi)存、CPU占用率等。
126.怎樣合理使用系統(tǒng)內(nèi)存?
合理使用系統(tǒng)內(nèi)存從以下幾個方面采取措施:
(1)內(nèi)存監(jiān)視
系統(tǒng)的內(nèi)存總是會用完的,雖然有虛擬內(nèi)存,但由于硬盤讀寫的速度不可和內(nèi)存相提并論,大量、頻繁地使用虛擬內(nèi)存將使計算機操作速度降低,所以在使用內(nèi)存時,就要注意監(jiān)視內(nèi)存的使用情況。Windows中提供了一個系統(tǒng)監(jiān)視器,可以監(jiān)視內(nèi)存的占用情況;另外還有一個簡單的辦法,就是在任何一個Windows 9x/Me的文件窗口中,選擇“幫助/關(guān)于Windows9x/Me”菜單,在打開的窗口中就可以看到目前內(nèi)存資源的占用情況,一般如果只要有60%的資源占用,就要警惕了。
(2)釋放內(nèi)存
如果系統(tǒng)內(nèi)存不夠,就要時刻注意釋放內(nèi)存。釋放內(nèi)存指將駐留內(nèi)存的數(shù)據(jù)從內(nèi)存中釋放出來。釋放內(nèi)存最簡單、最有效的方法是重新啟動機器,另外也可關(guān)閉運行的程序,包括在后臺運行的程序,例如防毒監(jiān)視程序。有些應(yīng)用程序不能用一般的方法關(guān)閉,這時就要用“Ctrl+Alt+Del”鍵來關(guān)閉任務(wù)。還要注意剪貼板如果存儲了一幅圖像,是要占用大量內(nèi)存空間的,可以粘貼幾個簡單的字符將圖像數(shù)據(jù)從內(nèi)存中沖掉,后臺打印的數(shù)據(jù)也會占用大量的內(nèi)存空間。
(3)優(yōu)化內(nèi)存數(shù)據(jù)
在Windows中,駐留內(nèi)存的數(shù)據(jù)很多,如桌面快捷圖標、任務(wù)欄中的圖標、系統(tǒng)托盤中的時間等都要占用內(nèi)存資源,如果內(nèi)存緊張,可以考慮優(yōu)化這些項目,盡量少用各種后臺駐留的程序,特別是設(shè)計不好的程序會占用大量的內(nèi)存資源。平常在使用計算機的時候,不要同時打開太多的窗口,或者在程序中打開太多的數(shù)據(jù)文件。另外,長時間使用計算機后,內(nèi)存的數(shù)據(jù)排列有可能比較混亂而引起性能下降,這時可以重新啟動系統(tǒng)。
(4)提高系統(tǒng)的其他部件性能
計算機系統(tǒng)其他部件的性能對內(nèi)存的效能也有巨大的影響。例如,總線類型、CPU、顯存、硬盤速度。如果顯存太小,而顯示的數(shù)據(jù)量很大,再多的顯存也是沒有辦法提高系統(tǒng)效能的。如果硬盤的速度太慢,特別是平均尋道速度太慢,則將嚴重影響系統(tǒng)虛擬內(nèi)存的讀寫速度,造成整個系統(tǒng)的速度下降。
127.怎樣了解Windows 9x系統(tǒng)中的內(nèi)存使用情況?
要了解Windows 9x系統(tǒng)中的內(nèi)存變化情況,以及程序代碼在內(nèi)存中的加載和卸載情況,需要一定的內(nèi)存知識。用戶可以通過一些簡單方法了解內(nèi)存的使用情況,使自己能夠判斷計算機系統(tǒng)的內(nèi)存是否夠用,以及如何選擇節(jié)約內(nèi)存的程序,如何有效地利用內(nèi)存。
(1)目測法
如果系統(tǒng)打開一個程序或關(guān)閉一個程序,都需要大量地讀寫硬盤,甚至是僅僅打開一個文件夾窗口都需要一段明顯的等待時間。也就是說,硬盤不停運行,系統(tǒng)啟動緩慢,在沒有病毒的情況下,說明系統(tǒng)的內(nèi)
存緊張,虛擬內(nèi)存的使用太過頻繁。
(2)Windows 9x系統(tǒng)監(jiān)視程序
通過系統(tǒng)監(jiān)測工具監(jiān)測是比較準確了解內(nèi)存的手段,Windows 9x就帶有一個功能較為全面的系統(tǒng)監(jiān)測程序。單擊“開始”按鈕,選擇菜單項“程序→附件→系統(tǒng)工具→系統(tǒng)監(jiān)視器”,打開系統(tǒng)監(jiān)視器。注意,有些操作系統(tǒng)沒有安裝該工具,可以通過控制面板的“添加/刪除程序”來安裝。
單擊系統(tǒng)監(jiān)視器的界面菜單項“編輯/添加項目”,在打開窗口中的“類別”欄中選擇“內(nèi)存管理程序”項,右面的窗口就列出了多個內(nèi)存監(jiān)視項目,有些項目比較專業(yè)。為了查看系統(tǒng)內(nèi)存是否緊張,一般可以選擇查看“廢棄”和“出頁”項目,如果這兩個項目常常維持到較高的數(shù)值,則說明系統(tǒng)的內(nèi)存緊張,需要添加內(nèi)存或優(yōu)化。
(3)其他系統(tǒng)監(jiān)視程序
Windows中系統(tǒng)監(jiān)視程序雖然監(jiān)視的項目比較多,但并不都很實用,用戶可以試用其他的監(jiān)視程序。例如WinSystem 98就是一個很好的系統(tǒng)監(jiān)視程序,它主要監(jiān)視CPU、硬盤讀寫、內(nèi)存占用、網(wǎng)絡(luò)和Modem,還可以監(jiān)視系統(tǒng)溫度、系統(tǒng)電壓等,也可以自動優(yōu)化內(nèi)存,釋放內(nèi)存空間。特別是它的進程監(jiān)視管理,可以顯示當前駐留在內(nèi)存中的程序信息,用戶可以清楚地看到哪個程序占用了大量的內(nèi)存,并可中斷某個駐留程序的執(zhí)行,釋放內(nèi)存空間。該工具既是一個系統(tǒng)監(jiān)視工具,也是一個內(nèi)存優(yōu)化工具,其下載地址為http://www. multimania.com/newtech,下載文件大小只有200KB。
128.在Windows 2000/XP中如何查看計算機軟件各占了多少內(nèi)存?
