美國國防部的科學(xué)家已經(jīng)發(fā)明了一種大腦植入物可以幫助喚起我們的記憶，一旦獲得廣泛運用后，那些容易健忘的人可能很快獲得新生。據(jù)報道，這種新型植入物電陣列有希望幫助人們挖掘出大腦中最遙遠的記憶。
國防高級研究計劃局(DARPA)目前主要為了幫助那些受過大腦創(chuàng)傷的人，但是研究成果卻可以讓那些容易健忘的人同樣受益。項目經(jīng)理Justin Sanchez在一份新聞報告中說道，每個人都有嘗試過一下子記住很多事情，或者是到達目的地復(fù)雜的路線。今天，我們正在探索植入神經(jīng)技術(shù)如何促進大腦的這些功能。
這項技術(shù)的創(chuàng)新點在于，它可以“讀懂”我們的頭腦是如何形成和檢索記憶的，甚至能夠預(yù)測何時我們的記憶力下降了。Sanchez說，他的團隊正在尋找電刺激的最佳時刻，何時記憶形成，何時檢索記憶。
該團隊在志愿者大腦負責(zé)陳述性記憶形成部位放入小電極陣列，這個部位用于短而簡單的回憶，如名單、空間記憶等。這些志愿者雖然沒有這樣的記憶力問題，但因為其他神經(jīng)系統(tǒng)問題已經(jīng)預(yù)定了做手術(shù)，經(jīng)過測試后，他們的記憶力得到提升。
研究的細節(jié)部分還沒有公布，等待評審后將在科學(xué)雜志上出版，但有部分研究細節(jié)已經(jīng)發(fā)表在DARPA的一個技術(shù)論壇上。關(guān)于人類大腦是如何對陳述性記憶進行編碼的我們還不清楚，但這些實驗已經(jīng)闡明某些問題，并且可能對有記憶障礙的患者有巨大幫助。
DARPA的科學(xué)家也在尋找使大腦受到刺激，以幫助學(xué)習(xí)和提高記憶力的方法。我們已經(jīng)知道，重復(fù)學(xué)習(xí)可以讓我們記得更牢固，今年這個機構(gòu)將對大腦中的這個過程進行進一步研究。
[amor via ScienceAlert]
