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2.內(nèi)存（百科）3.電腦內(nèi)存知識(shí)掃盲：全方位帶你了解內(nèi)存條4.內(nèi)存知多少，這些小常識(shí)你需要了解一下5.內(nèi)存知識(shí)6.4個(gè)你未必知道的內(nèi)存小知識(shí)7.三分鐘看懂：內(nèi)存知識(shí)掃盲******************1.內(nèi)存條是什么 有什么用？小白必看內(nèi)存知識(shí)掃盲 通俗易懂！ (全文)百事數(shù)碼2018-05-23 11:53電腦百事網(wǎng)4796+ 關(guān)注我們?nèi)粘Ｊ褂秒娔X系統(tǒng)、軟件、游戲等都是安裝在硬盤中的，那么內(nèi)存條是什么，到底有啥用？下面本文將通過(guò)通俗易懂的理解，來(lái)跟大家說(shuō)說(shuō)這個(gè)電腦內(nèi)存條，希望大家看完以后心里都能有個(gè)譜，這幾乎是史上最通俗易懂的內(nèi)存知識(shí)掃盲，科普文章了。小白必看內(nèi)存知識(shí)掃盲內(nèi)存條是什么？內(nèi)存條是一種比固態(tài)硬盤更先進(jìn)的存儲(chǔ)技術(shù)，它的讀寫(xiě)速度比硬盤快上十倍有余，以現(xiàn)在主流的DDR4代內(nèi)存條為例，它的讀寫(xiě)速度可以達(dá)到7000MB/s以上，而傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤最高也就不超過(guò)300MB/s，即使是目前最厲害的M.2 NVME固態(tài)硬盤，速度也就3000MB/s的樣子。內(nèi)存條有什么用？既然他的讀寫(xiě)速度這么快，那么他的作用是什么呢？由于CPU處理數(shù)據(jù)的速度是超級(jí)快的，而硬盤的讀寫(xiě)速度又很慢，他們?cè)谶M(jìn)行數(shù)據(jù)交換的時(shí)候就產(chǎn)生了一個(gè)速度上的矛盾，就好比我（CPU）急需一件商品（數(shù)據(jù)），在馬云家下單后（發(fā)出需求指令），需要等3-5天才能收到（傳輸太慢了），這期間我也沒(méi)事做，只能干等著。這個(gè)時(shí)候讀寫(xiě)速度超快的內(nèi)存條就可以幫上大忙了。當(dāng)我們開(kāi)機(jī)或打開(kāi)軟件的時(shí)候，硬盤就會(huì)把這些軟件需要用到的數(shù)據(jù)傳輸?shù)絻?nèi)存條里保存起來(lái)。（這就是開(kāi)機(jī)速度和打開(kāi)軟件或打開(kāi)游戲的速度，傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤傳輸這個(gè)數(shù)據(jù)到內(nèi)存條的速度很慢，所以開(kāi)機(jī)和打開(kāi)軟件的速度很慢）當(dāng)軟件打開(kāi)后，數(shù)據(jù)就是存在內(nèi)存條中了，這個(gè)時(shí)候讀寫(xiě)速度超快的內(nèi)存條就可以與CPU以超高的速度進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸了，這就是為什么你打開(kāi)軟件和游戲需要等很久，但是在軟件使用和游戲中卻并沒(méi)有那么明顯的卡頓的原因了。當(dāng)我們關(guān)閉軟件或者清理后臺(tái)進(jìn)程時(shí)，內(nèi)存條里的數(shù)據(jù)就會(huì)被刪除掉。這種模式類似于京東的配貨模式，事先將貨物存放在本地倉(cāng)庫(kù)（把要用的數(shù)據(jù)放入內(nèi)存條中），然后用戶下單后（CPU發(fā)出指令），直接從本地倉(cāng)庫(kù)快速調(diào)貨配送（直接從速度較快的內(nèi)存條中調(diào)取數(shù)據(jù)）。內(nèi)存條的容量內(nèi)存條的容量自然就是能存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)多少了，我們每打開(kāi)一個(gè)軟件，這些軟件的數(shù)據(jù)都會(huì)被保存到內(nèi)存條中，如果內(nèi)存條被塞滿，我們繼續(xù)打開(kāi)其他軟件的時(shí)候，CPU就只能從速度超慢的硬盤調(diào)取數(shù)據(jù)了，電腦肯定會(huì)卡的不行了。內(nèi)存條的顆粒（重要）顆粒就是內(nèi)存條的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的東西啦，現(xiàn)在主流的顆粒生產(chǎn)商就是 三星、海力士、鎂光這三家。由于顆粒在生產(chǎn)時(shí)候會(huì)有質(zhì)量參差不齊的情況，所以一些成色極品的顆粒會(huì)被挑選出來(lái)做成高端超頻內(nèi)存條，而一些成色普通但合格的顆粒會(huì)被拿去做成普通內(nèi)存條。至于怎么看顆粒的好壞，我們可以從內(nèi)存條的頻率和時(shí)序來(lái)做一個(gè)購(gòu)買前的初步判斷。頻率和時(shí)序（最重要）我們經(jīng)?？吹降?133MHz、2400MHz、3200MHz就是內(nèi)存條的頻率，它可以看成是內(nèi)存條數(shù)據(jù)的傳輸速度，是內(nèi)存條最重要的參數(shù)。數(shù)據(jù)跟網(wǎng)購(gòu)的商品一樣的，都是需要經(jīng)過(guò)運(yùn)輸才能到達(dá)我們（CPU）手中，如果說(shuō)內(nèi)存條是一個(gè)臨時(shí)存儲(chǔ)商品的中轉(zhuǎn)倉(cāng)庫(kù)，而數(shù)據(jù)就是貨物的話，那么內(nèi)存條上的頻率可以理解為運(yùn)輸貨車的載重量，頻率越大，貨車一次的載能運(yùn)載的數(shù)據(jù)量也就越多。而我們經(jīng)常提到的內(nèi)存條超頻，就是讓這輛貨車超載運(yùn)行，以此來(lái)獲得更多的數(shù)據(jù)傳輸量。（由于現(xiàn)在大多數(shù)正規(guī)內(nèi)存條都是終身質(zhì)保的，所以無(wú)需擔(dān)心它的壽命問(wèn)題）還有一個(gè)很重要的參數(shù)：時(shí)序，一般用CL表示，用官方的話說(shuō)就是列尋址所需的時(shí)鐘周期。