要知道那些正在運行中的程序到底各自占用了多少內(nèi)存資源,可在Windows 2000/XP中進入“Windows任務(wù)管理器”之后,單擊“進程”標簽,在該窗口,可以看到所有正在運行的程序,以及該程序所占用的CPU資源和內(nèi)存資源。
建議用戶不要盲目打開很多窗口,否則即使計算機的物理內(nèi)存很多,也會造成機器性能急劇下降。
129.如何設(shè)置SDR/DDR內(nèi)存?
DDR SDRAM的設(shè)置與SDRAM大致相同,以SDRAM為例一并介紹DDR SDRAM和SDRAM的設(shè)置。
SDRAM有3個正式的規(guī)格PC66、PC100和PC133;DDR SDRAM則有PC1600和PC2100兩種規(guī)格。個別廠商針對超頻愛好者的需要,提供了PC150和PC166兩種非正式規(guī)格的SDRAM 內(nèi)存條,DDR SDRAM也有PC2700的非正式規(guī)格產(chǎn)品出現(xiàn)。這些數(shù)值代表了這些內(nèi)存能穩(wěn)定運行的最大頻率,如PC133內(nèi)存的最大穩(wěn)定運行頻率就應(yīng)該為133MHz。但在BIOS設(shè)置選項中,很少可以直接選擇內(nèi)存規(guī)格,更多的是以設(shè)置FSB頻率或內(nèi)存的運行時鐘周期來間接設(shè)置內(nèi)存規(guī)格。
由于內(nèi)存的運行頻率與FSB相同,F(xiàn)SB設(shè)置選項往往在BIOS中與CPU頻率的設(shè)置在一起,其實就是以設(shè)置CPU頻率(倍頻和外頻)的方式來實 現(xiàn)的。
有的主板則是通過內(nèi)存的存取時鐘周期來設(shè)置內(nèi)存運行頻率的。計算內(nèi)存時鐘周期與運行頻率關(guān)系的簡化公式是:1÷內(nèi)存時鐘周期×1000MHz。如7.5ns的SDRAM,它的運行頻率就是1÷7.5×1000MHz=133MHz。
SDRAM和DDR SDRAM在內(nèi)存芯片上都標注了該內(nèi)存的存取時鐘周期,用戶不僅可以根據(jù)這個數(shù)值來正確設(shè)置內(nèi)存,還可以用它來判斷內(nèi)存是否符合標準的規(guī)格。
130.如何設(shè)置RDRAM內(nèi)存?
RDRAM的設(shè)置和優(yōu)化是最簡單的。RDRAM分PC600和PC800兩種規(guī)格,還有一種是不太正式的PC700,性能以PC600最低而PC800最高。要正確設(shè)置RDRAM,首先要做的就是認清自己的內(nèi)存是哪種規(guī)格。
由于RDRAM的工作規(guī)范要求極高,因此大部分P4主板都沒有提供超頻的功能,用戶只要在BIOS中將RDRAM Bus Frequency選項設(shè)置成與內(nèi)存條相同的頻率即可。這里400MHz對應(yīng)PC800內(nèi)存條,而300MHz對應(yīng)PC600內(nèi)存條(PC700內(nèi)存條只能當PC600來用)。
131.怎樣對內(nèi)存參數(shù)進行微調(diào)?
目前絕大多數(shù)主板的BIOS都提供了對內(nèi)存參數(shù)進行微調(diào)的功能,但廠商不同、具體主板采用的芯片組不同,或用以調(diào)節(jié)的項目也不相同。由于內(nèi)存運行參數(shù)微調(diào)涉及到非常專業(yè)的知識,這里只講該調(diào)節(jié)一些什么項目,以及怎樣調(diào)節(jié)。
CL值是調(diào)節(jié)最頻繁的內(nèi)存參數(shù)。CL是CAS Latency(CAS 延遲)的簡寫,該參數(shù)對內(nèi)存性能的影響最大,CL值越小表明內(nèi)存的性能越高。按PC133規(guī)范的技術(shù)文檔說明,只有運行頻率為133MHz、CL=2的內(nèi)存,才真正符合PC133標準。目前市場上的很多所謂的PC133內(nèi)存都不能做到CL=2,DDR SDRAM 內(nèi)存的CL目前大多為2.5或2。
大多數(shù)主板BIOS都可以設(shè)置CL參數(shù)的值(在主板BIOS中該參數(shù)有的表示為CAS Latency,有的為SDRAM CAS Latency Time,也有的表示為SDRAM Cycle Length),該參數(shù)理論上可以隨便設(shè)置,因此可以盡量嘗試減小該值。但此舉如果導致系統(tǒng)無法啟動或運行中死機,就應(yīng)該及時還原該 參數(shù)。
部分主板提供了更為詳細的三個內(nèi)存參數(shù)SDRAM RAS Precharge Time、SDRAM RAS To CAS Delay和SDRAM CAS Latency Time選擇。這幾個數(shù)值都可以慢慢嘗試將其減小。
從VIA 693芯片組開始,VIA公司的所有芯片組還支持一個比較特殊的設(shè)置,即SDRAM 的四路交錯(4Way Interleave)。該參數(shù)可以大大提高SDRAM 的預(yù)充電效率,從而提升內(nèi)存性能。目前很多采用VIA芯片組的主板都有這個設(shè)置,它在菜單中的選項往往被稱為Bank Interleave。在設(shè)置時,只要將其更改為4Bank 或4Way Interleave即可。
132.優(yōu)化系統(tǒng)內(nèi)存有何必要性?
