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  MOS管即MOSFET，又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，是場(chǎng)效應(yīng)管的一種類(lèi)型。MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類(lèi)。

IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。IGBT的電路符號(hào)至今并未統(tǒng)一，畫(huà)原理圖時(shí)一般是借用三極管、MOS管的符號(hào)，這時(shí)可以從原理圖上標(biāo)注的型號(hào)來(lái)判斷是IGBT還是MOS管。

這是MOS管和IGBT管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)：

IGBT是通過(guò)在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。

另外，MOS管和IGBT的選擇可以參考以下幾點(diǎn)：

MOS IBGT

切換功率大于100KHz 切換功率低于25KHz

輸入電壓低于250V 輸入電壓高于1000V

較小的輸出功率的場(chǎng)合 較大輸出功率的場(chǎng)合

電流變化較小的負(fù)載

總的來(lái)說(shuō)，MOSFET優(yōu)點(diǎn)是高頻特性好，工作頻率高，缺點(diǎn)是導(dǎo)通電阻大，在高壓大電流場(chǎng)合功耗較大；IGBT在低頻及較大功率場(chǎng)合下表現(xiàn)卓越，其導(dǎo)通電阻小，耐壓高。

審核編輯：湯梓紅