內(nèi)存帶寬知識(shí)
一、 內(nèi)存帶寬的基礎(chǔ)知識(shí) 1． 何謂內(nèi)存帶寬 從功能上理解，我們可以將內(nèi)存看作是內(nèi)存控制器（一般位于北橋芯片中）與CPU之間的橋梁或與倉(cāng)庫(kù)。顯然，內(nèi)存的容量決定“倉(cāng)庫(kù)”的大小，而內(nèi)存的帶寬決定“橋梁”的寬窄，兩者缺一不可，這也就是我們常常說(shuō)道的“內(nèi)存容量”與“內(nèi)存速度”。 除了內(nèi)存容量與內(nèi)存速度，延時(shí)周期也是決定其性能的關(guān)鍵。當(dāng)CPU需要內(nèi)存中的數(shù)據(jù)時(shí)，它會(huì)發(fā)出一個(gè)由內(nèi)存控制器所執(zhí)行的要求，內(nèi)存控制器接著將要求發(fā)送至內(nèi)存，并在接收數(shù)據(jù)時(shí)向CPU報(bào)告整個(gè)周期（從CPU到內(nèi)存控制器，內(nèi)存再回到CPU）所需的時(shí)間。毫無(wú)疑問(wèn)，縮短整個(gè)周期也是提高內(nèi)存速度的關(guān)鍵，這就好比在橋梁上工作的警察，其指揮疏通能力也是決定通暢度的因素之一。 更快速的內(nèi)存技術(shù)對(duì)整體性能表現(xiàn)有重大的貢獻(xiàn)，但是提高內(nèi)存帶寬只是解決方案的一部分，數(shù)據(jù)在CPU以及內(nèi)存間傳送所花的時(shí)間通常比處理器執(zhí)行功能所花的時(shí)間更長(zhǎng)，為此緩沖區(qū)被廣泛應(yīng)用。其實(shí)，所謂的緩沖器就是CPU中的一級(jí)緩存與二級(jí)緩存，它們是內(nèi)存這座“大橋梁”與CPU之間的“小橋梁”。事實(shí)上，一級(jí)緩存與二級(jí)緩存采用的是SRAM，我們也可以將其寬泛地理解為“內(nèi)存帶寬”，不過(guò)現(xiàn)在似乎更多地被解釋為“前端總線(xiàn)”，所以我們也只是簡(jiǎn)單的提一下。事先預(yù)告一下，“前端總線(xiàn)”與“內(nèi)存帶寬”之間有著密切的聯(lián)系，我們將會(huì)在后面的測(cè)試中有更加深刻的認(rèn)識(shí)。
2． 內(nèi)存帶寬的重要性 內(nèi)存帶寬為何會(huì)如此重要呢？在回答這一問(wèn)題之前，我們先來(lái)簡(jiǎn)單看一看系統(tǒng)工作的過(guò)程?；旧袭?dāng)CPU接收到指令后，它會(huì)最先向CPU中的一級(jí)緩存（L1 Cache）去尋找相關(guān)的數(shù)據(jù)，雖然一級(jí)緩存是與CPU同頻運(yùn)行的，但是由于容量較小，所以不可能每次都命中。這時(shí)CPU會(huì)繼續(xù)向下一級(jí)的二級(jí)緩存（L2 Cache）尋找，同樣的道理，當(dāng)所需要的數(shù)據(jù)在二級(jí)緩存中也沒(méi)有的話(huà)，會(huì)繼續(xù)轉(zhuǎn)向L3 Cache（如果有的話(huà)，如K6-2＋和K6-3）、內(nèi)存和硬盤(pán)。由于目前系統(tǒng)處理的數(shù)據(jù)量都是相當(dāng)巨大的，因此幾乎每一步操作都得經(jīng)過(guò)內(nèi)存，這也是整個(gè)系統(tǒng)中工作最為頻繁的部件。如此一來(lái)，內(nèi)存的性能就在一定程度上決定了這個(gè)系統(tǒng)的表現(xiàn)，這點(diǎn)在多媒體設(shè)計(jì)軟件和3D游戲中表現(xiàn)得更為明顯。 3D顯卡的內(nèi)存帶寬（或許稱(chēng)為顯存帶寬更為合適）的重要性也是不言而喻的，甚至其作用比系統(tǒng)的內(nèi)存帶寬更為明顯。大家知道，顯示卡在進(jìn)行像素渲染時(shí)，都需要從顯存的不同緩沖區(qū)中讀寫(xiě)數(shù)據(jù)。這些緩沖區(qū)中有的放置描述像素ARGB（阿爾法通道，紅，綠，藍(lán)）元素的顏色數(shù)據(jù)，有的放置像素Z值（用來(lái)描述像素的深度或者說(shuō)可見(jiàn)性的數(shù)據(jù)）。 顯然，一旦產(chǎn)生Z軸數(shù)據(jù)，顯存的負(fù)擔(dān)會(huì)立即陡然提升，在加上各種材質(zhì)貼圖、深度復(fù)雜性渲染、3D特效，其工作量可想而知。在更多情況下，顯存帶寬的重要性超越了顯存容量，這點(diǎn)我們將在后文的測(cè)試中有詳細(xì)說(shuō)明。
