吸收電路是用以控制關斷浪涌電壓和續(xù)流二極管恢復浪涌電壓的。
a. 關斷浪涌
關斷浪涌電壓是在關斷瞬間流過IGBT的電流時產(chǎn)生的瞬態(tài)高壓。
1. 
2.
圖1是半橋感性負載電路 ， 圖2是它的波形。
下面的IGBT由一組脈沖來控制導通和關斷。每當下臂導通電流都將增加。當該IGBT關斷時，負載電流不能立即變化，由上臂續(xù)流二極管導通。如果電路是理想的（不存在寄生電感），關斷時下臂上的電壓將上升，直到比母線電壓高出一個壓降值。上臂的續(xù)流二極管隨后導通以防止電壓進一步上升。但實際電路中必有寄生電感（Lp），且增加的電壓VP=LP×di/dt,這個電壓與電源電源電壓疊加并以浪涌形式加在下臂IGBT的兩端，在極端情況下可能因超過VCES而損壞。
b. 續(xù)流二極管的恢復浪涌
當續(xù)流二極管恢復時會產(chǎn)生與關斷浪涌電壓相似的浪涌電壓。
當下臂IGBT開通時，續(xù)流管電流轉移到下臂IGBT而下降。而當恢復時，線路中的寄生電感產(chǎn)生一個浪涌電壓LP×di/dt.
c. 接地回路
當控制信號（柵極驅動）與主電流共用一個電流路徑時會導致接地回路。
由于主回路有很高的di/dt，至使在具有寄生電感的功率回路產(chǎn)生感應電壓，而導致可能感應到柵極把本來截止的IGBT導通。下圖描述了避免接地回路的噪聲。
圖A：這種電路適合于小電流六合一封裝的模塊。
圖B：這種電路適合于200A額定電流的模塊。（下臂柵極電源獨立）
圖C：超過300A的模塊推薦使用。
d. 減小功率電路之電感
浪涌電壓與寄生電感LP成正比。
所以在大電流模塊的使用中更要降低回路電感
迭層母線結構橫截面圖（極板放大以示細節(jié)）
2.2. 吸收電路之設計
大電流三相變頻器主回路布局
圖A：由一個低感電容跨接在C1E2間，六合一的模塊接在PN之間。
圖B：該二極管箝住瞬變電壓，抑制諧振。RC時間常數(shù)應為開關周期的約為1/3（τ=T/3=1/3f）.
圖C：大電流應用電路。
圖D：能有效控制瞬變電壓，寄生震蕩及噪音。不過高頻應用欠佳。
此圖中ΔV=LS×di/dt（關斷電壓波形）
LS=吸收電路的寄生電感；di/dt=關斷瞬間或恢復瞬間的di/dt
由此可見大功率IGBT電路必須采用低感吸收電路。
設初試浪涌后隨著吸收電容的充電，第二次瞬間電壓為ΔV2
則：1/2LP I²=1/2CΔV2² （P=母線電感，I=工作電流，C=吸收電容；ΔV2=吸收電容峰值；）
則C=LPI²/ΔV2²
因為電容量和母線電感成正比，所以降低母線電感就能減少吸收電容。