但在我看來(lái)，時(shí)序就是我們這個(gè)倉(cāng)庫(kù)的物流人員找到貨物，并把貨物裝上車的時(shí)間，一般來(lái)說(shuō)，貨車的載重越大（內(nèi)存條的頻率越高），物流人員找到這些貨物和裝車所耗費(fèi)的時(shí)間也就越長(zhǎng)，所以如果是相同頻率的內(nèi)存條，時(shí)序CL值是越小越好（表示物流人員工作效率高）。現(xiàn)在普通的DDR4代內(nèi)存條一般為頻率2400MHz，時(shí)序CL15-17左右。但是一些使用極品顆粒的超頻內(nèi)存條如三星的B-die顆粒就可以輕松做到頻率3200MHz，而且時(shí)序只有CL12。這類極品內(nèi)存條可以做到保證時(shí)序不超標(biāo)的情況下，超頻上4000MHz以上。需要注意的是，幾乎所有的DDR4代的內(nèi)存條默認(rèn)的頻率只有2133MHz，所以即使你買的是高頻內(nèi)存條，也需要在主板BIOS設(shè)置中打開(kāi)XMP（自動(dòng)超頻）或手動(dòng)設(shè)置超頻后才能達(dá)到商家所給出的頻率，而且，很多主板并不支持超過(guò)2666MHz以上的頻率，所以即使你的內(nèi)存條是4000MHz的神條，也會(huì)自動(dòng)降頻到2666MHz使用，這個(gè)需要用戶去看主板上的說(shuō)明。單通道和雙通道內(nèi)存一般來(lái)說(shuō)，兩根相同規(guī)格的內(nèi)存條插在主板對(duì)應(yīng)的位置上就可以組成雙通道了。那么雙通道有什么好處？CPU與內(nèi)存條之間的數(shù)據(jù)傳輸是有來(lái)有回的，單通道就相當(dāng)于一條馬路分左右車道，一個(gè)車道負(fù)責(zé)去，一個(gè)車道負(fù)責(zé)回。 雖然秩序井然但是由于馬路（帶寬）較窄，數(shù)據(jù)流量不會(huì)很大。雙通道就相當(dāng)于又修了一條同樣的馬路，這樣的話，這兩條馬路一條負(fù)責(zé)收，一條負(fù)責(zé)發(fā)，馬路整體（帶寬）寬了一倍，流量自然也就增加了。單雙通道雙通道是能帶來(lái)一些性能的提升的，特別是使用CPU核心顯卡的用戶，由于CPU要同時(shí)負(fù)責(zé)程序數(shù)據(jù)和顯示數(shù)據(jù)的處理，需要的數(shù)據(jù)流量更大，所以雙通道帶來(lái)的雙倍帶寬才能滿足這么大的數(shù)據(jù)流量的需求。內(nèi)存選購(gòu)技巧：1、要先確認(rèn)自己的主板是用的DDR3還是DDR4的內(nèi)存條，一般來(lái)說(shuō)近些年的新電腦都是DDR4的，老電腦是DDR3的（甚至有更古董的DDR2），這個(gè)可以在主板上找到（筆記本用戶可以用魯大師檢測(cè)一下）。DDR3和DDR4內(nèi)存插槽（互不兼容）2、選擇容量，根據(jù)個(gè)人需求選擇合適容量的內(nèi)存條。對(duì)于普通用戶來(lái)說(shuō)8GB是夠用的，如果是專業(yè)作圖設(shè)計(jì)或者玩吃雞和大型單機(jī)游戲，可以選擇2根8GB組雙通道。如果自己也不知道自己需要多少容量的，可以先買一根8GB的使用，發(fā)現(xiàn)不夠可以再買一根8GB組雙通道。3、選擇頻率。DDR3代的內(nèi)存條頻率一般為1333MHz 和 1666MHz。DDR4代的內(nèi)存條頻率一般為：2133MHz 和 2400MHz，如果你的主板支持，也可以選擇更高的如3200MHz或4266MHz的高頻條。超高頻率的內(nèi)存條固然能給游戲帶來(lái)一點(diǎn)性能提升，但是需要更高端的主板和CPU的支持，普通用戶選擇2400MHz的也已經(jīng)足夠用了。吃雞游戲玩家根據(jù)預(yù)算合理選擇更高頻率的內(nèi)存條。注意：如果有兩根或多根不同頻率的內(nèi)存條同時(shí)使用，會(huì)按照其中頻率最低的來(lái)統(tǒng)一頻率。比如有一根2133MHz、一根2400MHz、一根3200MHz的內(nèi)存條同時(shí)使用的話，所有內(nèi)存條都是按照2133MHz來(lái)使用。所以如果是升級(jí)內(nèi)存條的用戶，一定要看看已有的是多少頻率的，不要盲目購(gòu)買高頻內(nèi)存條。4.對(duì)比時(shí)序選擇好頻率后，就要貨比三家對(duì)比一下CL時(shí)序了，一般商家都會(huì)在商品信息中標(biāo)出來(lái)，同一頻率時(shí)序越低，性能越好。同時(shí)3200頻率 C14比C16貴了 300塊錢5.關(guān)于PCB板層數(shù)。PCB板就是電路板，一些廠家會(huì)說(shuō)自己家的內(nèi)存條用了8層或者10層PCB板。這個(gè)可不單單是說(shuō)他這個(gè)內(nèi)存條比較厚實(shí)，更重要的是層數(shù)增加后，電路板內(nèi)部的電路走線層數(shù)增加，這樣的話，電路走線就不用那么擁擠，可以適當(dāng)增加每根銅線的寬度，這樣就會(huì)有更好的電氣性能，使得超頻更加穩(wěn)定。6.AMD銳龍平臺(tái)用戶可以選擇芝奇、英睿達(dá)等牌子的內(nèi)存條，可以兼容。7.關(guān)于內(nèi)存品牌的選擇。各個(gè)主流品牌之間內(nèi)存條價(jià)格差距不大，普通用戶建議在 芝奇、英睿達(dá)、海盜船、影馳、金士頓、威剛、阿斯加特、十銓、宇瞻等這幾個(gè)品牌中對(duì)比挑選一款頻率、時(shí)序、價(jià)格都不錯(cuò)的內(nèi)存條，然后認(rèn)準(zhǔn)官方自營(yíng)旗艦店、官方旗艦店和 終身質(zhì)保就可以入手了。內(nèi)存售后總結(jié)：整篇文章可能介紹內(nèi)存條的描述比較多，但是內(nèi)存條的挑選確實(shí)是比較簡(jiǎn)單的，而且主流品牌也幾乎都支持終身質(zhì)保了，只要按照步驟一步一步的在官方渠道購(gòu)買內(nèi)存條，總歸不會(huì)出錯(cuò)。延伸閱讀：電腦內(nèi)存知識(shí)掃盲：全方位帶你了解內(nèi)存條AMD專用內(nèi)存為什么那么便宜？AMD專用內(nèi)存知識(shí)掃盲***********************************************************************************************內(nèi)存編輯本詞條由“科普中國(guó)”百科科學(xué)詞條編寫(xiě)與應(yīng)用工作項(xiàng)目 審核 。