內(nèi)存負責向CPU提供運算所需的原始數(shù)據(jù),當CPU運行速度超過內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣群芏?,就造成了CPU很多時候在等待內(nèi)存提供數(shù)據(jù)的情況,即我們通常所說的“CPU等待時間”,或所謂的“內(nèi)存瓶頸”。內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣仍铰珻PU等待時間就會越長,系統(tǒng)整體性能受到的影響就越大。因此,快速的內(nèi)存是有效提升CPU效率和整機性能的關(guān)鍵之一。通常情況下,購買新的、更快速的內(nèi)存是解決內(nèi)存瓶頸最直接的辦法。不過,利用現(xiàn)有的內(nèi)存做一番優(yōu)化設(shè)置,也能解決該問題。
目前主流內(nèi)存為SDRAM、DDR SDRAM和RDRAM三種。這三種內(nèi)存有一個共同點,即它們都以與系統(tǒng)CPU的外部頻率相同的頻率工作,這個頻率也就是我們常說的一個術(shù)語叫FSB(Front Side Bus,前端總線頻率)。現(xiàn)在的主板都具有比較高的“智能”,這三種內(nèi)存在插到相對應(yīng)的主板后,都能自動設(shè)置正確的運行速度。因此,不需進行任何設(shè)置或調(diào)整,絕大多數(shù)內(nèi)存都能實現(xiàn)“即插即用”。不過,幾乎所有主板的內(nèi)存相關(guān)參數(shù)出廠初始設(shè)置都比較保守,并不能將內(nèi)存的性能充分發(fā)揮,因此,還有必要對內(nèi)存進行優(yōu)化。
133.怎樣優(yōu)化系統(tǒng)內(nèi)存?
Windows對內(nèi)存的管理采取了默認方式,如果用戶想進一步發(fā)揮大容量內(nèi)存的性能和增加系統(tǒng)穩(wěn)定性,就要采取一些必要的優(yōu)化措施。
(1)BIOS中的內(nèi)存優(yōu)化
在對內(nèi)存進行優(yōu)化之前,首先要在BIOS中進行正確的設(shè)置。根據(jù)國外權(quán)威硬件評測專家們分析,對內(nèi)存進行正確的設(shè)置有時可以提高5%的系統(tǒng)性能。
① 內(nèi)存存取時間設(shè)置(SDRAM Timing)
一般來說,內(nèi)存條上都有一個SPD(Serial Presence Detect,串行存在探測)芯片(位置一般在內(nèi)存條正面的右側(cè)),里面記錄了諸如內(nèi)存的速度、容量、電壓與行、列地址帶寬等參數(shù)信息。
通常情況下,在開機啟動過程中,支持SPD的BIOS會自動讀取內(nèi)存SPD芯片中的信息,并按照SPD內(nèi)的預(yù)設(shè)值來設(shè)置內(nèi)存的存取時間。不過,現(xiàn)在大多數(shù)主板都提供了自定義內(nèi)存參數(shù)功能,為了使內(nèi)存最大限度地發(fā)揮性能,用戶可以在BIOS中對內(nèi)存參數(shù)進行手工設(shè)置,方法如下:進入BIOS設(shè)置程序的“Advanced Chipest Features”(高級芯片組特性)設(shè)置菜單,找到關(guān)于SPD的選項,選擇“User Define(用戶自定義)”項,即不選“By SPD”。
② 內(nèi)存信號延遲(SDRAM CAS Latency)
對SDRAM內(nèi)存而言,CAS信號延遲時間的長短對內(nèi)存性能影響很大。普通的兼容內(nèi)存一般只能在CL=3(CAS信號延遲時間為3個時鐘周期)的模式下工作。不過,如果用戶的內(nèi)存品質(zhì)比較好(特別是Kingmax等名牌大廠的產(chǎn)品),則可以在CL=2(CAS信號延遲時間為2個時鐘周期)下正常工作。這時如果BIOS沒有正確讀取SPD芯片中的信息,且把BIOS中的“SDRAM CAS Latency”設(shè)置為“3”,內(nèi)存中的數(shù)據(jù)就會以大于出廠設(shè)定值的延遲周期被讀取,此種情況會導致CL=2內(nèi)存模塊(內(nèi)存時鐘頻率為100MHz或133MHz)以CL=3的模式工作,系統(tǒng)性能也會下降。
③ 內(nèi)存異步設(shè)置(DRAM Clock)
采用VIA芯片組的主板支持內(nèi)存異步工作模式,這樣就可以使系統(tǒng)工作在100MHz外頻下,而內(nèi)存卻工作在133MHz下,性能也提高不少。
關(guān)于內(nèi)存異步設(shè)置的方法很簡單:在BIOS中找到“DRAM Clock:”選項,該項有三種設(shè)置:“HOST CLK”代表內(nèi)存的工作頻率等于系統(tǒng)外頻。如果系統(tǒng)外頻是133MHz,那么會看到“HOST CLK+33MHz”選項,選中它即可設(shè)置內(nèi)存的工作頻率為133MHz。此外,在系統(tǒng)外頻是133MHz的情形下,還可以看到“HOST CLK-33MHz”選項,選中后即可強制內(nèi)存工作在100MHz,這樣就可以繼續(xù)使用原來的PC100內(nèi)存了。
④ 內(nèi)存交錯模式設(shè)置(DRAM Bank Interleave)
內(nèi)存交錯模式設(shè)置仍然是VIA主板的專利,其中有2Bank(2路交錯,有些主板顯示為“2-Way”)、4 Bank、Disabled(禁用)三個選項,現(xiàn)在的內(nèi)存大都支持4路交錯模式運行,用戶可選擇“4 Bank”。
