從Intel固態(tài)盤看SSD未來之發(fā)展
ZDNet 服務(wù)器頻道 更新時(shí)間：2008-12-09 作者：趙效民 來源：ZDNet
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NAND閃存英特爾SSD固態(tài)盤第1頁(yè)：高性能全整合的主控芯片決定SSD的性能第2頁(yè)：ONFI閃存開始登堂入室第3頁(yè)：MLC不再受排斥 SLC NAND也將重塑輝煌第4頁(yè)：總結(jié)：SSD必將進(jìn)入山寨時(shí)代 傳統(tǒng)硬盤豪門將受嚴(yán)峻挑戰(zhàn)
ZDNetChina服務(wù)器站 2008-12-09 分析
固態(tài)盤（SSD，Solid State Disk），這個(gè)名字在幾年前還只出現(xiàn)在非民用產(chǎn)品領(lǐng)域，《存儲(chǔ)時(shí)代》網(wǎng)站于2004年創(chuàng)建時(shí)，我們所報(bào)道的SSD都集中在工業(yè)產(chǎn)品范疇，比如航天航空以及軍用領(lǐng)域等等的，它們以SCSI硬盤為模型設(shè)計(jì)（尺寸、容量分級(jí)與接口），對(duì)于普通大眾來說基本上是遙不可及的，就算有錢想買，你都很難找到有賣的地方?？涩F(xiàn)在的情況大不相同了，多個(gè)廠牌，不同容量的SSD如雨后春筍一般向我們涌來，價(jià)格也在迅速的下跌的中，這一切的確讓我們感覺到了一種趨勢(shì)在臨近——我是不是也該考慮換一塊SSD了？如果想買的話，可購(gòu)買的渠道大大豐富了。
不過，真正讓我們感受到SSD實(shí)力的，不得不說是英特爾最近發(fā)布的兩款新品，分別是M系列（X25/X18）和E系列（X25）的SSD，它們出色的性能給我們留下了深刻的印象，相對(duì)于以往的同尺寸SSD來說，完全可以說是鶴立雞群（
具體的評(píng)測(cè)可以見本站的相關(guān)報(bào)道）。從這兩個(gè)系列的產(chǎn)品中我們也能看出一些新穎的設(shè)計(jì)，我想它代表了目前SSD設(shè)計(jì)的最高水平，讓我們看到了SSD未來可能的發(fā)展方向，本文希望在這方面進(jìn)行一些有益的探討。
1、高性能全整合的主控芯片決定SSD的性能
不得不說英特爾在SSD市場(chǎng)上屬于后來者，但憑借時(shí)其在半導(dǎo)體技術(shù)方面上的深厚功力，我相信凡是與數(shù)據(jù)傳輸協(xié)議相關(guān)的，以及和存儲(chǔ)器（以前英特爾也是以DRAM為主業(yè)之一）相關(guān)的半導(dǎo)體領(lǐng)域，如果英特爾想進(jìn)入，那么它必須會(huì)這一市場(chǎng)帶來強(qiáng)大的沖擊。
在早前的一些SSD中，我們還能看到閃存主控與接口主控橋接的樣式，這主要集中于SATA接口產(chǎn)品中，近兩年，SATA（I/II）至NAND的整合主控芯片已經(jīng)嶄露頭角，東芝、三星這類的傳統(tǒng)硬盤與閃存廠商不必多說，而第三方的解決方案也已經(jīng)走向成熟，這其中比較著名的就是JMICRON公司的JM602主控芯片，它實(shí)現(xiàn)了SATA（I/II）/USB至NAND的轉(zhuǎn)接，目前已經(jīng)有不少原本沒有生產(chǎn)過硬盤的廠商，采用這款主控進(jìn)入SSD市場(chǎng)。
早期的SSD由于主控制芯片缺乏對(duì)SATA－NAND轉(zhuǎn)接的原生支持，所以還要經(jīng)過橋接芯片完成接口轉(zhuǎn)換
東芝128GB SSD的電路板（上），從圖中可以看出已經(jīng)采用了單芯片原生集成主控，具備4通道并行能力，讀寫能力分別是100和40MB/s，其最新出品的256GB產(chǎn)品（上）應(yīng)該升級(jí)為8通道了，不過性能仍然平平，讀寫性能為120和70MB/s，與同是MLC型的X25-M相比，相差甚遠(yuǎn)