內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中重要的部件之一，它是與CPU進(jìn)行溝通的橋梁。計(jì)算機(jī)中所有程序的運(yùn)行都是在內(nèi)存中進(jìn)行的，因此內(nèi)存的性能對(duì)計(jì)算機(jī)的影響非常大。內(nèi)存(Memory)也被稱為內(nèi)存儲(chǔ)器，其作用是用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲(chǔ)器交換的數(shù)據(jù)。只要計(jì)算機(jī)在運(yùn)行中，CPU就會(huì)把需要運(yùn)算的數(shù)據(jù)調(diào)到內(nèi)存中進(jìn)行運(yùn)算，當(dāng)運(yùn)算完成后CPU再將結(jié)果傳送出來(lái)，內(nèi)存的運(yùn)行也決定了計(jì)算機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行。 內(nèi)存是由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等部分組成的。 [1]中文名內(nèi)存外文名Memory所    屬計(jì)算機(jī)別    稱內(nèi)存儲(chǔ)器目錄1 硬件介紹2 分類? 各種內(nèi)存? 擴(kuò)充內(nèi)存? 擴(kuò)展內(nèi)存? 高端內(nèi)存區(qū)? 上位內(nèi)存? 影子內(nèi)存? 奇偶校驗(yàn)? CL延遲? 總結(jié)3 頻率4 發(fā)展? 內(nèi)存條? SDRAM? DDR時(shí)代? DDR2時(shí)代? DDR3時(shí)代? DDR4時(shí)代5 其他內(nèi)存? SRAM? RDRAM? XDR RAM? Fe-RAM? MRAM? OUM6 相關(guān)問(wèn)題? 延遲問(wèn)題? 封裝發(fā)熱量? DDR2? DDR37 容量8 大小9 寬帶? 何謂內(nèi)存帶寬? 帶寬重要性? 提高內(nèi)存帶寬? 識(shí)別內(nèi)存帶寬10 選購(gòu)方法? 做工要精良? SPD隱藏信息? 假冒返修產(chǎn)品11 故障修復(fù)12 常見(jiàn)誤解? 內(nèi)部外存儲(chǔ)器? 存儲(chǔ)卡的容量硬件介紹編輯在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一個(gè)很重要的部分，就是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件，對(duì)于計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō)，有了存儲(chǔ)器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類很多，按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器，主存儲(chǔ)器又稱內(nèi)存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱內(nèi)存，港臺(tái)稱之為記憶體）。

內(nèi)存內(nèi)存又稱主存，是CPU能直接尋址的存儲(chǔ)空間，由半導(dǎo)體器件制成。內(nèi)存的特點(diǎn)是存取速率快。內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對(duì)于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等，一般都是安裝在硬盤等外存上的，但僅此是不能使用其功能的，必須把它們調(diào)入內(nèi)存中運(yùn)行，才能真正使用其功能，我們平時(shí)輸入一段文字，或玩一個(gè)游戲，其實(shí)都是在內(nèi)存中進(jìn)行的。就好比在一個(gè)書(shū)房里，存放書(shū)籍的書(shū)架和書(shū)柜相當(dāng)于電腦的外存，而我們工作的辦公桌就是內(nèi)存。通常我們把要永久保存的、大量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在外存上，而把一些臨時(shí)的或少量的數(shù)據(jù)和程序放在內(nèi)存上，當(dāng)然內(nèi)存的好壞會(huì)直接影響電腦的運(yùn)行速度。內(nèi)存就是暫時(shí)存儲(chǔ)程序以及數(shù)據(jù)的地方，比如當(dāng)我們?cè)谑褂肳PS處理文稿時(shí)，當(dāng)你在鍵盤上敲入字符時(shí)，它就被存入內(nèi)存中，當(dāng)你選擇存盤時(shí)，內(nèi)存中的數(shù)據(jù)才會(huì)被存入硬（磁）盤。在進(jìn)一步理解它之前，還應(yīng)認(rèn)識(shí)一下它的物理概念。

DDR 和DDR2 技術(shù)對(duì)比的數(shù)據(jù)內(nèi)存一般采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元，包括隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM），只讀存儲(chǔ)器（ROM），以及高速緩存（CACHE）。只不過(guò)因?yàn)镽AM是其中最重要的存儲(chǔ)器。（synchronous）SDRAM同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機(jī)型使用的內(nèi)存。SDRAM將CPU與RAM通過(guò)一個(gè)相同的時(shí)鐘鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個(gè)時(shí)鐘周期，以相同的速度同步工作，每一個(gè)時(shí)鐘脈沖的上升沿便開(kāi)始傳遞數(shù)據(jù)，速度比EDO內(nèi)存提高50%。DDR（DOUBLE DATA RATE）RAM ：SDRAM的更新?lián)Q代產(chǎn)品，他允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)，這樣不需要提高時(shí)鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。●只讀存儲(chǔ)器（ROM）ROM表示只讀存儲(chǔ)器（Read Only Memory），在制造ROM的時(shí)候，信息（數(shù)據(jù)或程序）就被存入并永久保存。這些信息只能讀出，一般不能寫(xiě)入，即使機(jī)器停電，這些數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失。ROM一般用于存放計(jì)算機(jī)的基本程序和數(shù)據(jù)，如BIOS ROM。其物理外形一般是雙列直插式（DIP）的集成塊。●隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）

