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看芯片識(shí)內(nèi)存 - 業(yè)內(nèi)交流 - 52RD研發(fā)論壇
看芯片識(shí)內(nèi)存
     內(nèi)存芯片如按廠家所屬地域來分主要有日,韓廠家,歐美及中國[含臺(tái)灣?。輳S家等等??淳幪?hào)識(shí)內(nèi)存芯片是了解內(nèi)存的一個(gè)好方法,
硬件網(wǎng)
  主要的內(nèi)存芯片廠商的名稱既芯片代號(hào)如下:
  現(xiàn)代電子HYUNDAI:HY[注:代號(hào)]
  三星SAMSUNG:KM或M
  NBM:AAA
  西門子SIEMENS:HYB
  高士達(dá)LG-SEMICON:GM
  HITSUBISHI:M5M
  富士通FUJITSU:MB
  摩托羅拉MOTOROLA:MCM
  MATSUSHITA:MN
  OKI:MSM
  美凱龍MICRON:MT
  德州儀器TMS:TI
  東芝TOSHIBA:TD或TC
  日立HITACHI:HM
  STI:TM
  日電NEC:uPD
  IBM:BM
  NPNX:NN
  一.日本產(chǎn)系列:
  主要廠家有Hitachi[日立],Toshiba[東芝],NEC[日電],Mitsubishi[三菱]等等,日產(chǎn)晶圓的特點(diǎn)是品質(zhì)不錯(cuò),價(jià)格稍高。
  1.HITACHI[日立]。
  日立內(nèi)存質(zhì)量不錯(cuò),許多PC100的皆可穩(wěn)上133MHz。它的穩(wěn)定性好,做工精細(xì),日立內(nèi)存芯片的編號(hào)有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,區(qū)別是A60的CL是2,B60的CL是3。市面上B60的多,但完全可超133MHz外頻,
  HITACHI的SDRAM芯片上的標(biāo)識(shí)為以下格式:
  HM 52 XX XX 5 X X TT-XX
  HM代表是日立的產(chǎn)品,52是SDRAM,如為51則為EDO DRAM。
  第1、2個(gè)X代表容量。
  第3、4個(gè)X表示數(shù)據(jù)位寬,40、80、16分別代表4位、8位、16位。
  第5個(gè)X表示是第幾個(gè)版本的內(nèi)核,現(xiàn)在至少已經(jīng)排到"F"了。
  第6個(gè)X如果是字母"L"就是低功耗??瞻讋t為普通。
  TT為TSOII封裝。
  最后XX代表速度:
  75:7.5ns[133MHz]
  80:8ns[125MHz]
  A60:10ns[PC-100 CL2或3]
  B60:10ns[PC-100 CL3]
  例如:HM5264805F-B60,是64Mbit,8位輸出,100MHZ時(shí)CL是3。
  2.NEC。
  NEC的SDRAM芯片上的標(biāo)識(shí)通常為以下格式:
  μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX
  μPD4代表是NEC的產(chǎn)品。
  "5"代表是SDRAM。
  第1、2個(gè)X代表容量。
  第3或4個(gè)X表示數(shù)據(jù)位寬,4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位。當(dāng)數(shù)據(jù)位寬為16位和32位時(shí),使用兩位,即占用第4個(gè)X。由于NEC的標(biāo)識(shí)的長度固定,這會(huì)對下面的數(shù)字造成影響。
  第4或5個(gè)X代表Bank。"3"或"4"代表4個(gè)Bank,在16位和32位時(shí)代表2個(gè)Bank;"2"代表2個(gè)Bank。
  第5個(gè)X,如為"1"代表LVTTL。如為16位和32位的芯片,第5個(gè)X已被占用,則第5個(gè)X有雙重含義,如"1"代表2個(gè)Bank和LVTTL,"3"代表4個(gè)Bank和LVTTL。
  G5為TSOPII封裝。
  -A后的XX是代表速度:
  80:8ns[125MHz]
  10:10ns[PC100 CL 3]
  10B:10ns較10慢,Tac為7,不完全符合PC100規(guī)范。
  12:12ns
  70:[PC133]
  75:[PC133]
  速度后的X如果是字母"L"就是低功耗,空白則為普通。
  -XXX:第一人X通常為數(shù)字,如64Mbit芯片上常為準(zhǔn),16Mbit芯片上常為7,規(guī)律不詳。其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。估計(jì)與封裝外型有關(guān):"NF"對應(yīng): 44-pinTSOP-II;"JF"對應(yīng)54-pin TSOPII;"JH"對應(yīng)86-pin TSOP-II。
  例如:μPD4564841G5-A80-9JF,64Mbit,8位,4個(gè)Bank,在CL=3時(shí)可工作在125MHZ下,在100MHZ時(shí)CL可設(shè)為2。
  3.TOSHIBA東芝。
  TOSHIBA的芯片上的標(biāo)識(shí)為以下格式:
  TC59S XX XX X FT X-XX
  TC代表是東芝的產(chǎn)品。
  59代表是SDRAM系列。其后的S為普通SDRAM,R為Rambus SDRAM,W為DDR SDRAM。
  第1、2個(gè)X代表容量。64為64Mbit,M7為128Mbit。
  第3、4個(gè)X表示數(shù)據(jù)位寬,04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位。
  第5個(gè)X估計(jì)是用來表示內(nèi)核的版本。目前常見的為"B"。
  FT為TSOPII封裝。
  FT后如果有字母"L"就是低功耗,空白則為普通。
  最后的XX是代表速度:
  75:7.5ns[133MHz]
  80:8ns[125MHz]
  10:10ns[100MHz CL=3]
  例如:TC59S6408BFTL-80,64Mbit,8位,可正常工作在125MHz,且為低功耗型號(hào)。硬件網(wǎng)
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