相較之下，英特爾的SSD在這方面似乎沒有什么新鮮的，也是集成主控，而且還外接SDRAM做緩沖，而JM602已經(jīng)內(nèi)置了數(shù)據(jù)緩沖。不過，細(xì)細(xì)分析就可以看出，英特爾這次仍然帶來了新意，這主要體現(xiàn)在通道數(shù)量的設(shè)計(jì)。
JM602的架構(gòu)圖，這基本上也是SSD單集成主控芯片的主流架構(gòu)
OCZ出品的Core系列SSD就是采用JM602的經(jīng)典產(chǎn)品，其中一款可以看出同時(shí)具備了USB和SATA兩個(gè)接口，兼顧了移動(dòng)與內(nèi)置應(yīng)用
從JM602的設(shè)計(jì)中，我們可以看到其在內(nèi)部提供了8通道閃存控制設(shè)計(jì)，理論上可以獲得8倍于單NAND閃存芯片帶寬的數(shù)據(jù)傳輸率，多通道——這種在內(nèi)存控制上提升總帶寬的設(shè)計(jì)理念其實(shí)很早以前就用在了閃存相關(guān)產(chǎn)品領(lǐng)域中，我們熟悉的存儲(chǔ)卡中就有很多產(chǎn)品采用了雙通道設(shè)計(jì)。而在這方面，英特爾顯然是行家里手。
我們看看其他廠商的SSD，大多還是只提供4通道設(shè)計(jì)，比如上圖中那塊東芝在今年3月發(fā)布的128GB SSD，而在9月份發(fā)布的采用MLC閃存的256GB SSD應(yīng)該提升到了8通道設(shè)計(jì)。可英特爾一上來就是10通道，這在目前還是絕無僅有的。
英特爾SSD的內(nèi)部架構(gòu)，根據(jù)相關(guān)資料，其主控芯片的閃存通道達(dá)到了10個(gè)，為目前的最高水平。而且這種設(shè)計(jì)帶來一個(gè)比較巧合的好處就是，讓SSD的容量與傳統(tǒng)的硬盤容量等級(jí)掛鉤，比如40GB（采用16Gb芯片）、80GB（采用32Gb芯片）、160GB（采用64Gb芯片），這些正好也是目前2.5英寸硬盤的容量等級(jí)，比傳統(tǒng)的SSD那種以2的冪數(shù)為等級(jí)要靈活一些（32/64/128/256/512GB的等級(jí)對(duì)于客戶的選擇顯然跨度太大了些），也更能與傳統(tǒng)硬盤客戶相“兼容”，不知這是不是英特爾有意為之
英特爾兩款SSD（上為X25-E，下為X25-M）采用了相同的主控芯片與芯片布局，與東芝和OCZ的設(shè)計(jì)相對(duì)照，可以看出單面閃存芯片數(shù)量從8顆變成了10顆，雙面共20顆，這與10通道設(shè)計(jì)正好對(duì)應(yīng)，每個(gè)閃存通道內(nèi)有兩顆芯片。所不同的就是X25-M采用的是MLC型，而E系列采用的是SLC型NAND閃存。另外，為了保證數(shù)據(jù)傳輸更為穩(wěn)定，還配備了一顆容量為16MB的PC166 SDRAM做數(shù)據(jù)緩沖（16bit位寬），帶寬為332MB/s，正好剛剛超過SATA-3.0G標(biāo)準(zhǔn)（理論帶寬300MB/s），可算精明到家了
SSD的這種設(shè)計(jì)，讓我們對(duì)SSD相對(duì)于硬盤的不同有了更多的認(rèn)識(shí)。至少在設(shè)計(jì)上講，同一時(shí)期內(nèi)的同等容量的硬盤之間的性能差距不會(huì)超過10%，但在SSD中這種差距可能就是100%的。與現(xiàn)有大多數(shù)SSD的讀取速度還在100MB/s左右相對(duì)照，英特爾X25-M/E在測(cè)試中體現(xiàn)出的性能已經(jīng)快是它們的兩倍了，這其中主要的差距就在于主控芯片的素質(zhì)。