內(nèi)存隨機(jī)存儲(chǔ)器（Random Access Memory）表示既可以從中讀取數(shù)據(jù)，也可以寫(xiě)入數(shù)據(jù)。當(dāng)機(jī)器電源關(guān)閉時(shí)，存于其中的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。我們通常購(gòu)買或升級(jí)的內(nèi)存條就是用作電腦的內(nèi)存，內(nèi)存條（SIMM）就是將RAM集成塊集中在一起的一小塊電路板，它插在計(jì)算機(jī)中的內(nèi)存插槽上，以減少RAM集成塊占用的空間。目前市場(chǎng)上常見(jiàn)的內(nèi)存條有1G/條，2G/條，4G/條等。●高速緩沖存儲(chǔ)器（Cache）Cache也是我們經(jīng)常遇到的概念，也就是平?？吹降?a target="_blank" >一級(jí)緩存(L1 Cache）、二級(jí)緩存(L2 Cache）、三級(jí)緩存(L3 Cache）這些數(shù)據(jù)，它位于CPU與內(nèi)存之間，是一個(gè)讀寫(xiě)速度比內(nèi)存更快的存儲(chǔ)器。當(dāng)CPU向內(nèi)存中寫(xiě)入或讀出數(shù)據(jù)時(shí)，這個(gè)數(shù)據(jù)也被存儲(chǔ)進(jìn)高速緩沖存儲(chǔ)器中。當(dāng)CPU再次需要這些數(shù)據(jù)時(shí)，CPU就從高速緩沖存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)，而不是訪問(wèn)較慢的內(nèi)存，當(dāng)然，如需要的數(shù)據(jù)在Cache中沒(méi)有，CPU會(huì)再去讀取內(nèi)存中的數(shù)據(jù)。●物理存儲(chǔ)器和地址空間物理存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)地址空間是兩個(gè)不同的概念。但是由于這兩者有十分密切的關(guān)系，而且兩者都用B、KB、MB、GB來(lái)度量其容量大小，因此容易產(chǎn)生認(rèn)識(shí)上的混淆。初學(xué)者弄清這兩個(gè)不同的概念，有助于進(jìn)一步認(rèn)識(shí)內(nèi)存儲(chǔ)器和用好內(nèi)存儲(chǔ)器。

內(nèi)存物理存儲(chǔ)器是指實(shí)際存在的具體存儲(chǔ)器芯片。如主板上裝插的內(nèi)存條和裝載有系統(tǒng)的BIOS的ROM芯片，顯示卡上的顯示RAM芯片和裝載顯示BIOS的ROM芯片，以及各種適配卡上的RAM芯片和ROM芯片都是物理存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)地址空間是指對(duì)存儲(chǔ)器編碼（編碼地址）的范圍。所謂編碼就是對(duì)每一個(gè)物理存儲(chǔ)單元（一個(gè)字節(jié)）分配一個(gè)號(hào)碼，通常叫作“編址”。分配一個(gè)號(hào)碼給一個(gè)存儲(chǔ)單元的目的是為了便于找到它，完成數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)，這就是所謂的“尋址”（所以，有人也把地址空間稱為尋址空間）。地址空間的大小和物理存儲(chǔ)器的大小并不一定相等。舉個(gè)例子來(lái)說(shuō)明這個(gè)問(wèn)題：某層樓共有17個(gè)房間，其編號(hào)為801～817。這17個(gè)房間是物理的，而其地址空間采用了三位編碼，其范圍是800～899共100個(gè)地址，可見(jiàn)地址空間是大于實(shí)際房間數(shù)量的。對(duì)于386以上檔次的微機(jī)，其地址總線為32位，因此地址空間可達(dá)2的32次方，即4GB。（雖然如此，但是我們一般使用的一些操作系統(tǒng)例如windows xp、卻最多只能識(shí)別或者使用3.25G的內(nèi)存，64位的操作系統(tǒng)能識(shí)別并使用4G和4G以上的的內(nèi)存，好了，現(xiàn)在可以解釋為什么會(huì)產(chǎn)生諸如：常規(guī)內(nèi)存、保留內(nèi)存、上位內(nèi)存、高端內(nèi)存、擴(kuò)充內(nèi)存和擴(kuò)展內(nèi)存等不同內(nèi)存類型。分類編輯各種內(nèi)存這里需要明確的是，我們討論的不同內(nèi)存的概念是建立在尋址空間上的。IBM推出的第一臺(tái)PC機(jī)采用的CPU是8088芯片，它只有20根地址線，也就是說(shuō)，它的地址空間是1MB。PC機(jī)的設(shè)計(jì)師將1MB中的低端640KB用作RAM，供DOS及應(yīng)用程序使用，高端的384KB則保留給ROM、視頻適配卡等系統(tǒng)使用。從此，這個(gè)界限便被確定了下來(lái)并且沿用至今。低端的640KB就被稱為常規(guī)內(nèi)存即PC機(jī)的基本RAM區(qū)。保留內(nèi)存中的低128KB是顯示緩沖區(qū)，高64KB是系統(tǒng)BIOS（基本輸入/輸出系統(tǒng)）空間，其余192KB空間留用。從對(duì)應(yīng)的物理存儲(chǔ)器來(lái)看，基本內(nèi)存區(qū)只使用了512KB芯片，占用0000至7FFFF這512KB地址。顯示內(nèi)存區(qū)雖有128KB空間，但對(duì)單色顯示器（MDA卡）只需4KB就足夠了，因此只安裝4KB的物理存儲(chǔ)器芯片，占用了B0000至B0FFF這4KB的空間，如果使用彩色顯示器（CGA卡）需要安裝16KB的物理存儲(chǔ)器，占用B8000至BBFFF這16KB的空間，可見(jiàn)實(shí)際使用的地址范圍都小于允許使用的地址空間。在當(dāng)時(shí)（1980年末至1981年初）這么“大”容量的內(nèi)存對(duì)PC機(jī)使用者來(lái)說(shuō)似乎已經(jīng)足夠了，但是隨著程序的不斷增大，圖象和聲音的不斷豐富，以及能訪問(wèn)更大內(nèi)存空間的新型CPU相繼出現(xiàn)，最初的PC機(jī)和MS－DOS設(shè)計(jì)