3．如何提高內(nèi)存帶寬 內(nèi)存帶寬的計(jì)算方法并不復(fù)雜，大家可以遵循如下的計(jì)算公式：帶寬＝總線(xiàn)寬度×總線(xiàn)頻率×一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)交換的數(shù)據(jù)包個(gè)數(shù)。 很明顯，在這些乘數(shù)因子中，每個(gè)都會(huì)對(duì)最終的內(nèi)存帶寬產(chǎn)生極大的影響。然而，如今在頻率上已經(jīng)沒(méi)有太大文章可作，畢竟這受到制作工藝的限制，不可能在短時(shí)間內(nèi)成倍提高。而總線(xiàn)寬度和數(shù)據(jù)包個(gè)數(shù)就大不相同了，簡(jiǎn)單的改變會(huì)令內(nèi)存帶寬突飛猛進(jìn)。DDR技術(shù)就使我們感受到提高數(shù)據(jù)包個(gè)數(shù)的好處，它令內(nèi)存帶寬瘋狂地提升一倍。 當(dāng)然，提高數(shù)據(jù)包個(gè)數(shù)的方法不僅僅局限于在內(nèi)存上做文章，通過(guò)多個(gè)內(nèi)存控制器并行工作同樣可以起到效果，這也就是如今熱門(mén)的雙通道DDR芯片組（如nForce2、I875/865等）。事實(shí)上，雙通道DDR內(nèi)存控制器并不能算是新發(fā)明，因?yàn)樵缭赗AMBUS時(shí)代，RDRAM就已經(jīng)使用了類(lèi)似技術(shù)，只不過(guò)當(dāng)時(shí)RDRAM的總線(xiàn)寬度只有16Bit，無(wú)法與DDR的64Bit相提并論。內(nèi)存技術(shù)發(fā)展到如今這一階段，四通道內(nèi)存控制器的出現(xiàn)也只是時(shí)間問(wèn)題，VIA的QBM技術(shù)以及SiS支持四通道RDRAM的芯片組，這些都是未來(lái)的發(fā)展方向。 至于顯卡方面，我們對(duì)其顯存帶寬更加敏感，這甚至也是很多廠商用來(lái)區(qū)分高低端產(chǎn)品的重要方面。同樣是使用DDR顯存的產(chǎn)品，128Bit寬度的產(chǎn)品會(huì)表現(xiàn)出遠(yuǎn)遠(yuǎn)勝過(guò)64Bit寬度的產(chǎn)品。當(dāng)然提高顯存頻率也是一種解決方案，不過(guò)其效果并不明顯，而且會(huì)大幅度提高成本。值得注意的是，目前部分高端顯卡甚至動(dòng)用了DDRII技術(shù)，不過(guò)至少在目前看來(lái)，這項(xiàng)技術(shù)還為時(shí)過(guò)早。
4．如何識(shí)別產(chǎn)品的內(nèi)存帶寬 對(duì)于內(nèi)存而言，辨別內(nèi)存帶寬是一件相當(dāng)簡(jiǎn)單的事情，因?yàn)镾DRAM、DDR、RDRAM這三種內(nèi)存在外觀上有著很大的差別，大家通過(guò)下面這副圖就能清楚地認(rèn)識(shí)到。唯一需要我們?nèi)ケ嬲J(rèn)的便是不同頻率的DDR內(nèi)存。目前主流DDR內(nèi)存分為DDR266、DDR333以及DDR400，其中后三位數(shù)字代表工作頻率。通過(guò)內(nèi)存條上的標(biāo)識(shí)，自然可以很方便地識(shí)別出其規(guī)格。 相對(duì)而言，顯卡上顯存帶寬的識(shí)別就要困難一些。在這里，我們應(yīng)該抓住“顯存位寬”和“顯存頻率”兩個(gè)重要的技術(shù)指標(biāo)。顯存位寬的計(jì)算方法是：?jiǎn)螇K顯存顆粒位寬×顯存顆粒總數(shù)，而顯存頻率則是由"1000/顯存顆粒納秒數(shù)"來(lái)決定。一般來(lái)說(shuō)，我們可以從顯存顆粒上一串編號(hào)的最后2兩位看出其納秒數(shù)，從中也就得知其顯存頻率。至于單塊顯存顆粒位寬，我們只能在網(wǎng)上查詢(xún)。 HY、三星、EtronTech（鈺創(chuàng)）等都提供專(zhuān)用的顯存編號(hào)查詢(xún)網(wǎng)站，相當(dāng)方便。如三星的顯存就可以到如下的地址下載，只要輸入相應(yīng)的顯存顆粒編號(hào)即可（