熟悉閃存的朋友都明白，在基于NAND閃存的存儲(chǔ)設(shè)備中，對(duì)于閃存的控制與管理，在某種角度上講比NAND閃存自身的進(jìn)步更為重要，東芝、三星等大型閃存芯片廠商也都致力于閃存控制器的研究或是控股相主控芯片設(shè)計(jì)公司，就是因?yàn)楹玫目刂菩酒梢宰岄W存的性能得到最大的發(fā)揮，并能為存儲(chǔ)設(shè)備提供一些新的功能，比如優(yōu)化閃存的訪問與緩沖、優(yōu)化壞塊的管理、通過錯(cuò)位存儲(chǔ)保證SSD等存儲(chǔ)設(shè)備的使用壽命等等。
在傳統(tǒng)的硬盤領(lǐng)域中，控制芯片涉及到的不再僅僅是數(shù)字處理部分，還包括模擬信號(hào)的處理，相對(duì)于SSD來說要復(fù)雜得多。但正因?yàn)橛脖P的數(shù)據(jù)最終都要經(jīng)過前端的模擬信號(hào)處理，所以最終的硬盤性能更多的取決于盤片與磁頭的進(jìn)步，因?yàn)槠款i并不是后端的數(shù)字主控。而當(dāng)前端信號(hào)也是數(shù)字式的，那么后端的處理與總體控制管理的效率就將直接反應(yīng)到最終的性能上，從而在同一容量等級(jí)上，性能差出一倍也就不那么新鮮了。
可以想像，未來的SSD發(fā)展，芯片的進(jìn)步推動(dòng)著容量的提升，但現(xiàn)階段能拉開產(chǎn)品檔次的并不是閃存芯片而是主控，就像硬盤中盤片數(shù)量并不能代表性能一樣。英特爾的這次發(fā)力無疑為這個(gè)產(chǎn)業(yè)樹立了新的標(biāo)桿，也許你會(huì)說10通道并不難呀，應(yīng)該很快就能趕上吧?？墒?，為什么很多廠商一開始不做到8通道呢？理想與實(shí)現(xiàn)理想之間還是需要實(shí)力的。我相信，最終所有實(shí)力的廠商終歸會(huì)向這一方向靠攏。
ONFI閃存開始登堂入室
本次英特爾的SSD在閃存應(yīng)用上也有自己的新意，那就是它是第一個(gè)采用ONFI（Open NAND Flash Interface，開放式NAND閃存接口）閃存的SSD，對(duì)于這一點(diǎn)可以說意義深遠(yuǎn)。
對(duì)于什么是ONFI，大家可以參考一下
我們的相關(guān)報(bào)道。簡(jiǎn)而言之，這是英特爾為了殺入由三星和東芝兩大巨頭控制的NAND市場(chǎng)所采取的一招狠棋。
早前英特爾是主攻NOR閃存的，與NAND陣營(yíng)打了多年的嘴仗。在當(dāng)時(shí)業(yè)界對(duì)容量需求還不高的時(shí)候，NOR憑借著出眾的訪問速度與傳輸帶寬，一直打壓著NAND的發(fā)展，可后來隨著整合封裝技術(shù)的廣泛采用，以及對(duì)大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求不斷增漲，NAND已經(jīng)成為了實(shí)際的后臺(tái)主力，大NAND廠商可以通過整合封裝NOR來為客戶提供單芯片存儲(chǔ)方案，以打進(jìn)移動(dòng)處理市場(chǎng)。反過來NOR則無法進(jìn)入以容量為主的存儲(chǔ)設(shè)備市場(chǎng)。
但原有的NAND市場(chǎng)已經(jīng)被三星和東芝占據(jù)了近70％，要再想進(jìn)入這個(gè)市場(chǎng)并有所作為談何容易，除非你能新領(lǐng)導(dǎo)一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，英特爾也正是看到了這一點(diǎn)。畢竟英特爾在內(nèi)存領(lǐng)域就是玩標(biāo)準(zhǔn)出身的。
英特爾發(fā)現(xiàn)的機(jī)會(huì)就是當(dāng)時(shí)市場(chǎng)上銷售的NAND閃存芯片在引腳定義方面，各家都不完全相同，這就造成了同一個(gè)閃存控制器，如果是為東芝芯片設(shè)計(jì)的，很可能就無法使用三星或海力士芯片的局面，這給上游的主控設(shè)計(jì)商以及最終的產(chǎn)品（U盤、MP3、存儲(chǔ)卡等）的設(shè)計(jì)人員出了一個(gè)很大的難題。