內(nèi)存的局限性變得越來(lái)越明顯。

內(nèi)存擴(kuò)充內(nèi)存到1984年，即286被普遍接受不久，人們?cè)絹?lái)越認(rèn)識(shí)到640KB的限制已成為大型程序的障礙，這時(shí)，Intel和Lotus，這兩家硬、軟件的杰出代表，聯(lián)手制定了一個(gè)由硬件和軟件相結(jié)合的方案，此方法使所有PC機(jī)存取640KB以上RAM成為可能。而Microsoft剛推出Windows不久，對(duì)內(nèi)存空間的要求也很高，因此它也及時(shí)加入了該行列。 [2]在1985年初，Lotus、Intel和Microsoft三家共同定義了LIM－EMS，即擴(kuò)充內(nèi)存規(guī)范，通常稱EMS為擴(kuò)充內(nèi)存。當(dāng)時(shí)，EMS需要一個(gè)安裝在I/O槽口的內(nèi)存擴(kuò)充卡和一個(gè)稱為EMS的擴(kuò)充內(nèi)存管理程序方可使用。但是I/O插槽的地址線只有24位（ISA總線），這對(duì)于386以上檔次的32位機(jī)是不能適應(yīng)的。所以，現(xiàn)在已很少使用內(nèi)存擴(kuò)充卡?，F(xiàn)在微機(jī)中的擴(kuò)充內(nèi)存通常是用軟件如DOS中的EMM386把擴(kuò)展內(nèi)存模擬或擴(kuò)充內(nèi)存來(lái)使用。所以，擴(kuò)充內(nèi)存和擴(kuò)展內(nèi)存的區(qū)別并不在于其物理存儲(chǔ)器的位置，而在于使用什么方法來(lái)讀寫(xiě)它。下面將作進(jìn)一步介紹。前面已經(jīng)說(shuō)過(guò)擴(kuò)充存儲(chǔ)器也可以由擴(kuò)展存儲(chǔ)器模擬轉(zhuǎn)換而成。EMS的原理和XMS不同，它采用了頁(yè)幀方式。頁(yè)幀是在1MB空間中指定一塊64KB空間（通常在保留內(nèi)存區(qū)內(nèi)，但其物理存儲(chǔ)器來(lái)自擴(kuò)展存儲(chǔ)器），分為4頁(yè)，每頁(yè)16KB。EMS存儲(chǔ)器也按16KB分頁(yè)，每次可交換4頁(yè)內(nèi)容，以此方式可訪問(wèn)全部EMS存儲(chǔ)器。符合EMS的驅(qū)動(dòng)程序很多，常用的有EMM386.EXE、QEMM、TurboEMS、386MAX等。DOS和Windows中都提供了EMM386.EXE。擴(kuò)展內(nèi)存我們知道，286有24位地址線，它可尋址16MB的地址空間，而386有32位地址線，它可尋址高達(dá)4GB的地址空間，為了區(qū)別起見(jiàn)，我們把1MB以上的地址空間稱為擴(kuò)展內(nèi)存XMS（eXtend memory）。

擴(kuò)展內(nèi)存圖解在386以上檔次的微機(jī)中，有兩種存儲(chǔ)器工作方式，一種稱為實(shí)地址方式或?qū)嵎绞?，另一種稱為保護(hù)方式。在實(shí)方式下，物理地址仍使用20位，所以最大尋址空間為1MB，以便與8086兼容。保護(hù)方式采用32位物理地址，尋址范圍可達(dá)4GB。DOS系統(tǒng)在實(shí)方式下工作，它管理的內(nèi)存空間仍為1MB，因此它不能直接使用擴(kuò)展存儲(chǔ)器。為此，Lotus、Intel、AST及Microsoft公司建立了MS－DOS下擴(kuò)展內(nèi)存的使用標(biāo)準(zhǔn)，即擴(kuò)展內(nèi)存規(guī)范XMS。我們常在Config.sys文件中看到的Himem.sys就是管理擴(kuò)展內(nèi)存的驅(qū)動(dòng)程序。 [3]擴(kuò)展內(nèi)存管理規(guī)范的出現(xiàn)遲于擴(kuò)充內(nèi)存管理規(guī)范。高端內(nèi)存區(qū)在實(shí)方式下，內(nèi)存單元的地址可記為：段地址：段內(nèi)偏移

高端內(nèi)存通常用十六進(jìn)制寫(xiě)為XXXX：XXXX。實(shí)際的物理地址由段地址左移4位再和段內(nèi)偏移相加而成。若地址各位均為1時(shí)，即為FFFF：FFFF。其實(shí)際物理地址為：FFF0+FFFF=10FFEF，約為1088KB（少16字節(jié)），這已超過(guò)1MB范圍進(jìn)入擴(kuò)展內(nèi)存了。這個(gè)進(jìn)入擴(kuò)展內(nèi)存的區(qū)域約為64KB，是1MB以上空間的第一個(gè)64KB。我們把它稱為高端內(nèi)存區(qū)HMA（High Memory Area）。HMA的物理存儲(chǔ)器是由擴(kuò)展存儲(chǔ)器取得的。因此要使用HMA，必須要有物理的擴(kuò)展存儲(chǔ)器存在。此外HMA的建立和使用還需要XMS驅(qū)動(dòng)程序HIMEM.SYS的支持，因此只有裝入了HIMEM.SYS之后才能使用HMA。上位內(nèi)存為了解釋上位內(nèi)存的概念，我們還得回過(guò)頭看看保留內(nèi)存區(qū)。保留內(nèi)存區(qū)是指640KB～1024KB（共384KB）區(qū)域。這部分區(qū)域在PC誕生之初就明確是保留給系統(tǒng)使用的，用戶程序無(wú)法插足。但這部分空間并沒(méi)有充分使用，因此大家都想對(duì)剩余的部分打主意，分一塊地址空間（注意：是地址空間，而不是物理存儲(chǔ)器）來(lái)使用。于是就得到了又一塊內(nèi)存區(qū)域UMB。UMB（Upper Memory Blocks）稱為上位內(nèi)存或上位內(nèi)存塊。它是由擠占保留內(nèi)存中剩余未用的空間而產(chǎn)生的，它的物理存儲(chǔ)器仍然取自物理的擴(kuò)展存儲(chǔ)器，它的管理驅(qū)動(dòng)程序是EMS驅(qū)動(dòng)程序。影子內(nèi)存對(duì)于細(xì)心的讀者，可能還會(huì)發(fā)現(xiàn)一個(gè)問(wèn)題：即是對(duì)于裝有1MB或1MB以上物理存儲(chǔ)器的機(jī)器，其640KB～1024KB這部分物理存儲(chǔ)器如何使用的問(wèn)題。由于這部分地址空間已分配為系統(tǒng)使用，所以不能再重復(fù)使