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm）。此外，使用RivaTuner也可以檢測(cè)顯卡上顯存的總位寬，大家打開(kāi)RivaTuner在MAIN菜單即可看到。
二、 內(nèi)存帶寬測(cè)試分析 在了解一些相關(guān)的重要知識(shí)之后，我們將通過(guò)詳細(xì)的測(cè)試向大家展示內(nèi)存帶寬的奧秘。對(duì)于不同的CPU平臺(tái)，內(nèi)存帶寬的重要性不盡相同，而在與內(nèi)存延時(shí)的搭配上，內(nèi)存帶寬也有很多學(xué)問(wèn)。好了，還是請(qǐng)大家看具體的測(cè)評(píng)。
1．AMD-nForce2平臺(tái)的內(nèi)存帶寬分析 正是nForce2芯片組的出現(xiàn)才讓AthlonXP平臺(tái)向更高的前端總線(xiàn)發(fā)展，而經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的超頻體驗(yàn)，不少用戶(hù)都會(huì)前端總線(xiàn)與內(nèi)存帶寬之間的關(guān)聯(lián)有了一定的認(rèn)識(shí)。一般而言，我們的常理告訴我們內(nèi)存頻率越高越好，因?yàn)樗苯記Q定了內(nèi)存帶寬。然而在nForce2芯片組中則并不是這樣一回事。由于內(nèi)存控制器的特殊性，它要求DDR內(nèi)存與CPU同步運(yùn)行時(shí)才能達(dá)到最佳性能。下面是nForce2芯片組在內(nèi)存同步/異步條件下的測(cè)試成績(jī)： 簡(jiǎn)單說(shuō)來(lái)，即CPU設(shè)定為166MHz外頻（333MHz前端總線(xiàn)）、DDR運(yùn)行于DDR333模式時(shí)，其性能要比CPU設(shè)定為166MHz外頻、DDR運(yùn)行于DDR400模式的方案更好。所以，無(wú)論在何種情況下，我們都建議nForce2用戶(hù)將"Memory Frequency"設(shè)定為"Sync（同步）"。事實(shí)上，同樣的情況也出現(xiàn)在ALi MAGiK1和SiS745這兩款芯片組上，DDR333在不同步時(shí)性能反而不如DDR266同步，好在它們的市場(chǎng)份額并不大。 此外，當(dāng)我們使用不集成顯卡的SPP北橋時(shí)，單通道與雙通道之間的性能差距微乎其微，甚至都可以將微小的差距理解為測(cè)試誤差。而在使用集成顯卡的IGP北橋中，雙通道確實(shí)展現(xiàn)出很大的優(yōu)勢(shì)。毫無(wú)疑問(wèn)，對(duì)于nForce2而言，雙通道盡管能夠提升內(nèi)存帶寬，但是AthlonXP的前端總線(xiàn)利用不上，單通道DDR已經(jīng)完全能夠滿(mǎn)足其需求。之所以nForce2能再KT400面前橫行霸道，其關(guān)鍵還在于內(nèi)存控制器的效率，而非雙通道技術(shù)。
2．AMD-KT400A平臺(tái) VIA的KT400A也是一款主流SocketA芯片組，那么它究竟是否會(huì)出現(xiàn)高內(nèi)存頻率異步時(shí)性能不佳的情況呢？請(qǐng)大家先不要忙著下結(jié)論，更應(yīng)該拋棄以往對(duì)KT333/400的陳見(jiàn)，因?yàn)镵T400A的內(nèi)存控制器經(jīng)過(guò)了VIA的重新設(shè)計(jì)。 顯然，KT400A已經(jīng)能夠利用里DDR400的高帶寬，即便是在內(nèi)存異步的情況下?，F(xiàn)在，大家應(yīng)該很明白在SocketA平臺(tái)下的內(nèi)存優(yōu)化了吧，確實(shí)很簡(jiǎn)單：nForce2要保持同步，而KT400A/600應(yīng)該盡可能提高內(nèi)存頻率。