為此，英特爾提出了ONFI的設(shè)想，就是將NAND閃存芯片的引腳的定義統(tǒng)一，并在此基礎(chǔ)上進(jìn)一步采用新的技術(shù)以實(shí)現(xiàn)新的功能。2006年4月，英特爾正式提出了ONFI計(jì)劃，之后迅速得到了業(yè)界多數(shù)廠商的支持，這其中就包括了閃存廠商與控制芯片廠商，以及最終產(chǎn)品廠商，畢竟這對(duì)于簡(jiǎn)化產(chǎn)品設(shè)計(jì)是個(gè)好事，雖然三星與東芝并不支持該計(jì)劃，但英特爾相信它可以創(chuàng)造出一個(gè)市場(chǎng)，來蠶食那兩大巨頭的份額，而位列NAND市場(chǎng)第三的海力士也出于同一個(gè)目的（老的玩法玩不過三星和東芝，那么就爭(zhēng)取通過新玩法當(dāng)老大）宣布支持ONFI。到了2007年1月，ONFI 1.0標(biāo)準(zhǔn)就頒布了。
英特爾這次在其自家SSD上所采用的就是ONFI 1.0標(biāo)準(zhǔn)的NAND閃存，也就是說與以前我們?cè)谑忻嫔峡吹降腟SD相比，這是其在芯片方面的最大特點(diǎn)。另外，從其出眾的性能來看，即使是10通道設(shè)計(jì)，其所采用的芯片的素質(zhì)也是非常高的。
我們從NAND閃存的原理出發(fā)，以及其所采用芯片的容量來看（20枚芯片共80GB，合每顆芯片32Gb容量），采用大頁(yè)面容量設(shè)計(jì)是必然的。但就算我們把4KB容量的頁(yè)面來進(jìn)行性能分析，也可以看出來與傳統(tǒng)的MLC NAND芯片不太一樣。但需要指出的是，不知為什么，現(xiàn)在的閃存廠商對(duì)自己的閃存芯片的設(shè)計(jì)文檔都嚴(yán)格保密，不再像以前那樣可以輕易下載了，所以我們做分析用的對(duì)比數(shù)據(jù)是一兩年前的產(chǎn)品，這期間有什么樣的進(jìn)步，只有廠商自己最清楚了。
NAND閃存頁(yè)容量為什么要增加到4KB
NAND閃存增大頁(yè)容量的主要用意之一在于提高讀寫性能。從NAND閃存的工作原理中就能看出來，NAND閃存頁(yè)的容量越大，性能就越高，具體的分析
可以參見本人早前的文章。另外，由于尋址效率的原因，對(duì)于大容量閃存（一般至于在8Gb或以上)來講，大的頁(yè)面容量，在總?cè)萘恳欢ǖ那闆r下，有助于降低頁(yè)的數(shù)量，節(jié)省尋址周期。舉個(gè)例子，頁(yè)面容量為512字節(jié)時(shí)，128Mb芯片的地址傳輸周期是3個(gè)，而到了2KB頁(yè)容量時(shí)，32Gb芯片的尋址周期為5個(gè)，如果仍然采用512字節(jié)的頁(yè)容量，尋址周期數(shù)目可想而知。
NAND的工作示意圖，每個(gè)NAND閃存的讀寫是基于頁(yè)的，由于頁(yè)到頁(yè)面數(shù)據(jù)寄存器之間的存取用時(shí)基本固定，所以頁(yè)容量越大，單位時(shí)間內(nèi)的傳輸率就越高
看完這兩個(gè)表就知道了頁(yè)面容量對(duì)NAND閃存讀寫性能的影響，由于MLC自身的特性，使其在讀寫方面的性能要比SLC差一些（畢竟要在一個(gè)浮柵上存放兩個(gè)電壓值，這就需要額外的判斷與校驗(yàn)操作），尤其是在寫入性能方面，只有SLC的33%左右。
結(jié)合X25-M和X25-E的測(cè)試成績(jī)，我們能看出來，如果以其讀取性能來看，應(yīng)該是25ns/30ns級(jí)的MLC/SLC芯片，但這個(gè)等級(jí)的芯片在寫入性能方面就與測(cè)試成績(jī)有些不符了（X25-M的寫入速度超過了70M/s，X25-E則超過了200MB/s）。因此，我懷疑要么是英特爾的芯片在某些方面做出了明顯改進(jìn)（比如縮短了頁(yè)編程用時(shí)），要么是在控制器與緩沖區(qū)配合方面做得相當(dāng)出色，綜合來看，后者的可能性更大一些。