內(nèi)存用。為了利用這部分物理存儲(chǔ)器，在某些386系統(tǒng)中，提供了一個(gè)重定位功能，即把這部分物理存儲(chǔ)器的地址重定位為1024KB～1408KB。這樣，這部分物理存儲(chǔ)器就變成了擴(kuò)展存儲(chǔ)器，當(dāng)然可以使用了。但這種重定位功能在當(dāng)今高檔機(jī)器中不再使用，而把這部分物理存儲(chǔ)器保留作為Shadow存儲(chǔ)器。Shadow存儲(chǔ)器可以占據(jù)的地址空間與對(duì)應(yīng)的ROM是相同的。Shadow由RAM組成，其速度大大高于ROM。當(dāng)把ROM中的內(nèi)容（各種BIOS程序）裝入相同地址的Shadow RAM中，就可以從RAM中訪問(wèn)BIOS，而不必再訪問(wèn)ROM。這樣將大大提高系統(tǒng)性能。因此在設(shè)置CMOS參數(shù)時(shí)，應(yīng)將相應(yīng)的Shadow區(qū)設(shè)為允許使用（Enabled）。奇偶校驗(yàn)奇/偶校驗(yàn)（ECC）是數(shù)據(jù)傳送時(shí)采用的一種校正數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的一種方式，分為奇校驗(yàn)和偶校驗(yàn)兩種。如果是采用奇校驗(yàn)，在傳送每一個(gè)字節(jié)的時(shí)候另外附加一位作為校驗(yàn)位，當(dāng)實(shí)際數(shù)據(jù)中“1”的個(gè)數(shù)為偶數(shù)的時(shí)候，這個(gè)校驗(yàn)位就是“1”，否則這個(gè)校驗(yàn)位就是“0”，這樣就可以保證傳送數(shù)據(jù)滿足奇校驗(yàn)的要求。在接收方收到數(shù)據(jù)時(shí)，將按照奇校驗(yàn)的要求檢測(cè)數(shù)據(jù)中“1”的個(gè)數(shù)，如果是奇數(shù)，表示傳送正確，否則表示傳送錯(cuò)誤。同理偶校驗(yàn)的過(guò)程和奇校驗(yàn)的過(guò)程一樣，只是檢測(cè)數(shù)據(jù)中“1”的個(gè)數(shù)為偶數(shù)。CL延遲CL反應(yīng)時(shí)間是衡定內(nèi)存的另一個(gè)標(biāo)志。CL是CAS Latency的縮寫(xiě)，指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間，簡(jiǎn)單的說(shuō)，就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應(yīng)速度。一般的參數(shù)值是2和3兩種。數(shù)字越小，代表反應(yīng)所需的時(shí)間越短。在早期的PC133內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中，這個(gè)數(shù)值規(guī)定為3，而在Intel重新制訂的新規(guī)范中，強(qiáng)制要求CL的反應(yīng)時(shí)間必須為2，這樣在一定程度上，對(duì)于內(nèi)存廠商的芯片及PCB的組裝工藝要求相對(duì)較高，同時(shí)也保證了更優(yōu)秀的品質(zhì)。因

內(nèi)存此在選購(gòu)品牌內(nèi)存時(shí)，這是一個(gè)不可不察的因素。還有另的詮釋：內(nèi)存延遲基本上可以解釋成是系統(tǒng)進(jìn)入數(shù)據(jù)進(jìn)行存取操作就序狀態(tài)前等待內(nèi)存響應(yīng)的時(shí)間。打個(gè)形象的比喻，就像你在餐館里用餐的過(guò)程一樣。你首先要點(diǎn)菜，然后就等待服務(wù)員給你上菜。同樣的道理，內(nèi)存延遲時(shí)間設(shè)置的越短，電腦從內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)的速度也就越快，進(jìn)而電腦其他的性能也就越高。這條規(guī)則雙雙適用于基于英特爾以及AMD處理器的系統(tǒng)中。由于沒(méi)有比2-2-2-5更低的延遲，因此國(guó)際內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)組織認(rèn)為以現(xiàn)在的動(dòng)態(tài)內(nèi)存技術(shù)還無(wú)法實(shí)現(xiàn)0或者1的延遲。通常情況下，我們用4個(gè)連著的阿拉伯?dāng)?shù)字來(lái)表示一個(gè)內(nèi)存延遲，例如2-2-2-5。其中，第一個(gè)數(shù)字最為重要，它表示的是CAS Latency，也就是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間。第二個(gè)數(shù)字表示的是RAS-CAS延遲，接下來(lái)的兩個(gè)數(shù)字分別表示的是RAS預(yù)充電時(shí)間和Act-to-Precharge延遲。而第四個(gè)數(shù)字一般而言是它們中間最大的一個(gè)。總結(jié)經(jīng)過(guò)上面分析，內(nèi)存儲(chǔ)器的劃分可歸納如下：●基本內(nèi)存占據(jù)0～640KB地址空間。●保留內(nèi)存占據(jù)640KB～1024KB地址空間。分配給顯示緩沖存儲(chǔ)器、各適配卡上的ROM和系統(tǒng)ROM BIOS，剩余空間可作上位內(nèi)存UMB。UMB的物理存儲(chǔ)器取自物理擴(kuò)展存儲(chǔ)器。此范圍的物理RAM可作為

