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QLC大勢(shì)所趨、PLC呼之欲出：英特爾NAND閃存為何這么優(yōu)秀？

最新的存儲(chǔ)器路線圖分享

三星V-NAND技術(shù)

【技巧】3D V-NAND技術(shù)SSD容量翻番的絕世必殺

過(guò)于關(guān)注 3D NAND 閃存層數(shù)可能是一種誤導(dǎo)

3D閃存，176層了！

談?wù)凬OR Flash

NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解

3D NAND未來(lái)線路圖，到了2021年我們將用上140層堆疊的閃存

存儲(chǔ)芯片路線圖

國(guó)產(chǎn)3D閃存：500層都不是事兒！

東芝宣布3D QLC閃存：16片堆疊可達(dá)1.5TB

DRAM內(nèi)存技術(shù)的基本原理是什么？

400層堆疊3D NAND芯片技術(shù)出現(xiàn)！

觀點(diǎn)|比利時(shí)微電子中心（IMEC）：塑造未來(lái)半導(dǎo)體技術(shù)格局的五大趨勢(shì)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層 3D Xtacking NAND的秘密

從NAND到SSD，堅(jiān)信閃存“革命”，英特爾閃存創(chuàng)新加速

3nm以后的晶體管選擇

NAND閃存之爭(zhēng)：韓國(guó)雙雄PK美日同盟

納米片晶體管是摩爾定律的下一步，也許是最后一步！

最后的硅晶體管，納米片器件也許是摩爾定律演進(jìn)的最后一步

3D NAND閃存是什么，竟引中國(guó)廠商瘋狂投產(chǎn)？

NOR FLASH和NAND FLASH基本結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)

固態(tài)硬盤(pán)內(nèi)的數(shù)據(jù)能夠保存多久？

More Moore最新路線圖淺讀

ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別

32層堆棧，國(guó)產(chǎn)3D NAND閃存性能、功能、可靠性已達(dá)標(biāo)