總之，英特爾這次終于將ONFI產(chǎn)品化，而不再是紙上談兵了，而且我們上面說了，ONFI的第一步就是統(tǒng)一接口，之后再發(fā)力，實(shí)現(xiàn)新的功能，具備更強(qiáng)大的性能。2008年2月27日ONFI 2.0標(biāo)準(zhǔn)正式出臺(tái)，通過DDR技術(shù)的引入，其接口速度已經(jīng)達(dá)到了133MT/s（8bit位寬，帶寬為133MB/s，注意這僅僅是一顆芯片的速度），英特爾的盟友美光（Micron）已經(jīng)有166MT/s的產(chǎn)品推出，由此可見ONFI 2.0的NAND在內(nèi)部設(shè)計(jì)上肯定也是必須有了很大的革新，否則不可能跟得上如此高的速度。未來英特爾還將進(jìn)一步把SDRAM的技術(shù)向NAND轉(zhuǎn)移，以使其達(dá)到400MT/s的傳輸率。如果這種閃存配合多通道技術(shù)用在SSD上，那么SSD的接口標(biāo)準(zhǔn)就將面臨空前的壓力了。但這也的確讓我們對(duì)這種基于ONFI 2.0的SSD充滿期待。
其實(shí)，從很多地方我們都能感覺到ONFI的進(jìn)化越來越像SDRAM（2.0標(biāo)準(zhǔn)引入了同步傳輸，并出現(xiàn)了我們熟悉的DQS、DQ等引腳標(biāo)識(shí)），而SDRAM的標(biāo)準(zhǔn)化也正是英特爾的強(qiáng)項(xiàng)，所以當(dāng)ONFI站住腳跟之后，接下來英特爾可發(fā)揮的東西就太多了。即使三星和東芝不買帳，相信ONFI也能為自己開辟很大的一塊市場(chǎng)，對(duì)此的確不得不佩服英特爾在操控標(biāo)準(zhǔn)方面的高瞻遠(yuǎn)矚?；叵脒^去，DDR SDRAM時(shí)代英特爾也是后來居上，NAND市場(chǎng)呢，ONFI也很有當(dāng)初英特爾急起直追的味道。
MLC不再受排斥 SLC NAND也將重塑輝煌
有關(guān)MLC與SLC之爭(zhēng)由來已久，追求性能的廠商極力追捧SLC NAND，而追求利益最大化的廠商則著力于MLC NAND，前者的代表就是三星，后者的代表就東芝，當(dāng)然還有后來者英特爾，MLC就是它的專利。
MLC在當(dāng)時(shí)因制程工藝以及多芯片封裝技術(shù)限制而無法做出更大的SLC閃存時(shí)，及時(shí)滿足了客戶對(duì)大容量NAND的需求，而且其性能劣勢(shì)主要體現(xiàn)在寫入，而在讀取方面并不比SLC差很多。其實(shí)在那時(shí)，NAND閃存所使用的場(chǎng)合，大多數(shù)是讀的多，寫的少，或者對(duì)寫入速度沒有太高要求，比如U盤、MP3等，但在另一些場(chǎng)合則仍然是SLC的天下，比如給專業(yè)數(shù)碼單反相機(jī)使用的高速CF存儲(chǔ)卡，以及我們今天所談到的SSD。不過，高速CF卡以及SSD在以前很長(zhǎng)一段時(shí)間都還屬于奢侈品，對(duì)于整個(gè)NAND產(chǎn)業(yè)無足輕重。在當(dāng)時(shí)全球第二大閃存廠商?hào)|芝的NAND產(chǎn)品目錄中，就基本看不到SLC的身影。
然而，MLC在性能方面的劣勢(shì)長(zhǎng)期以來一直被一些用戶所排斥，尤其是一些發(fā)燒友，一聽是MLC就嗤之以鼻，而在早前推出的MLC型SSD性能也的確比SLC型SSD差不少，這也給發(fā)燒友們提供了瞧不上眼的理由。但英特爾的X25-M則讓人眼前一亮，雖然比自家的X25-E在寫入性能上還是差3倍，但對(duì)于大多數(shù)用戶來說已經(jīng)絕對(duì)夠用了，和一些廠商的SLC型SSD相比，也毫不遜色。