(2)Windows 9x/Me下的內(nèi)存優(yōu)化
雖然WindowsXP越來越流行,但使用Windows 9x/Me作為操作系統(tǒng)的用戶并不少,在該操作系統(tǒng)下
內(nèi)存優(yōu)化有以下一些技巧。
① 正確設(shè)置虛擬內(nèi)存
默認情況下,虛擬內(nèi)存是Windows管理的,這時Windows會根據(jù)硬盤上的可用空間大小選擇默認設(shè)置(這里的硬盤分區(qū)指的是安裝Windows的主分區(qū)),交換文件將隨實際內(nèi)存的使用情況動態(tài)縮小或增大,而這也正是磁盤上不斷產(chǎn)生文件碎片的主要 原因。
但實際上,用戶總是希望把虛擬內(nèi)存設(shè)置在其他可用空間較多的分區(qū),一方面可以提高讀取數(shù)據(jù)的速度和效率,另一方面可以減少主分區(qū)上的文件碎片。具體方法如下:進入“控制面板”→“系統(tǒng)”→“性能”→“虛擬內(nèi)存”對話框,在這里選中“用戶自己指定虛擬內(nèi)存設(shè)置”,然后在“硬盤”下拉列表框中選擇其他分區(qū),同時在“最小值”、“最大值”框中輸入一個相同的數(shù)值,建議此值以物理內(nèi)存的1.5倍 為宜。
② 正確設(shè)置主板用途
在“控制面板”→“系統(tǒng)”→“性能”→“文件系統(tǒng)”中選中“硬盤”選項卡,如果將“此計算機的主要用途”由“臺式機”改變?yōu)?#8220;網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器”的話,就可以得到更優(yōu)秀的性能,當然使用該選項系統(tǒng)會占用較多的內(nèi)存。
此外,在這個下拉列表框中還可以設(shè)置為WinRamTurbo settings、Windows標準用戶、3D游戲用戶、多媒體愛好者、光盤刻錄機用戶、錄音設(shè)備用戶、系統(tǒng)資源緊張用戶、大型軟件用戶等。
如果用戶在“文件系統(tǒng)”→“硬盤”的下拉列表框中沒有找到這些選項,說明用戶的系統(tǒng)內(nèi)存還處于“溫飽”階段,只要增大內(nèi)存容量,就可以發(fā)現(xiàn)它們的“蹤影”。
(3)Windows 2000/XP下的內(nèi)存優(yōu)化
Windows 2000/XP對內(nèi)存的管理較之Windows 9x/Me已經(jīng)大大得到改善,基本上不用作什么調(diào)整。但是如果用戶想將虛擬內(nèi)存的位置移到其他分區(qū)的話,就要注意下面的設(shè)置。由于Windows 2000與Windows XP中的設(shè)置相差不多,故以Windows XP為例進行說明。
安裝Windows XP的分區(qū)根目錄下有兩個占據(jù)幾百兆空間的隱含文件:hiberfile.sys、pagefile.sys。其中hiberfile.sys是使用休眠支持功能后產(chǎn)生的文件,而pagefile.sys是設(shè)置虛擬內(nèi)存后產(chǎn)生的頁面文件,它的作用相當于Windows 9x/Me 下的Win386.swp頁面交換文件。
如果用戶想將這個pagefile.sys文件轉(zhuǎn)移到其他分區(qū)中,可以進入“控制面板”→“系統(tǒng)”→“高級”窗口,單擊“性能”下的“設(shè)置”按鈕,打開“性能選項”對話框中的“高級”標簽頁,然后單擊該窗口最下面的“更改”按鈕,可打開“虛擬內(nèi)存”對話框,從這里可以看到各個驅(qū)動器所使用的頁面文件的大小。如果用戶想保護Windows XP所在分區(qū)空間的完整性,建議將頁面文件設(shè)置在其他可用空間較多的驅(qū)動器中,當然這里的“初始大小”和“最大值”也要保持一致。
(4)優(yōu)化桌面和窗口
對于優(yōu)化桌面和窗口,Win98的一個進步就是有漂亮的Web形式窗口和變化多端的桌面主題,但這需要占用相當大的內(nèi)存空間。
① 設(shè)置窗口
Windows 98的默認窗口是Web窗口,即該窗口有一個信息欄,可以顯示選擇的文件信息,如果是圖片,則將顯示圖片的略圖,這樣的窗口是非常消耗內(nèi)存空間的(根據(jù)不同情況,可能要多占用幾百KB到上兆的內(nèi)存),大多數(shù)時候,用戶不必這樣做,應(yīng)盡可能地簡潔窗口。
打開一個文件夾窗口,選擇菜單“查看/文件夾選項”,在打開的窗口中選擇“傳統(tǒng)風格”,這樣系統(tǒng)的文件窗口樣式就統(tǒng)一變成了簡單的Windows 95窗口樣式了。
如果還要簡潔窗口,可以在文件窗口中的查看菜單中隱藏自己認為沒有必要顯示的項目,如地址欄、文本標簽等,但這些小改動節(jié)約的內(nèi)存有限,還可能帶來操作上的不方便。
② 設(shè)置桌面
不要設(shè)置桌面主題,直接在“控制面板”的“文件添加/刪除”工具中將桌面主題刪除;也不要設(shè)置墻紙,有些BMP格式的墻紙要占用很大的內(nèi)存空間;如果不是迫切需要,亦不要設(shè)置屏幕保護方式。這些都可以節(jié)約用戶寶貴的內(nèi)存。
③ 精心布置桌面快捷方式
桌面上不需要的快捷方式可以刪除,也可以將一些不常用的快捷方式分類保存在少數(shù)的桌面文件夾中,如果桌面上擺滿了快捷方式和文件圖標,那么就會占用非常大的內(nèi)存。另外Windows98的任務(wù)欄中也要注意有控制地添加快捷方式。