內(nèi)存Shadow RAM使用。●上位內(nèi)存（UMB）利用保留內(nèi)存中未分配使用的地址空間建立，其物理存儲(chǔ)器由物理擴(kuò)展存儲(chǔ)器取得。UMB由EMS管理，其大小可由EMS驅(qū)動(dòng)程序設(shè)定。●高端內(nèi)存（HMA）擴(kuò)展內(nèi)存中的第一個(gè)64KB區(qū)域（1024KB～1088KB）。由HIMEM.SYS建立和管理。●XMS內(nèi)存符合XMS規(guī)范管理的擴(kuò)展內(nèi)存區(qū)。其驅(qū)動(dòng)程序為HIMEM.SYS。●EMS內(nèi)存符合EMS規(guī)范管理的擴(kuò)充內(nèi)存區(qū)。其驅(qū)動(dòng)程序?yàn)镋MM386.EXE等。內(nèi)存：隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM），主要存儲(chǔ)正在運(yùn)行的程序和要處理的數(shù)據(jù)。頻率編輯內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣，習(xí)慣上被用來(lái)表示內(nèi)存的速度，它代表著該內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz（兆赫）為單位來(lái)計(jì)量的。內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快。內(nèi)

內(nèi)存頻率測(cè)試圖存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前較為主流的內(nèi)存頻率是800MHz的DDR2內(nèi)存，以及一些內(nèi)存頻率更高的DDR3內(nèi)存。大家知道，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的時(shí)鐘速度是以頻率來(lái)衡量的。晶體振蕩器控制著時(shí)鐘速度，在石英晶片上加上電壓，其就以正弦波的形式震動(dòng)起來(lái)，這一震動(dòng)可以通過(guò)晶片的形變和大小記錄下來(lái)。晶體的震動(dòng)以正弦調(diào)和變化的電流的形式表現(xiàn)出來(lái)，這一變化的電流就是時(shí)鐘信號(hào)。而內(nèi)存本身并不具備晶體振蕩器，因此內(nèi)存工作時(shí)的時(shí)鐘信號(hào)是由主板芯片組的北橋或直接由主板的時(shí)鐘發(fā)生器提供的，也就是說(shuō)內(nèi)存無(wú)法決定自身的工作頻率，其實(shí)際工作頻率是由主板來(lái)決定的。DDR內(nèi)存和DDR2內(nèi)存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是內(nèi)存顆粒實(shí)際的工作頻率，但是由于DDR內(nèi)存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)，因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的兩倍；而DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以四倍于工作頻率的速度讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)，因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是200/266/333/400MHz；DDR2 400/533/667/800的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是400/533/667/800MHz。發(fā)展編輯在計(jì)算機(jī)誕生初期并不存在內(nèi)存條的概念，最早的內(nèi)存是以磁芯的形式排列在線路上，每個(gè)磁芯與晶體管組成的一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)電路作為一比特（BIT）的存儲(chǔ)器，每一比特都要有玉米粒大小，可以想象一間的機(jī)房只能裝下不超過(guò)百k字節(jié)左右的容量。后來(lái)才出線現(xiàn)了焊接在主板上集成內(nèi)存芯片，以內(nèi)存芯片的形式為計(jì)算機(jī)的運(yùn)算提供直接支持。那時(shí)的內(nèi)存芯片容量都特別小，最常見(jiàn)的莫過(guò)于256K×1bit、1M×4bit，雖然如此，但這相對(duì)于那時(shí)的運(yùn)算任務(wù)來(lái)說(shuō)卻已經(jīng)綽綽有余了。內(nèi)存條內(nèi)存芯片的狀態(tài)一直沿用到286初期，鑒于它存在著無(wú)法拆卸更換的弊病，這對(duì)于計(jì)算機(jī)的發(fā)展造成了現(xiàn)實(shí)的阻礙。有鑒于此，內(nèi)存條便應(yīng)運(yùn)而生了。將內(nèi)存芯片焊接到事先設(shè)計(jì)好的印刷線路板上，而電腦主板上也改用內(nèi)存插槽。這樣就把內(nèi)存難以安裝和更換的問(wèn)題徹底解決了。在80286主板發(fā)布之前，內(nèi)存并沒(méi)有被世人所重視，這個(gè)時(shí)候的內(nèi)存是直接固化在主板上，而且容量只有64 ～256KB，對(duì)于當(dāng)時(shí)PC所運(yùn)行的工作程序來(lái)說(shuō)，這種內(nèi)存的性能以及容量足以滿足當(dāng)時(shí)軟件程序的處理需要。不過(guò)隨著軟件程序和新一代80286硬件平臺(tái)的出現(xiàn)，程序和硬件對(duì)內(nèi)存性能提出了更高要求，為了提高速度并擴(kuò)大容量，內(nèi)存必須以獨(dú)立的封裝形式出現(xiàn)，因而誕生了“內(nèi)存條”概念。在80286主板剛推出的時(shí)候，內(nèi)存條采用了SIMM（Single In-lineMemory Modules，單邊接觸內(nèi)存模組）接口，容量為30pin、256kb，必須是由8 片數(shù)據(jù)位和1 片校驗(yàn)位組成1 個(gè)bank，正因如此，我們見(jiàn)到的30pin SIMM一般是四條一起使用。自1982年P(guān)C進(jìn)入民用市場(chǎng)一直到現(xiàn)在，搭配80286處理器的30pin SIMM內(nèi)存是內(nèi)存領(lǐng)域的開(kāi)山鼻祖。隨后，在1988 ～1990 年當(dāng)中，PC 技術(shù)迎來(lái)另一個(gè)發(fā)展高峰，也就是386和486時(shí)代，此時(shí)CPU 已經(jīng)向16bit 發(fā)展，所以30pin SIMM內(nèi)存再也無(wú)法滿足需求，其較低的內(nèi)存帶寬已經(jīng)成為急待解決的瓶頸，所以此時(shí)72pin SIMM 內(nèi)存出現(xiàn)了，72pin SIMM支持32bit快速頁(yè)模式內(nèi)存，內(nèi)存帶寬得以大幅度提升。