三星的SLC型SSD的讀寫性能與X25-M相比，沒有任何亮點(diǎn)，MLC型NAND已經(jīng)不用再受人白眼了
本文前面已經(jīng)對(duì)X25-M的出色表現(xiàn)進(jìn)行了分析，不管是不是英特爾對(duì)芯片技術(shù)進(jìn)行了革新，還是其新開發(fā)的主控芯片很厲害，總之MLC型NAND，不再僅局限于低烈度的I/O場(chǎng)合，采用它的SSD也開始走向成熟，這無疑也為MLC NAND打開了新的應(yīng)用市場(chǎng)，對(duì)于主流SSD市場(chǎng)來說，MLC NAND也將再次以其“利益最大化”的思路重新進(jìn)入大多數(shù)用戶的視野。
但是在另一方面，我們也從X25-E的身上清楚地體會(huì)到了SLC NAND的威力。如果芯片與主控的技術(shù)等級(jí)一致，SLC的讀寫性能還是要明顯勝過MLC，尤其是寫入性能。而且，在可用壽命方面也將是相對(duì)于MLC的永遠(yuǎn)與絕對(duì)性的優(yōu)勢(shì)（擦寫次數(shù)基本上是后者的10倍）。不過X25-E的32GB容量卻高達(dá)7000元人民幣的價(jià)格，明顯不是面向個(gè)人用戶的產(chǎn)品，英特爾也將其定位于企業(yè)應(yīng)用市場(chǎng)。與傳統(tǒng)的高端企業(yè)級(jí)硬盤相比，MLC的綜合能力還不夠格，但SLC則完全可以勝任，高帶寬與高I/O響應(yīng)能力，是傳統(tǒng)硬盤所比不了的。不過早前的一些SLC型SSD在性能表現(xiàn)上，并不盡如人意，不要說與1.5萬轉(zhuǎn)硬盤相比，就是與高端的SATA臺(tái)式機(jī)硬盤相比，在一些性能方面也不占優(yōu)勢(shì)。而從X25-E的表現(xiàn)來看，SLC型SSD取代傳統(tǒng)的企業(yè)級(jí)硬盤，除了容量外，在性能方面已經(jīng)有了充分的理由。另外要指出的是，ONFI 2.0高速NAND閃存也基本都是SLC型的，屆時(shí)如果有它來做企業(yè)級(jí)SSD，估計(jì)現(xiàn)有的SAS-6.0G接口都將面臨進(jìn)一步升級(jí)的壓力。
有人可能會(huì)說，企業(yè)級(jí)應(yīng)用對(duì)容量要求很高，SSD現(xiàn)有的容量能滿足需求嗎？不錯(cuò)，以X25-E為例，最大容量?jī)H為64GB，但隨著企業(yè)IT架構(gòu)的前計(jì)算與后端存儲(chǔ)的各自集中化，服務(wù)器對(duì)本地存儲(chǔ)容量的需求開始減少，業(yè)務(wù)應(yīng)用的啟動(dòng)卷與工作卷可以是分開的。應(yīng)用在服務(wù)器中進(jìn)行啟動(dòng)和計(jì)算，生產(chǎn)數(shù)據(jù)則保存到后方的存儲(chǔ)中，因此服務(wù)器本身只需視應(yīng)用體積來配備硬盤即可，這方面的典型就是刀片式服務(wù)器。筆者認(rèn)為，它將是SSD最先大規(guī)模進(jìn)入的企業(yè)級(jí)市場(chǎng)。而對(duì)于專用存儲(chǔ)設(shè)備，就看客戶的需求了，企業(yè)畢竟不是個(gè)人用戶，當(dāng)應(yīng)用對(duì)性能的確有需求，并會(huì)因性能的提升帶來直接效益時(shí)，企業(yè)對(duì)成本還不是特別敏感，EMC率先在其企業(yè)存儲(chǔ)系統(tǒng)中采用SSD，就是一個(gè)很好的嘗試，而我相信這僅僅是個(gè)開始。
英特爾現(xiàn)在也正與日立環(huán)球存儲(chǔ)技術(shù)（HGST）公司聯(lián)合開發(fā)FC與SAS接口的SSD，它將在英特爾的SSD主控基礎(chǔ)上融入對(duì)FC與SAS接口的支持，毫無疑問，其主要的目標(biāo)就是剛成氣候不久的SAS硬盤，尤其是2.5英寸規(guī)格的產(chǎn)品。目前在這一領(lǐng)域，HGST還無法與老大希捷抗衡，但如果以SSD切入，那么希捷就要相當(dāng)小心了，除非更早的拿出比X25-E性能更為出色的SAS SSD，否則其在這一市場(chǎng)的地位將受到很大沖擊。