④ 其他
還有很多可以提高系統(tǒng)速度、節(jié)約內(nèi)存的方法,例如取消不必要的文件關(guān)聯(lián)、減少新建菜單的項數(shù)、鼠標指向圖標不顯示信息等。但要注意的是不要因噎廢食,例如有的用戶為了節(jié)約一點點內(nèi)存,取消了系統(tǒng)時間在任務(wù)欄中的顯示,這似乎沒有必要。
(5)減少駐留內(nèi)存的程序
駐留內(nèi)存程序
一個程序的執(zhí)行是先將程序代碼和相關(guān)的數(shù)據(jù)讀入內(nèi)存,再從內(nèi)存中將數(shù)據(jù)發(fā)送到CPU。內(nèi)存在一個程序的運行周期中始終保存著該程序的代碼數(shù)據(jù)。有些程序從系統(tǒng)啟動到關(guān)閉一直都在運行,稱為駐留內(nèi)存程序。有些駐留程序是用戶熟悉的,如實時防毒軟件Kill98、ZipMagic等。有些駐留程序是用戶所不熟悉的,如系統(tǒng)的驅(qū)動程序等。
② 監(jiān)視進程
監(jiān)視目前正在執(zhí)行的程序(稱為監(jiān)視進程),最簡單的方法就是按Alt+Ctrl+Del組合鍵,然后在彈出的“關(guān)閉程序”窗口可以看到目前正在運行的程序,也可以在該窗口中將某個程序中斷執(zhí)行。
如果要更詳細了解正在內(nèi)存中執(zhí)行的程序,可以從“開始”欄中選擇菜單“程序→附件→系統(tǒng)工具→系統(tǒng)信息”,在彈出窗口中打開“軟件”分支列表,選擇“正在運行的任務(wù)”,就可以看到目前正在內(nèi)存中駐留運行的程序。另外從“軟件”列表項中,還可以看到多項和內(nèi)存使用有關(guān)的項目,如系統(tǒng)開機啟動的程序、加載的32位模塊(設(shè)備驅(qū)動程序等)。
③ 控制內(nèi)存駐留程序
對于一個小內(nèi)存的系統(tǒng),如果不是特別需要,就盡量不要使用那些駐留內(nèi)存的程序。當然實時監(jiān)控的防毒軟件還是有必要選擇一個。如果要用內(nèi)存駐留工具,最好了解一下它是否占用許多內(nèi)存空間。
要限制系統(tǒng)加載無用的驅(qū)動程序?qū)σ话闳吮容^困難,但使用一些系統(tǒng)優(yōu)化工具可以幫助用戶完成這些工作。一般人能夠做的就是如果系統(tǒng)插槽中有無用的擴展卡(如網(wǎng)卡)拔出,再在“控制面板”的“系統(tǒng)”工具中將該設(shè)備刪除。另外將C盤根目錄下的Config.sys和Autobake.bak文件刪除,這兩個文件是提供給純DOS系統(tǒng)用的設(shè)備驅(qū)動表和預(yù)加載程序表,Windows下不需要這些設(shè)備驅(qū)動。
有些隨著系統(tǒng)啟動而駐留內(nèi)存的程序,如果要設(shè)置它不自動啟動,可以看它在“開始→程序→啟動”菜單欄中是否有快捷方式,如果有,就直接刪除;如果沒有,可以在系統(tǒng)信息程序界面中,選擇菜單“工具→系統(tǒng)配置實用程序”,然后選擇“啟動”標簽,在該標簽窗口就可以選擇不要自動啟動的程序。例如,用戶可以設(shè)置不自動啟動“計劃任務(wù)”工具。如果用戶認為當前病毒傳染的危險性不大,也可以選擇不自動啟動實時病毒監(jiān)測程序。經(jīng)過精心選擇必備的自動駐留內(nèi)存的程序,可以節(jié)約很多內(nèi)存空間。
(6)減少緩存和用好虛擬緩存
① 減少磁盤高速緩存
將內(nèi)存的一部分設(shè)置為磁盤高速緩存,可以提高磁盤的讀寫速度,但如果內(nèi)存比較少,就很有害了。對于小內(nèi)存的系統(tǒng),建議將硬盤的高速緩存設(shè)置得較小,即調(diào)節(jié)預(yù)讀式優(yōu)化,在“控制面板”的“系統(tǒng)”工具中調(diào)節(jié)。另外堅決不要在該窗口中選擇“網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器”,以免系統(tǒng)劃撥大量的內(nèi)存空間作為磁盤高速 緩存。
② 減少光驅(qū)高速緩存
同樣,也不要設(shè)置太多的光驅(qū)緩存。建議不要選擇光驅(qū)的最佳訪問方式為“四倍速或更高速”(可選擇“倍速驅(qū)動器”),同時不追加高速緩存的大小,這樣可以節(jié)約大約1MB內(nèi)存。
③ 用好虛擬緩存
小內(nèi)存系統(tǒng)是比較頻繁使用虛擬內(nèi)存的,因此設(shè)置好虛擬內(nèi)存比較重要,另外經(jīng)常整理C盤可以加快虛擬內(nèi)存的速度。
④ 減少虛擬磁盤
用內(nèi)存來虛擬磁盤,曾在DOS系統(tǒng)中流行,而現(xiàn)在的Windows系統(tǒng),則會自動設(shè)置虛擬磁盤,稱為Virtual Catch。虛擬磁盤可以增加文件的讀寫速度,增強系統(tǒng)的性能,但對于小內(nèi)存系統(tǒng),如果設(shè)置了太多的內(nèi)存空間為虛擬磁盤,反而會引起系統(tǒng)的性能下降。修改虛擬磁盤大小的方法為:
啟動記事本程序,打開C盤系統(tǒng)目錄Windows中的System.ini文件。
查找到[vcache]字段,將“MaxFileCache=”后的數(shù)值改為合適的數(shù)值(單位是KB),例如系統(tǒng)有16MB內(nèi)存,一般就改為4096(即4M)。