3．Intel-I845PE平臺(tái) 盡管單通道的I845PE芯片組已經(jīng)略顯落伍，但是我們能夠從中分析出單通道情況下，內(nèi)存帶寬的重要性。事實(shí)上，P4處理器很早就達(dá)到533MHz前端總線(xiàn)（133MHz外頻），此時(shí)只有使用DDR333才算是同步運(yùn)行。 很明顯，DDR333的高內(nèi)存帶寬在此表現(xiàn)出明顯的性能優(yōu)勢(shì)，無(wú)論對(duì)3D游戲還是商業(yè)應(yīng)用軟件都大有裨益。事實(shí)上，單通道DDR對(duì)于Pentium4的Netburst架構(gòu)而言?xún)H僅是杯水車(chē)薪，即便是DDR333也無(wú)法滿(mǎn)足Pentium4的需求，因?yàn)?33MHz前端總線(xiàn)的Pentium4必須擁有
4.2GB/s的內(nèi)存帶寬才能充分別發(fā)揮性能，而單通道的DDR333只具備2.7GB/s，更不用說(shuō)DDR266了。
4．Intel-I865PE I865PE芯片組是如今毫無(wú)疑問(wèn)的當(dāng)紅小生，憑借雙通道DDR技術(shù)。它完全解決了內(nèi)存帶寬的瓶頸，引爆P4處理器的最大動(dòng)力。在這里，我們將對(duì)比單通道DDR400、雙通道DDR400以及雙通道DDR333之間的性能。當(dāng)然，此時(shí)的P4處理器運(yùn)行于800MHz前端總線(xiàn)。 雙通道DDR確實(shí)是P4處理器的最佳拍檔，在這種環(huán)境下，系統(tǒng)的整體性能得到最佳發(fā)揮。如果對(duì)比一下各種前端總線(xiàn)的P4處理器所需要的帶寬以及各種內(nèi)存模式能夠提供的帶寬，我們也就不難理解出現(xiàn)這一現(xiàn)象的原因了。
5．Intel-SiS655 Intel芯片組一直對(duì)于內(nèi)存異步相當(dāng)保守，甚至一直不允許內(nèi)存頻率高于CPU的外頻。不過(guò)SiS可并不這樣認(rèn)為，其高端的SiS655芯片組同樣支持雙通道DDR400，而且能夠以更加靈活的方式進(jìn)行異步，這意味著即便我們的P4處理器運(yùn)行于533MHz前端總線(xiàn)，也可以在SiS655芯片組上使用DDR400。那么這種異步模式是否有價(jià)值呢？測(cè)試中，我們選擇了533MHz前端總線(xiàn)的P4處理器，分別配合單通道DDR400、單通道DDR333以及雙通道DDR333。 測(cè)試結(jié)果相當(dāng)耐人尋味，因?yàn)樵趦?nèi)存頻率高于CPU的外頻的異步模式下，性能依舊取得了提升，我們不得不對(duì)SiS刮目相看。不過(guò)，單通道的DDR400畢竟還是不敵雙通道DDR333，畢竟單通道的DDR400只能提供3.2GB/s的內(nèi)存帶寬，仍然小于期望中的4.2GB/s。相反，雙通道DDR333卻發(fā)揮了很大的優(yōu)勢(shì)。 在測(cè)試中，我們還發(fā)現(xiàn)SiS655在配合800MHz前端總線(xiàn)的P4處理器時(shí)居然無(wú)法在使用雙通道DDR400下發(fā)揮出最佳性能，此時(shí)測(cè)試成績(jī)還不如搭配雙通道DDR333，看來(lái)SiS655還有待完善，我們更加期待SiS655FX。
