U盤體積小巧，構(gòu)造簡(jiǎn)單，其主要由外殼、控制芯片、NAND FLASH閃存芯片、PCB電路板以及少量元?dú)饧M成。其中NAND FLASH閃存芯片是整個(gè)優(yōu)盤的核心部件，它負(fù)責(zé)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，占整體成本的70%左右。因此，NAND FLASH閃存芯片的價(jià)格走勢(shì)直接影響到優(yōu)盤的最終零售價(jià)格。
U盤的組成
U盤硬件主要由USB接口、主控芯片、flash芯片、晶體振蕩器組成。USB接口有四根邊接線，有5V、地和兩根數(shù)據(jù)線。
U盤芯片
U盤中用的flash芯片的品牌主要有三星Samsung、現(xiàn)代Hynix、晟碟SANDISK、鎂光Micron等。FLASH芯片按類型又分為SLC和MLC。SLC全稱是Single-Level Cell，即單層單元閃存，而MLC全稱則是Multi-Level Cell，即為多層單元閃存。它們之間的區(qū)別，在于SLC每一個(gè)單元，只能存儲(chǔ)一位數(shù)據(jù)，MLC每一個(gè)單元可以存儲(chǔ)兩位數(shù)據(jù)，MCL的數(shù)據(jù)密度要比SLC 大一倍。SLC因單一存儲(chǔ)單元只能存放一個(gè)Bit的資料，所以成本高價(jià)格貴，但是效率高速度快，可靠性高，MLC正相反。它們的主要差別：
1.理論壽命：SLC 10萬次 MLC 1萬次
2.寫速度：SLC 8MB/S、MLC為2MB/S
3.耗電：SLC能耗比MLC低，在相同使用條件下比MLC少15%左右的電流消耗。
4.單片容量：由于SLC是使用單層的單元存儲(chǔ)，相對(duì)與MLC的多層單元存儲(chǔ)來說容量方面有限制，市面上也比較少見2G以上的SLC單顆閃存芯片。
雖然與SLC相比，MLC看起來缺點(diǎn)很多，但在單顆芯片容量方面，目前MLC還是占了絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)。MLC在架構(gòu)上取勝SLC，而且國(guó)內(nèi)外廠商也針對(duì)MLC做了很多的優(yōu)化和開發(fā)，未來很有可能取代SLC閃存芯片。
正片：芯片廠商生產(chǎn)出來的晶圓是按容量分等級(jí)的，高于93％容量的晶圓被稱為A級(jí)品，簡(jiǎn)稱A片，原廠封裝并提供質(zhì)保，品牌閃存一般使用此類芯片。
白片：低于93％容量的晶圓被稱為Downgrade Flash，不再打上原廠的鐳刻標(biāo)識(shí)，由一些小封裝廠進(jìn)行加工。其中相對(duì)足量，穩(wěn)定使用的一般稱之為白片。價(jià)格一般為A級(jí)品的7成至8成。
黑片：代封裝芯片中容量嚴(yán)重不足、質(zhì)量難以保障的為黑片。另外部分不良商家回收廢舊閃存芯片，打磨而成的閃存芯片一般也稱之為黑片。
U盤的主控方案
主控方案主要有：擎泰Skymedi方案、群聯(lián)Phison方案、聯(lián)盛USBest方案、慧榮SMI方案、OTI方案、芯邦Chipsbank方案、朗科Netac方案、安國(guó)(群勝)Alcor方案、我想iCreate方案、超科威Ameco方案等。
U盤的晶體振蕩器
是U盤中的關(guān)鍵元件，而且是一個(gè)比較容易損壞的器件，特別是受到大的振動(dòng)易壞，所以如果U盤被摔過后不能用了，一般都是它壞了。U盤中的晶體有插件式的和貼片式的兩種，很多名牌U盤中都使用貼片式的晶體。