“MinFileCache=”的數(shù)值可以和前面相同或者少一些。保存文件后重新啟動系統(tǒng)即可。
(7)精打細算盡量使用小巧的應(yīng)用程序
如果經(jīng)常使用的軟件都是很耗費內(nèi)存的,那么上面的節(jié)約內(nèi)存方法都是徒勞的。因此要盡量使用小巧的程序,例如可以少用Outlook(占內(nèi)存10MB),多使用FoxMail(占內(nèi)存5MB);使用Word占內(nèi)存13MB以上,而大多數(shù)時候都可以用寫字板,占內(nèi)存4MB,甚至可以使用記事本,僅占內(nèi)存400KB,WPS 2000對內(nèi)存的占用也只有7MB。但打開一個IE5窗口就需要7MB~9MB,打開多個窗口就占內(nèi)存更多了??傊?,任何類別的工具都可以找到占用內(nèi)存少的。
(8)講究操作的技巧
① 不要打開太多的窗口和同時運行太多的 程序。
② 如果要運行多個程序,注意選擇占內(nèi)存少的程序。
③ 注意清除剪貼板中的圖像和大文本,剪貼一個字的文本即可。如果要運行大型程序,最好重新啟動一下系統(tǒng),把混亂的內(nèi)存空間復原,或者使用內(nèi)存優(yōu)化工具釋放空間。
④ 注意一些內(nèi)存工具和加速工具,這些工具常常駐留內(nèi)存,本身就占用很大的內(nèi)存空間,如果內(nèi)存很小,將得不償失。
⑤ 在一些程序中,可以關(guān)閉的功能就關(guān)閉,如聲音提示等。
134.內(nèi)存優(yōu)化常用的工具有哪些?
內(nèi)存優(yōu)化工具可以幫助系統(tǒng)更好地使用內(nèi)存。常用的內(nèi)存優(yōu)化工具如下:
(1)RAM Refiner
PAM Refiner是一個使用簡單的在線內(nèi)存碎片優(yōu)化工具,它只提供即時優(yōu)化內(nèi)存碎片功能,并不提供將內(nèi)存中的數(shù)據(jù)信息轉(zhuǎn)存到硬盤中虛擬內(nèi)存交換文件的功能。RAM Refiner的網(wǎng)址是http://spifire.cwv.net/~ zemerick/software/index.html,該工具的下載鏈接網(wǎng)址是:http://www.sunv.com/ newhua/file/ramrefiner30.zip。
(2)WinRam Turbo
WinRam Turbo使用簡單、自動化程度高。該工具可對系統(tǒng)內(nèi)存、文件及磁盤緩存進行優(yōu)化,清除系統(tǒng)剪貼板中的信息,從而使系統(tǒng)運行地更加穩(wěn)定、快速。它還能夠即時回收磁盤和內(nèi)存碎片,調(diào)整內(nèi)存使用情況。此外,程序在界面中也提供了當前CPU的使用情況,以及系統(tǒng)資源的使用狀況數(shù)據(jù)。該工具的下載鏈接網(wǎng)址是http://scselp.com/winramturbo100t. zip。
(3)Memory +
Memory +是一個功能獨特的內(nèi)存管理工具。該工具提供了許多新功能,比如將指定的應(yīng)用程序設(shè)置為休眠狀態(tài),到需要使用時再恢復,這同樣可以釋放可用內(nèi)存空間,同時也不會關(guān)閉該應(yīng)用程序。程序提供了應(yīng)用程序運行優(yōu)先級設(shè)置,將不經(jīng)常使用的應(yīng)用程序運行優(yōu)先級降低,將需要經(jīng)常使用的應(yīng)用程序運行優(yōu)先級提高,以加速應(yīng)用程序運行。此外,Memory+提供了一個系統(tǒng)緩存設(shè)置功能Cache Wizard ,通過該功能,可以方便地定義系統(tǒng)緩存大小,對系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存取進行優(yōu)化。同其他工具一樣,Memory+也提供了系統(tǒng)內(nèi)存空間優(yōu)化功能,功能非常全面。該工具的下載鏈接網(wǎng)址是ftp://ftp.cdrom.com/pub/simtelnet/ cnet/win95/utilities/mp10tr.exe。
(4)WinRAM=Booster
WinRAM的功能非常單一,即優(yōu)化內(nèi)存。程序提供的界面形式很簡單,而且作為共享軟件,程序提供了有限制功能的版本,限制功能主要是后臺自動優(yōu)化內(nèi)存和將系統(tǒng)中不再使用的DLL文件信息轉(zhuǎn)移到系統(tǒng)在硬盤中的交換文件中,這都是非常不錯的功能。不過用戶還是可以使用程序提供的手動優(yōu)化內(nèi)存。該工具的下載鏈接網(wǎng)址是http://www.newhua. com/down/Rambooster.zip。
(5)RamBooster
RamBooster的功能也主要集中在內(nèi)存優(yōu)化上。程序還提供了另外一項功能,即消除系統(tǒng)剪貼板中的信息,這也是釋放內(nèi)存空間的一種方式。程序提供的另外的特色功能是快速重新啟動Windows或者重新啟動機器,也算相對實用的功能。RamBooster是自由軟件,用戶可以放心使用程序提供的全部功能。該工具的下載鏈接地址是http://www.sci.fi/~borg/ rambooster/Ramboosterzip.zip。
135.內(nèi)存故障一般有哪些表現(xiàn)?
