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三星在手天下我有_SSD 750EVO 120G拆解，測(cè)試

2017.08.23

三星850EVO是三星第一款采用3D Vnand內(nèi)存的家用級(jí)固態(tài)。固態(tài)從上市就有很多爭(zhēng)議，但是銷量已經(jīng)交出一份合格的成績(jī)報(bào)告單。定價(jià)接近市場(chǎng)高端的MLC固態(tài)，為彌補(bǔ)入門級(jí)的市場(chǎng)空缺三星就順勢(shì)推出了縮水版的750EVO。750EVO采用了和850EVO相同的MGX 主控和普通16nm TLC顆粒，提供三年有限保修，150萬(wàn) MTBF時(shí)間，120G的750EVO官方給出終生數(shù)據(jù)寫入量35T。并針對(duì)低容量版本進(jìn)行隨機(jī)讀寫性能的優(yōu)化，以及支持隊(duì)列TRIM指令，支持TurboWrite、支持AES-256位加密等功能。

拆開(kāi)固態(tài)，采用市面上廣泛采用的MINI小板，53mm*30mm*0.68mm.

正面一片閃存一個(gè)主控，背面是一顆電源管理芯片。說(shuō)好的256M的緩存呢？

三星 750EVO 采用的主控是三星第六代MGX主控 KE01000404A，基于ARM Cortex R4處理器的雙核芯片，主控集成了256MB DDR3L緩存。另?yè)?jù)三星公布的資料，MGX主控支持LDPC糾錯(cuò)技術(shù)，750EVO是一個(gè)完善的TLC顆粒的解決方案而之前到停產(chǎn)還沒(méi)有解決"跌速門"的840EVO的MEX主控只支持BCH糾錯(cuò)（TR150，Q300.就采用類似方案BCH+TLC）。

三星 750EVO 的閃存K90KGY8S70 選用三星的普通2D的128Gb TLC F Die，單顆容量128G，8CE。
三星750 EVO 120G固態(tài)硬盤參數(shù)規(guī)格：
容量：120G
外形：2.5英寸超薄7MM機(jī)身厚度
測(cè)量尺寸：100X69.5X6.8MM
重量;最大45G

主控制器：三星MGX 主控；三星2D TLC NAND顆粒
DRAM高速緩存：三星256MB 1333MHZ DDR3
抗震能力：非運(yùn)行1500G
接口：SATA3 6G/S，向下兼容SATA2/SATA
安全性：AES 256位全盤加密，TCG/OPAL V2.0，加密驅(qū)動(dòng)器（IEEE 1677）
順便進(jìn)行一些簡(jiǎn)單的測(cè)試，先介紹一個(gè)測(cè)試平臺(tái)。
CPU：INTEL I3 6100
主板：華擎 H170
內(nèi)存：金士頓8G*2=16G
硬盤：建興T9 200G
操作系統(tǒng)：WINDOWS 10企業(yè)版
三星750 EVO 120G固態(tài)硬盤性能參數(shù)：

先看看CrystalDiskInfo信息。CrystalDiskInfo也是一款常用軟件，它能夠直觀反映固態(tài)硬盤的健康狀態(tài)、使用時(shí)長(zhǎng)、型號(hào)溫度等特定信息，三星的SMART信息都被正確識(shí)別出來(lái)。

讀取速度達(dá)到540MB/S，寫入速度為520MB/S，以及高達(dá)97K/88K IOPS的隨機(jī)讀取和寫入速度。

一：AS SSD Benchmark是一個(gè)專門為SSD測(cè)試而設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)程序，它涵蓋了持續(xù)性讀寫、單線程4KB隨機(jī)讀寫、64線程4KB隨機(jī)讀寫以及磁盤尋道時(shí)間等關(guān)鍵數(shù)據(jù)的測(cè)試

通過(guò)1G數(shù)據(jù)塊的測(cè)試，我們可以發(fā)現(xiàn)750evo 120G在讀寫成績(jī)上，依舊保持在445MB/S接近502MB/S的，并在總得分上超過(guò)997分，是一款合格的入門級(jí)固態(tài)。

通過(guò)10G數(shù)據(jù)塊的測(cè)試，我們可以發(fā)現(xiàn)750evo 120G在讀寫成績(jī)寫入167MB/S讀取504MB/S，并在總得分上超914分，在10G的數(shù)據(jù)塊的測(cè)試時(shí)連續(xù)寫入降到167MB/S，這個(gè)就是TLC方案的特色在大數(shù)據(jù)寫入時(shí)會(huì)出現(xiàn)方案性的降速。
二： CrystalDiskMark是一款簡(jiǎn)單易用的硬盤性能測(cè)試軟件，但測(cè)試項(xiàng)目非常全面，涵蓋連續(xù)讀寫、512K和4KB數(shù)據(jù)包隨機(jī)讀寫性能，以及隊(duì)列深度（Queue Depth）為32的情況下的4K隨機(jī)性能。隊(duì)列深度描述的是硬盤能夠同時(shí)激活的最大IO值，隊(duì)列深度越大，實(shí)際性能也會(huì)越高。

測(cè)試結(jié)果553MB/S的讀取，517MB/S的寫入，在入門級(jí)固態(tài)硬盤中表現(xiàn)可謂出眾。
三：做為TLC顆粒的方案的固態(tài)，SLC緩存的容量還是要測(cè)試的。方法依舊是我以前的測(cè)試方法用HD TUNE Pro軟件，寫入一個(gè)10G的文件到固態(tài)。

測(cè)試結(jié)果顯示三星 750EVO 120G的固態(tài)設(shè)置了3G的SLC緩存，測(cè)試出的曲線平滑。因此可以看到此固態(tài)在連續(xù)寫入，還是很穩(wěn)定的。而TLC狀態(tài)下連續(xù)寫入只有140MB/S左右，弱于同規(guī)格的浦科特M7V 150MB/S。

雖然作為一款入門級(jí)SSD，但三星750EVO秉承三星存儲(chǔ)SSD技術(shù)，在真實(shí)性能體現(xiàn)上還是很到位的，甚至強(qiáng)過(guò)普通的MLC顆粒的固態(tài)。

PCMARK8的真實(shí)軟件環(huán)境模擬的測(cè)試中成績(jī)更是高達(dá)4987分，固態(tài)帶寬更高達(dá)282.41MB/S。

在近期測(cè)試的各固態(tài)中超越很多市面上的很多固態(tài)，可見(jiàn)三星的固態(tài)技術(shù)還是很有二把刷子的。
而在隨后iometer的4K QD32測(cè)試中在1100秒后進(jìn)入穩(wěn)定狀態(tài)，基本程一條直線。平均值更是達(dá)到：3973

談到三星固態(tài)就不能不提Samsung Magician Software，三星固態(tài)假貨很多而最有效的辦法就是使用Samsung Magician Software，在聯(lián)網(wǎng)狀態(tài)下，打開(kāi)DISK DRIVE 然后點(diǎn)擊：認(rèn)證

如果是真貨就出現(xiàn)：正版的認(rèn)證結(jié)果。

下載地址： http://www.samsung.com/semiconductor/minisite/ssd/download/tools.html

Samsung Magician Software支持安全擦除Secure Erase功能，性能優(yōu)化，固件升級(jí)，OP設(shè)置。
當(dāng)然還有很多三星粉喜歡的RAPID Mode。

總結(jié)：三星750EVO雖然定位于入門級(jí)，但在實(shí)際表現(xiàn)還是比較強(qiáng)悍的。不建議TLC閃存方案的還是很值得入手的，可以理解成為840EVO解決舊文件掉速問(wèn)題的固態(tài)。

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