希捷2.5英寸SAS王牌——Savvio 15K.1的性能參數(shù)，SLC SSD顯然將對(duì)其產(chǎn)生猛烈的沖擊
想當(dāng)年，SLC在消費(fèi)類市場(chǎng)，因?yàn)樾詢r(jià)比不被大多數(shù)用戶認(rèn)可，而被MLC擠出了主流市場(chǎng)，可隨著生產(chǎn)工藝的進(jìn)步，其自身的容量也在不斷提高，雖然與MLC還是不能比，但也悄悄的趕上了企業(yè)級(jí)應(yīng)用的容量下限，而其優(yōu)秀的性能也終于在這一市場(chǎng)得以發(fā)揚(yáng)光大。所以，伴隨著SSD向企業(yè)級(jí)市場(chǎng)的不斷侵蝕，SLC型NAND也將重塑輝煌。最近的一條新聞，可以說是對(duì)這一點(diǎn)的最好證明。
全球第二大NAND閃存廠商?hào)|芝，前不久高調(diào)宣布將以43nm工藝量產(chǎn)最高容量達(dá)64Gb的SLC型NAND閃存，這對(duì)于以MLC為絕對(duì)主力的東芝來說，無疑是一條令人回味的消息。這只能說明，東芝也已經(jīng)認(rèn)識(shí)到SSD應(yīng)用中，如果想通吃所有市場(chǎng)，光有MLC是不行的，而且企業(yè)級(jí)市場(chǎng)中留給SSD的空間實(shí)在很大，作為傳統(tǒng)的2.5英寸硬盤大廠，作為傳統(tǒng)的NAND閃存大廠，完全有可能憑借著這次機(jī)會(huì)成為市場(chǎng)變革中的受益者，比如由此進(jìn)入企業(yè)級(jí)市場(chǎng)，擴(kuò)大其傳統(tǒng)硬盤的市場(chǎng)領(lǐng)地，即使東芝自己不想進(jìn)入企業(yè)級(jí)市場(chǎng)，那么借助SLC型SSD在企業(yè)級(jí)市場(chǎng)的大賣，SLC NAND芯片的買賣也是必爭(zhēng)之地，畢竟能生產(chǎn)SSD的廠商會(huì)很多，但能生產(chǎn)NAND的廠商沒有幾個(gè)。
東芝最新的43nm SLC NAND閃存芯片，這對(duì)于東芝這個(gè)傳統(tǒng)的MLC大廠來講意義重大，也預(yù)示了SLC NAND的未來發(fā)展前景
鑒于東芝與很多第三方閃存、內(nèi)存最終產(chǎn)品廠商有著很緊密的關(guān)系，比如金士頓和SanDisk，所以未來也有必要關(guān)注一下這些東芝伙伴的未來產(chǎn)品規(guī)劃，說不準(zhǔn)會(huì)有相應(yīng)的后續(xù)策略出臺(tái)。
總結(jié)：SSD必將進(jìn)入山寨時(shí)代 傳統(tǒng)硬盤豪門將受嚴(yán)峻挑戰(zhàn)
這個(gè)總結(jié)的標(biāo)題好像與本文不太沾邊，但從上文的分析來看，我們就能發(fā)現(xiàn)幾點(diǎn)SSD的根本特征：
·SSD的設(shè)計(jì)將存在兩大體系，MLC和SLC，應(yīng)用范圍也將涉足個(gè)消費(fèi)與企業(yè)應(yīng)用兩大領(lǐng)域。
·SSD的設(shè)計(jì)將有兩大芯片體系，ONFI芯片以及來自東芝和三星的芯片，前者更為開放，加盟廠商眾多，但后兩者個(gè)個(gè)都是巨頭，自有芯片技術(shù)實(shí)力也非常強(qiáng)大，比如LBA-NAND就是很好的例子，因此它們也將有一批忠實(shí)的追隨者。
·SSD的設(shè)計(jì)相對(duì)于硬盤簡(jiǎn)單得多，也意味著入門門檻更低。