內(nèi)存是集成度很高的精密半導體器件,如果質(zhì)量不好或使用不當,出現(xiàn)故障的可能性就較大。內(nèi)存出現(xiàn)問題一般有以下表現(xiàn):
如果內(nèi)存損壞或者安裝不當,一般會在計算機開機時黑屏,機箱喇叭發(fā)出連續(xù)的報警聲;另外,如果開機自檢時的容量與標稱容量不相符,也可能是內(nèi)存有物理損壞或與插槽接觸不良。
內(nèi)存有質(zhì)量問題,通常會導致“注冊表出錯”,這是很常見的故障現(xiàn)象。這種情況往往是由內(nèi)存工作不穩(wěn)定所造成的。尤其是在超外頻的情況下,如果內(nèi)存質(zhì)量不過關(guān),在高外頻下無法穩(wěn)定工作,就可能出現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸錯誤,進而引起其他方面的問題,比如導致計算機頻繁死機或經(jīng)常出現(xiàn)“非法操作錯誤”的 提示。
內(nèi)存質(zhì)量有問題,還將導致啟動時himem.sys 出錯。
136. 256MB內(nèi)存為何只檢測出128MB?
如果一條256MB內(nèi)存系統(tǒng)只檢測出128MB,而在別的機器上檢測出來的是256MB,這種情況可能由兩個原因所致:
q 通常單面內(nèi)存條每條占用一組Bank,而雙面內(nèi)存條則每條占用兩組Bank。由于某些芯片組(如Intel 815)只能正確識別的單組物理Bank最高容量為128MB,因此就造成部分Intel主板無法使用某些“集成”度較高的256MB內(nèi)存,即主板只能使用它總?cè)萘康囊话?,可將其更換為兩條128MB的單面內(nèi)存。
如果計算機比較老,其主板最高只能識別128MB內(nèi)存。q
137.怎樣處理內(nèi)存條混插常見的一些 問題?
(1)無法正常開機,甚至黑屏
這類現(xiàn)象主要有三個解決辦法:第一,更換內(nèi)存的位置,這是最為簡單也是最常用的一種方法;第二,在基本能開機的前提下,進入BIOS設(shè)置,將內(nèi)存的相應(yīng)項(包括CAS等)設(shè)置成為低規(guī)范內(nèi)存的相應(yīng)值;第三,使用其中的一根內(nèi)存(如果是PC100和PC133的內(nèi)存混合使用,最好使用PC100的內(nèi)存),啟動計算機,進入BIOS設(shè)置,強行將內(nèi)存的相應(yīng)項設(shè)置成為低規(guī)范內(nèi)存的相應(yīng)值,確定無誤后,方可關(guān)機插入第二根內(nèi)存。
(2)計算機運行不穩(wěn)定
這類問題的出現(xiàn)主要是由內(nèi)存兼容性造成的。解決的基本思路是:第一,更換內(nèi)存的位置;第二,升級更新更好的操作系統(tǒng),一般來說,新的操作系統(tǒng)擁有更好的管理機制,能更好地使用和調(diào)配不同型號的硬件;第三,如果主板支持內(nèi)存異步工作方式,則強行設(shè)置內(nèi)存的工作頻率(以低規(guī)范內(nèi)存為準),該方法對使用銅礦Pentium III CPU,且同時使用PC100和PC133兩種內(nèi)存的情況相當有效。
如果是使用了不同電壓的內(nèi)存進行混插而出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況,則要看主板是否支持內(nèi)存電壓可調(diào),如果主板支持,可以在主板上或BIOS中強行設(shè)置內(nèi)存的電壓為所有混插內(nèi)存中的最低值電壓。
(3)混插后內(nèi)存的總?cè)萘亢陀嬎銠C測試的內(nèi)存值不等
造成這種現(xiàn)象的原因有兩種,第一種可能是主板BIOS版本過低,所能支持內(nèi)存的總?cè)萘坑幸粋€上限值,超過上限值的容量均無法識別和使用,解決的方法是下載主板最新的BIOS程序進行刷新;第二種可能是由主板芯片組自身的原因所造成的。一些老主板只支持256MB內(nèi)存的容量(甚至更低),超出256MB的部分均不能識別和使用,解決該問題的惟一方法就是更換主板。
(4)內(nèi)存混插導致操作系統(tǒng)無法啟動
這是比較典型的內(nèi)存不兼容故障。通常可以對其用這樣的方法處理:啟動計算機后直接進入BIOS設(shè)置,然后將內(nèi)存條的工作狀態(tài)設(shè)置為規(guī)格性能較低的那條內(nèi)存的標準。一般這樣做就能解決問題,若還是不行,則可以考慮更換內(nèi)存安插位置試試。如果只有兩個內(nèi)存插槽,直接調(diào)換兩根內(nèi)存的安插位置即可。如果試過了所有的內(nèi)存插槽組合還是無法使系統(tǒng)正常工作,只有舍棄一條內(nèi)存了。
建議:購買內(nèi)存時按照用“一個品牌路線”的方針,始終購買一個牌子的內(nèi)存,這樣兼容性問題的出現(xiàn)幾率會大大降低。
(5)常規(guī)內(nèi)存減少1KB
在DOS方式下,常規(guī)內(nèi)存是指0KB~640KB范圍的內(nèi)存。如果發(fā)現(xiàn)常規(guī)內(nèi)存減少1KB,則要檢查病毒、看CMOS參數(shù)。
早期的名牌計算機,如CPMPAQ等本身就少1KB甚至幾KB內(nèi)存是正常的。一些386/486計算機上的BIOS Setup中在BIOS Features Setup中CMOS參數(shù)是否占有DOS 1KB的選項,也使內(nèi)存減少1KB,選擇另外的選項就可以解決這個問題。
138.怎樣處理內(nèi)存檢測時間長的問題?