6．內(nèi)存帶寬與延時(shí)的矛盾 熟悉內(nèi)存優(yōu)化的朋友一定知道內(nèi)存延時(shí)（CL值）的重要性，然而如今大多數(shù)DDR內(nèi)存都難以運(yùn)行在CL＝2的模式下，特別在提高其工作頻率的情況下。很多DDR266內(nèi)存能夠在266MHz下穩(wěn)定運(yùn)行于CL＝2，也可以在333MHz下穩(wěn)定運(yùn)行于CL＝2.5，同樣的情況也出現(xiàn)在DDR333內(nèi)存中。這就帶給我們這樣一個(gè)矛盾，究竟應(yīng)該提高內(nèi)存頻率還是縮短內(nèi)存延時(shí)？ 為此，我們分別選擇了AMD和Intel的平臺(tái)進(jìn)行測(cè)試。為了凸現(xiàn)出內(nèi)存帶寬的重要性，我們特意將CL＝2時(shí)的內(nèi)存頻率低于CPU外頻，這樣的數(shù)據(jù)更有評(píng)判價(jià)值。測(cè)試平臺(tái)如下： 從測(cè)試結(jié)果來(lái)看，AthlonXP平臺(tái)顯然對(duì)于內(nèi)存延時(shí)更加敏感。對(duì)于前端總線(xiàn)并不高的AthlonXP平臺(tái)而言，我們認(rèn)為DDR333+CL2的性能肯定在DDR400+CL2.5之上，因此建議大家在可能的情況下優(yōu)化CL延時(shí)。至于I865PE平臺(tái)，畢竟Pentium4還是對(duì)內(nèi)存帶寬相當(dāng)饑渴，此時(shí)自然應(yīng)該盡可能地保證內(nèi)存頻率，而犧牲內(nèi)存延時(shí)。
三、 顯存帶寬測(cè)試分析 很多用戶(hù)都有這樣的感受，顯存帶寬對(duì)于顯卡的3D性能而言實(shí)在太重要，而且各種顯卡所搭配的顯存在位寬、頻率以及顯存種類(lèi)方面有著很大的區(qū)別。通過(guò)下面這些測(cè)試，我恩將對(duì)顯存帶寬有更為深刻的認(rèn)識(shí)。
1．不同顯存頻率之間的性能區(qū)別 在購(gòu)買(mǎi)顯卡時(shí)，我們對(duì)顯存頻率往往格外關(guān)注，因?yàn)檩^高的顯存帶寬往往能夠各種3D游戲中展現(xiàn)出更加出色的性能，特別是在如今大型3D游戲日益流行的時(shí)代。為此，我們采用同一款顯卡在GPU核心頻率不變的情況下進(jìn)行顯存超頻測(cè)試，看看顯存頻率究竟帶來(lái)多大的影響。測(cè)試中分別采用Radeon 9000Pro和Geforce4 Ti4200，測(cè)試軟件為普及的QuakeIII，運(yùn)行于1600×12000×32bit。 從測(cè)試結(jié)果來(lái)看，Ti4200對(duì)于顯存頻率似乎更加敏感，這也并不出乎我們的意料。一般而言，同系列中降頻產(chǎn)品往往會(huì)在超頻后大幅度提升性能，因?yàn)閺S商在設(shè)計(jì)GPU時(shí)就針對(duì)最高版本所需要的內(nèi)存帶寬，一旦我們將內(nèi)存帶寬提升，那么此時(shí)所引發(fā)的性能提升將是最大的。而Radeon9000Pro本身已經(jīng)算是9000系列中的高頻率產(chǎn)品，因此GPU對(duì)于顯存的利用率基本上區(qū)域飽和，再次提升顯存帶寬自然也沒(méi)能表現(xiàn)出足夠的提升幅度。 當(dāng)然，我們也不能忘記GPU對(duì)顯存帶寬的需求性。從目前顯卡技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看，象素填充率與顯存帶寬是毫無(wú)疑問(wèn)的兩大熱點(diǎn)，越是高端的顯卡越需要更高的顯存帶寬。因此，我們建議準(zhǔn)備選購(gòu)Geforce Ti4200以及Radeon 9500以上檔次顯卡的用戶(hù)更加關(guān)注顯存頻率。
