1 場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是JFET和MOSFET。
2 三極管的內(nèi)部工作原理就是對(duì)基極和發(fā)射極之間的流過的電流進(jìn)行不斷地監(jiān)視，并控制集電極-發(fā)射極之間的電流源，使基極-發(fā)射極
間電流的十至數(shù)百倍的電流在集電極和發(fā)射極之間流動(dòng)。換言之，晶體管是用基極電流來控制集電極-發(fā)射極電流的器件。
3 晶體管有一個(gè)箭頭方向，可以理解為在晶體管的基極-發(fā)射極間加入了一個(gè)二極管，而箭頭方向就是二極管的方向。
4 使用三極管作為開關(guān)時(shí)，會(huì)出現(xiàn)電壓鉗位問題。
使用三極管作為開關(guān)，當(dāng)三極管導(dǎo)通之后，三極管的基極電壓因?yàn)榛鶚O-發(fā)射極間二極管的原因，會(huì)被鉗位在0.6-0.7V,此時(shí)因基極和發(fā)射極之間的電
阻很小，所以很大的電流流過，會(huì)燒壞BJT管子，可以在POWER_UP和1基極之間串聯(lián)一個(gè)電阻（4.7k）
注意：三極管的鉗位作用，就可以理解成二極管的鉗位作用
5 三極管還可以用在接口電平不匹配的應(yīng)用場(chǎng)合。
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6 注意：三極管放大的是電流。
因?yàn)槿龢O管是在放大電流，所以最后還得加個(gè)負(fù)載變成電壓信號(hào)。同時(shí)三極管還有一個(gè)0.7V的管壓降卡著。
7 三極管現(xiàn)在已經(jīng)逐漸被MOS管取代，同時(shí)三極管現(xiàn)在已經(jīng)主要變成一種開關(guān)了，一般來說三極管做最簡(jiǎn)單的信號(hào)放大，高精度的
放大工作主要由運(yùn)放來完成。
8 三極管管壓降問題
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9 MOSFET主要有兩種，N溝道的MOSFET和P溝道的MOSFET。
10 N溝道MOS管和P溝道MOS管
G柵極 D漏極 S源極
11 MOSFET放大的是電壓。
12 在電路設(shè)計(jì)中主要應(yīng)用的是增強(qiáng)型的NMOS管和PMOS管，其中增強(qiáng)型的NMOS管更加常用，因?yàn)镹MOS的導(dǎo)通電阻小并且容易制造，在開關(guān)電源
和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般采用NMOS。主要原因是NMOS的導(dǎo)通電阻小并且容易制造，
13 在MOS管內(nèi)部，漏極和源極之間會(huì)寄生一個(gè)二極管，這個(gè)叫體二極管。并且只有在單個(gè)MOS管中存在此二極管，在集成電路芯片內(nèi)部是沒有的。
注意：當(dāng)MOS管工作的時(shí)候，不管是PMOS還是NMOS，電流流動(dòng)的方向都是必須與體二極管的方向相反。
14 NMOS的特性：Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合于源極接地時(shí)的情況（適合低端驅(qū)動(dòng)），只要柵極電壓達(dá)到一定電壓（如4V或10V，其驅(qū)動(dòng)電壓
需要查閱DataShet）就可以了。
PMOS的特性：Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通。
15 BJI三極管與MOSFET的區(qū)別
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參考資料：
1 網(wǎng)易博客 http://blog.163.com/songbingyu8@126/blog/static/11977422201062643113845/
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