包含三菱電機培訓課程、論文合集，主要介紹元器件基礎知識及電源領域的原理及應用。
三菱電機培訓課程：
第1講：功率半導體器件的基本功能和用途
第2講：功率半導體器件的基本分類和應用
第3講：半導體-導體-絕緣體
第4講：半導體材料的禁帶寬度
第5講：半導體中的晶體結構
第6講：半導體中的電子與空穴
第7講：從本征半導體到雜質半導體
第8講：半導體中的載流子運動
第9講：PN結的基本結構及形成方法
第10講：平衡條件下的PN結
第11講：偏置條件下的PN結
第12講：PN結的擊穿與穿通
第13講：PN結的電容效應
第14講：PN結器件的電路特性
第15講：PIN二極管基本結構和正偏置行為
第16講：PIN二極管的恢復特性.
第17講：雙極晶體管的基本結構
第18講：雙極晶體管的工作原理
第19講：晶閘管的基本結構
第20講：晶閘管的基本工作原理
第21講：GTO的基本結構和基本工作原理
第22講：談談肖特基勢壘（Schottky Barrier）
第23講：肖特基二極管的基本結構與工作原理
第24講：結型場效應晶體管
第25講：結型場效應晶體管的基本工作原理
第26講：MOS結構
第27講：MOSFET的基本結構與工作原理
第28講：功率MOSFET
第29講：IGBT的基本結構
第30講：IGBT的基本開關原理
第31講：HVIGBT的概述
三菱電機【論文】：
針對廣泛應用領域的 SiC 功率模塊
針對大功率應用的高性能第2代 1700V4H-SiCMOSFET
優(yōu)化元胞設計和采用再氧化工藝的高性能 4H-SiC MOSFETs
一種可提供系統(tǒng)最佳整體性能的先進硅基 IGBT 芯片
新一代大功率 IGBT 模塊
通過門極驅動器電壓敏感參數(shù)實現(xiàn)功率模塊通態(tài)電壓的估計
提高中壓變頻器魯棒性和可靠性的 X 系列 RFC 二極管
利用零溫度系數(shù)導通電壓對導線鍵合 IGBT 功率模塊在線狀況監(jiān)測
集成 SiC SBD 的 6.5kV 全 SiC MOSFET 功率模塊
集成 RC-IGBT、自舉二極管及限流電阻的全新壓注模表面貼裝型IPM
高壓 IGBT 模塊在濕度影響下的壽命預估模型研究
高壓 IGBT 模塊抗潮濕和凝露的魯棒性設計
SLIMDIP 系列智能功率模塊在變頻洗衣機應用介紹
SiCMOSFETSPICE 模型的對比研究
LV100 封裝 HVIGBT 在并聯(lián)應用中的表現(xiàn)
超小只的 GaN 功率放大器在 5G 基站
新型器件嵌入式集成技術
三菱電機 SiCMOSFET 仿真技術
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