2．64Bit與128Bit的性能差別 從顯存帶寬的計(jì)算公式我們也可以得知，顯存位寬對(duì)于顯存帶寬的影響力是何等重大。在中低端產(chǎn)品中，不少?gòu)S商為了降低價(jià)格，提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力而推出64Bit位寬顯存的產(chǎn)品，其性?xún)r(jià)比究竟如何？與128Bit顯存有多大差距呢？ 從GeforceFX5200的情況來(lái)看，64Bit與128Bit顯存之間的差距的確很大。就個(gè)人角度而言，我認(rèn)為沒(méi)有必要為了節(jié)約區(qū)區(qū)100多元而選擇廉價(jià)版的64Bit顯存產(chǎn)品，畢竟此時(shí)所損失的性能太大，性?xún)r(jià)比實(shí)在不高。此外要提醒大家的，在實(shí)際運(yùn)行頻率相同的情況下，一般128Bit的SDRAM顯存要好于64Bit的DDR顯存，盡管兩者的理論顯存帶寬完全一樣。對(duì)于準(zhǔn)備選購(gòu)Geforce4MX 440SE以及Geforce2MX的用戶(hù)而言，這點(diǎn)應(yīng)該注意，不要被DDR的光環(huán)所迷惑。
3．顯存頻率與顯存容量孰輕孰重 就目前應(yīng)用和游戲而言，顯存帶寬比顯存容量重要得多，顯存帶寬高的顯卡往往性能高于容量雖大，但顯存帶寬不足的顯卡。為此，我們采用兩款Geforce4 MX440顯卡進(jìn)行驗(yàn)證，一款顯存容量為64MB，運(yùn)行于450MHz DDR，另一款顯存容量為128MB，運(yùn)行于400MHz DDR，兩者的GPU核心頻率一樣。 測(cè)試結(jié)果也證明了我們的推論，對(duì)于如今的主流顯卡，64MB顯存確實(shí)已經(jīng)綽綽有余，更為重要的是顯存帶寬。當(dāng)然，一旦NV40以及R400之類(lèi)的恐怖級(jí)產(chǎn)品普及，這一推論可不一定適用。
4．超前討論：DDR Vs DDR2 DDR2顯存的呼聲日漸高漲，渴望時(shí)刻保持領(lǐng)先的nVIDIA在GeforceFX5800 Ultra中選擇了這種尚未普及的內(nèi)存規(guī)格。然而遺憾的是，這也成為NV30的一大敗筆。DDR2不僅因?yàn)槌杀締?wèn)題難以普及，其自身的技術(shù)也并不成熟。 在GeforceFX5800 Ultra中，8枚DDR2顯存芯片需要消耗28W功耗，而且造成了巨大的發(fā)熱量。撇開(kāi)為了散熱而帶來(lái)的成本問(wèn)題不談，即便是惱人的噪音問(wèn)題都已經(jīng)讓nVIDIA尷尬不已，這也注定NV35不會(huì)取得類(lèi)似于其前輩們的成功。當(dāng)我們見(jiàn)到帶有水冷散熱（或者夸張的散熱器）以及外置電源的GeforceFX5800 Ultra顯卡時(shí)，或許更多的感覺(jué)不是贊嘆，而是一種莫名的悲哀。 如果說(shuō)DDR2顯存為NV30帶來(lái)出色的性能也就罷了，然而位寬僅僅128Bit的DDR2顯存很大程度上成為性能發(fā)揮的瓶頸。在使用頻率為1GHz的DDR2顯存時(shí)，16GB/s的帶寬卻是令人難以完全滿(mǎn)意，與ATI Radoen 9800Pro的21.25GB/s相比落下很多。為此，并不頑固的nVIDIA還是接受了現(xiàn)實(shí)，在GeforceFX 5900Ultra中改用256Bit的DDR1。事實(shí)上，在頻率相同的情況下，256Bit DDR1應(yīng)該比128Bit DDR2更為出色，這與128Bit SDRAM好于64Bit DDR是相同的道理。采用850MHz的256Bit DDR1之后，NV35的顯存帶寬達(dá)到了27.2GB/s，基本能夠保證各種3D特效的消耗。
客觀而言，目前的DDR2顯存技術(shù)還沒(méi)有完成成熟，至少其高昂的成本使之在現(xiàn)實(shí)產(chǎn)品中難以應(yīng)用。只有當(dāng)DDR2顯存能夠運(yùn)行與高頻率的，而且達(dá)到256Bit位寬，這時(shí)才是DDR2占領(lǐng)顯存市場(chǎng)的時(shí)機(jī)。 寫(xiě)在最后： 內(nèi)存帶寬的話(huà)題就討論到這里，相信大家也對(duì)如何選購(gòu)、優(yōu)化產(chǎn)品有了足夠的認(rèn)識(shí)。
應(yīng)當(dāng)指出的是，內(nèi)存帶寬技術(shù)也在不停地發(fā)展，或許未來(lái)的DDR2以及DDR3才是最終的發(fā)展方向。