通過設(shè)置Quick Power On Self Test和Esc鍵來解決。具體操作如下:
開機時,按Del鍵進入Setup。q
q 選擇BIOS Features Setup,回車。
使用PgDn鍵把Quick Power On Self Test設(shè)置為Enabled。q
使用F10鍵退出(回答Y);開機自檢內(nèi)存時,按Esc鍵跳過自檢。q
隨著內(nèi)存價格急劇下降,計算機基本配置內(nèi)存容量的增加,開機內(nèi)存自檢的時間越來越長,即使使用快速檢測,把三遍檢測改成一遍檢測時間也不短,因此需要使用Esc鍵直接跳過檢測。以后Setup一定會有完全不檢測內(nèi)存的開關(guān)。
139.怎樣處理不識別128MB 以上內(nèi)存的問題?
不識別128MB以上內(nèi)存的情況可能是主板限制。主板有個指標,即最大內(nèi)存容量支持,一般限制在256MB,高的512MB。而128MB是比較低檔主板的內(nèi)存容量限制,只有更換主板。因此,與其更換內(nèi)存條,不如更換主板和CPU。
140.怎樣處理整條內(nèi)存丟失的問題?
因為內(nèi)存條與主板存在兼容性,因此有可能出現(xiàn)整條內(nèi)存丟失的問題。處理方法:更換內(nèi)存條。
141.怎樣處理內(nèi)存部分減少的問題?
首先要會區(qū)分集成顯示卡主板共享存儲器,其次使BIOS保留15~16MB的空間給擴展卡,最后是Smartdrv占用問題。如果用戶使用的是集成在主板上的顯示卡,而顯示卡與主板共享內(nèi)存儲器,就會出現(xiàn)這樣的情況。開機后,內(nèi)存自檢時顯示的內(nèi)容與正常主板顯示的內(nèi)容不一樣。正常主板只顯示一個內(nèi)存容量,而集成聲卡主板會顯示“15360KB+1024KB Shared Memory[a1]”,表示16MB有1MB用于顯示緩存了。開機,按Del 鍵進入BIOS設(shè)置,把ChipSet Features Setup中的“Memory Hole At 15M~16M”設(shè)置成Disabled。
如果設(shè)置成Disabled后,系統(tǒng)或某個擴展卡不能穩(wěn)定地使用,可恢復上面的設(shè)置為Enabled。
如果上面的選項本來就是Disabled,就接著檢查Smartdrv占用。
檢查Smartdrv占用:開機后,進入MS-DOS兼容方式,使用Edit C:\Autoexec.bat把發(fā)現(xiàn)的Smartdrv 命令刪除掉或在前面加注釋前綴Rem。
142.怎樣處理系統(tǒng)總是提示內(nèi)存不足的問題?
系統(tǒng)提示內(nèi)存不足的解決可參考以下方案:
q 真正的內(nèi)存不足,安裝操作系統(tǒng)建議的基本內(nèi)存沒達到。解決方法:增加內(nèi)存條。
q 安裝的程序太多,在系統(tǒng)啟動時就啟動了不少程序。建議把少用或者不用的軟件刪除,或者把它們的默認啟動設(shè)置為不啟動。解決方法:關(guān)閉殺毒監(jiān)控程序和其他一些不必要的軟件。
中了病毒,有些病毒就會造成不停止地運行死循環(huán)的程序,會消耗系統(tǒng)資源。解決方法:用殺毒軟件查殺病毒。q
143.內(nèi)存條松動或接觸不良會產(chǎn)生什么問題?
當機器不能啟動而又無顯示和聲音等任何提示信息并排除了顯示系統(tǒng)接觸不良情況時,原因是內(nèi)存條有問題。首先檢查內(nèi)存條接觸是否良好,當內(nèi)存條由于經(jīng)常插拔松動時,由于振動等原因可能會出現(xiàn)該類故障。內(nèi)存條由于松動或插拔等原因造成接觸不良時,會出現(xiàn)內(nèi)存空間減少現(xiàn)象,如果運行Windows 9x/Me/2000/XP則會造成系統(tǒng)性能降低、啟動和運行速度變慢等現(xiàn)象。
144.內(nèi)存條類型或速度不匹配會產(chǎn)生什么問題?
如果在運行大型應(yīng)用程序或播放VCD時,經(jīng)常出現(xiàn)無故的死機或內(nèi)部錯誤問題,而又查不出其他原因時,很可能是由于內(nèi)存條類型或速度不匹配,這時可以仔細對內(nèi)存條進行查看。解決的辦法就是統(tǒng)一內(nèi)存條類型或速度來保持系統(tǒng)的穩(wěn)定性。