從某種角度上講，SSD就是一個(gè)大的存儲(chǔ)卡，只是在接口上與傳統(tǒng)硬盤相兼容，其內(nèi)在架構(gòu)并沒有本質(zhì)的不同。關(guān)鍵就在于主控芯片和所采用的閃存芯片。由上面三點(diǎn)可以看出來，只要是能生產(chǎn)存儲(chǔ)卡，甚至是內(nèi)存模組的廠商就有能力生產(chǎn)SSD，現(xiàn)狀也是如此，看看最先推出SSD的廠商名單中有多少個(gè)是做內(nèi)存和存儲(chǔ)卡的就知道了。
筆者感覺隨著這幾年NAND閃存的不斷降價(jià)，NAND閃存生產(chǎn)工藝的不斷進(jìn)步，似乎已經(jīng)慢慢接近谷底向波峰的反彈點(diǎn)。而助其反彈的中堅(jiān)力量就是SSD，就像DVD與BD光盤的普及之路一樣，一旦SSD需求之門打開，那么也許將會(huì)面臨另一個(gè)閃存芯片供不應(yīng)求的局面。
對(duì)于SSD的普及，筆者是不抱任何懷疑態(tài)度的，問題只是在于普及的速度。我預(yù)計(jì)兩年之后，主流容量的SSD價(jià)格就會(huì)被很多人所接受。而在這個(gè)過程中，SSD的山寨化將不可避免。通過上文分析，原則上講，只要你能拿到芯片和主控的全套設(shè)計(jì)資料與相應(yīng)的貨源，那么找個(gè)好點(diǎn)的PCB廠就能做出SSD。況且上游的閃存廠商也將會(huì)極力發(fā)展更多的下線，以保證自家的產(chǎn)能滿載率。而這樣的結(jié)果就是，SSD的品牌可能會(huì)達(dá)上百個(gè)（想想全球的內(nèi)存品牌數(shù)量），與現(xiàn)有的硬盤廠商數(shù)量形成了鮮明的對(duì)比。
這樣的局面對(duì)于現(xiàn)有的硬盤廠商來說，是不愿意看到的，但很遺憾這也將是他們必須面對(duì)的?，F(xiàn)有的硬盤廠商能做到的就是跟上SSD的潮流，但絕不可能再像硬盤時(shí)代那樣獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷了。因?yàn)檫@對(duì)于他們來說是一個(gè)接近于全新的領(lǐng)域，熟悉的只是硬盤接口，他們可能自產(chǎn)盤片與磁頭，可不會(huì)自產(chǎn)閃存與控制器，所以一切都要重新來過，除非直接借助ODM和OEM快速進(jìn)入市場(chǎng)，但這樣做對(duì)于他們來說已經(jīng)沒有任何優(yōu)勢(shì)可言。而且在越來越多人的眼中（包括廠商自己)，SSD是內(nèi)存類產(chǎn)品，與傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤不是一類東西，那么對(duì)于SSD你是更信任半導(dǎo)體廠商呢，還是傳統(tǒng)的硬盤廠商呢？
傳統(tǒng)的硬盤無疑將受到SSD越來越強(qiáng)烈的沖擊，首當(dāng)其沖的無疑將是擁有更高利潤(rùn)率，且用戶對(duì)其成本不太敏感的企業(yè)級(jí)硬盤市場(chǎng)
說這些，并不是說硬盤廠商的末日來臨，而僅是就SSD市場(chǎng)而言。硬盤與SSD將在很長(zhǎng)時(shí)間里并存，也許很多個(gè)人用戶會(huì)慢慢的切換到這樣一種組合搭配——就像刀片服務(wù)器那樣，用SSD裝系統(tǒng)和應(yīng)用軟件，用傳統(tǒng)的硬盤保存海量的用戶數(shù)據(jù)，因?yàn)樵谌萘窟@一參數(shù)上，SSD要想在可用的價(jià)格水平上趕上硬盤，還有很長(zhǎng)的路要走。所以，硬盤廠商的安穩(wěn)日子還很長(zhǎng)。
但是，不管是SSD開拓了新的市場(chǎng)，還是SSD侵入了原有硬盤市場(chǎng)，當(dāng)英特爾這個(gè)半導(dǎo)體巨人進(jìn)入這一領(lǐng)地，并漂亮的露一手之后，硬盤廠商都必須要正面SSD的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)了。
