国产一级a片免费看高清,亚洲熟女中文字幕在线视频,黄三级高清在线播放,免费黄色视频在线看

    12.2.1 EPROM的結(jié)構(gòu)和工作原理
    EPROM是采用浮柵技術(shù)生產(chǎn)的可編程存儲(chǔ)器，它的存儲(chǔ)單元多采用N溝道疊柵MOS管（SIMOS），其結(jié)構(gòu)及符號(hào)如圖12.2.1(a)所示。除控制柵外，還有一個(gè)無(wú)外引線的柵極，稱為浮柵。當(dāng)浮柵上無(wú)電荷時(shí)，給控制柵（接在行選擇線上）加上控制電壓，MOS管導(dǎo)通；而當(dāng)浮柵上帶有負(fù)電荷時(shí)，則襯底表面感應(yīng)的是正電荷，使得MOS管的開(kāi)啟電壓變高，如圖12.1.3(b)所示，如果給控制柵加上同樣的控制電壓，MOS管仍處于截止?fàn)顟B(tài)。由此可見(jiàn)，SIMOS管可以利用浮柵是否積累有負(fù)電荷來(lái)存儲(chǔ)二值數(shù)據(jù)。

（a） 疊柵MOS管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)圖	（b） 疊柵MOS管浮柵上積累電子與開(kāi)啟電壓的關(guān)系
圖12.2.1 疊柵MOS管

    在寫(xiě)入數(shù)據(jù)前，浮柵是不帶電的，要使浮柵帶負(fù)電荷，必須在SIMOS管的漏、柵極加上足夠高的電壓（如25V），使漏極及襯底之間的PN結(jié)反向擊穿，產(chǎn)生大量的高能電子。這些電子穿過(guò)很薄的氧化絕緣層堆積在浮柵上，從而使浮柵帶有負(fù)電荷。當(dāng)移去外加電壓后,浮柵上的電子沒(méi)有放電回路，能夠長(zhǎng)期保存。當(dāng)用紫外線或X射線照射時(shí)，浮柵上的電子形成光電流而泄放，從而恢復(fù)寫(xiě)入前的狀態(tài)。照射一般需要15至20分鐘。為了便于照射擦除，芯片的封裝外殼裝有透明的石英蓋板。EPROM的擦除為一次全部擦除，數(shù)據(jù)寫(xiě)入需要通用或?qū)Ｓ玫木幊唐鳌?br>
    12.2.2 E²PROM的結(jié)構(gòu)和工作原理
     E²PROM也是采用浮柵技術(shù)生產(chǎn)的可編程存儲(chǔ)器，構(gòu)成存儲(chǔ)單元的MOS管的結(jié)構(gòu)如圖12.2.2所示。它與疊柵MOS管的不同之處在于浮柵延長(zhǎng)區(qū)與漏區(qū)之間的交疊處有一個(gè)厚度約為80埃的薄絕緣層，當(dāng)漏極接地，控制柵加上足夠高的電壓時(shí)，交疊區(qū)將產(chǎn)生一個(gè)很強(qiáng)的電場(chǎng)，在強(qiáng)電場(chǎng)的作用下，電子通過(guò)絕緣層到達(dá)浮柵，使浮柵帶負(fù)電荷。這一現(xiàn)象稱為“隧道效應(yīng)”，因此，該MOS管也稱為隧道MOS管。相反，當(dāng)控制柵接地漏極加一正電壓，則產(chǎn)生與上述相反的過(guò)程，即浮柵放電。與SIMOS管相比，隧道MOS管也是利用浮柵是否積累有負(fù)電荷來(lái)存儲(chǔ)二值數(shù)據(jù)的，不同的是隧道MOS管是利用電擦除的，并且擦除的速度要快得多。
     E²PROM電擦除的過(guò)程就是改寫(xiě)過(guò)程，它是以字為單位進(jìn)行的。E²PROM具有ROM的非易失性，又具備類似RAM的功能，可以隨時(shí)改寫(xiě)（可重復(fù)擦寫(xiě)1萬(wàn)次以上）。目前，大多數(shù)E²PROM芯片內(nèi)部都備有升壓電路。因此，只需提供單電源供電，便可進(jìn)行讀、擦除/寫(xiě)操作，為數(shù)字系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和在線調(diào)試提供了極大的方便。

圖12.2.2 隧道MOS管剖面結(jié)構(gòu)示意圖	圖12.2.3 快閃存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元MOS管剖面結(jié)構(gòu)示意圖

    12.2.3 快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)
    快閃存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的MOS管結(jié)構(gòu)與SIMOS管類似，如圖12.2.3所示。但有兩點(diǎn)不同，一是快閃存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元MOS管的源極N⁺區(qū)大于漏極N⁺區(qū)，而SIMOS管的源極N⁺區(qū)和漏極N^＋區(qū)是對(duì)稱的；二是浮柵到P型襯底間的氧化絕緣層比SIMOS管的更薄。這樣，可以通過(guò)在源極上加一正電壓，使浮柵放電，從而擦除寫(xiě)入的數(shù)據(jù)。由于快閃存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)單元MOS管的源極是連接在一起的，所以不能象E²PROM那樣按字擦除，而是類似EPROM那樣整片擦除或分塊擦除。整片擦除只需要幾秒鐘，不像EPROM那樣需要照射15到20分鐘?？扉W存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)的擦除和寫(xiě)入是分開(kāi)進(jìn)行的，數(shù)據(jù)寫(xiě)入方式與EPROM相同，需輸入一個(gè)較高的電壓，因此要為芯片提供兩組電源。一個(gè)字的寫(xiě)入時(shí)間約為200微秒，一般可以擦除/寫(xiě)入100次以上。
    下面舉一列子說(shuō)明ROM的一種簡(jiǎn)單應(yīng)用。圖12.2.4給出了一個(gè)用ROM實(shí)現(xiàn)的十進(jìn)制數(shù)碼顯示電路。圖中8421BCD碼接至ROM的地址輸入線，ROM的七根數(shù)據(jù)線依次接到七段數(shù)碼顯示器的a～g端。這樣，地址單元0000的內(nèi)容對(duì)應(yīng)七段數(shù)碼0。1001的內(nèi)容對(duì)應(yīng)七段數(shù)碼9，從而實(shí)現(xiàn)十進(jìn)制數(shù)顯示。
    

圖12.2.4 用ROM顯示十進(jìn)制數(shù)(a) 電路原理圖(b) ROM的內(nèi)容