72pin SIMM內(nèi)存單條容量一般為512KB ～2MB，而且僅要求兩條同時(shí)使用，由于其與30pin SIMM 內(nèi)存無(wú)法兼容，因此這個(gè)時(shí)候PC業(yè)界毅然將30pin SIMM 內(nèi)存淘汰出局了。EDO DRAM（Extended Date Out RAM 外擴(kuò)充數(shù)據(jù)模式存儲(chǔ)器）內(nèi)存，這是1991 年到1995 年之間盛行的內(nèi)存條，EDO DRAM同F(xiàn)PM DRAM（Fast Page Mode RAM 快速頁(yè)面模式存儲(chǔ)器）極其相似，它取消了擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存與傳輸內(nèi)存兩個(gè)存儲(chǔ)周期之間的時(shí)間間隔，在把數(shù)據(jù)發(fā)送給CPU的同時(shí)去訪問(wèn)下一個(gè)頁(yè)面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V，帶寬32bit，速度在40ns以上，其主要應(yīng)用在當(dāng)時(shí)的486及早期的Pentium電腦上。在1991 年到1995 年中，讓我們看到一個(gè)尷尬的情況，那就是這幾年內(nèi)存技術(shù)發(fā)展比較緩慢，幾乎停滯不前，所以我們看到此時(shí)EDO DRAM有72 pin和168 pin并存的情況，事實(shí)上EDO內(nèi)存也屬于72pin SIMM 內(nèi)存的范疇，不過(guò)它采用了全新的尋址方式。EDO 在成本和容量上有所突破，憑借著制作工藝的飛速發(fā)展，此時(shí)單條EDO內(nèi)存的容量已經(jīng)達(dá)到4 ～16MB。由于Pentium及更高級(jí)別的CPU數(shù)據(jù)總線寬度都是64bit甚至更高，所以EDO DRAM與FPM DRAM都必須成對(duì)使用。SDRAM自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關(guān)的主板芯片組推出后，EDO DRAM內(nèi)存性能再也無(wú)法滿足需要了，內(nèi)存技術(shù)必須徹底得到個(gè)革新才能滿足新一代CPU架構(gòu)的需求，此時(shí)內(nèi)存開(kāi)始進(jìn)入比較經(jīng)典的SDRAM時(shí)代。第一代SDRAM內(nèi)存為PC66 規(guī)范，但很快由于Intel 和AMD的頻率之爭(zhēng)將CPU外頻提升到了100MHz，所以PC66內(nèi)存很快就被PC100內(nèi)存取代，接著133MHz 外頻的PIII以及K7時(shí)代的來(lái)臨，PC133規(guī)范也以相同的方式進(jìn)一步提升SDRAM 的整體性能，帶寬提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的帶寬為64bit，正好對(duì)應(yīng)CPU 的64bit 數(shù)據(jù)總線寬度，因此它只需要一條內(nèi)存便可工作，便捷性進(jìn)一步提高。在性能方面，由于其輸入輸出信號(hào)保持與系統(tǒng)外頻同步，因此速度明顯超越EDO 內(nèi)存。不可否認(rèn)的是，SDRAM內(nèi)存由早期的66MHz，發(fā)展后來(lái)的100MHz、133MHz，盡管沒(méi)能徹底解決內(nèi)存帶寬的瓶頸問(wèn)題，但此時(shí)CPU超頻已經(jīng)成為DIY用戶永恒的話題，所以不少用戶將品牌好的PC100品牌內(nèi)存超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功，值得一提的是，為了方便一些超頻用戶需求，市場(chǎng)上出現(xiàn)了一些PC150、PC166規(guī)范的內(nèi)存。盡管SDRAM PC133內(nèi)存的帶寬可提高帶寬到1064MB/S，加上Intel已經(jīng)開(kāi)始著手最新的Pentium 4計(jì)劃，所以SDRAM PC133內(nèi)存不能滿足日后的發(fā)展需求，此時(shí)，Intel為了達(dá)到獨(dú)占市場(chǎng)的目的，與Rambus聯(lián)合在PC市場(chǎng)推廣Rambus DRAM內(nèi)存（稱為RDRAM內(nèi)存）。與SDRAM不同的是，其采用了新一代高速簡(jiǎn)單內(nèi)存架構(gòu)，基于一種類RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡(jiǎn)指令集計(jì)算機(jī)）理論，這個(gè)理論可以減少數(shù)據(jù)的復(fù)雜性，使得整個(gè)系統(tǒng)性能得到提高。在AMD與Intel的競(jìng)爭(zhēng)中，這個(gè)時(shí)候是屬于頻率競(jìng)備時(shí)代，所以這個(gè)時(shí)候CPU的主頻在不斷提升，Intel為了蓋過(guò)AMD，推出高頻PentiumⅢ以及Pentium 4 處理器，因此Rambus DRAM內(nèi)存是被Intel看著是未來(lái)自己的競(jìng)爭(zhēng)殺手锏，Rambus DRAM內(nèi)存以高時(shí)鐘頻率來(lái)簡(jiǎn)化每個(gè)時(shí)鐘周期的數(shù)據(jù)量，因此內(nèi)存帶寬相當(dāng)出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits帶寬可達(dá)到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被認(rèn)為是Pentium 4 的絕配。盡管如此，Rambus RDRAM內(nèi)存生不逢時(shí)，后來(lái)依然要被更高速度的DDR“掠奪”其寶座地位，在當(dāng)時(shí)，PC600、PC700的Rambus RDRAM 內(nèi)存因出現(xiàn)Intel820芯片組“失誤事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本過(guò)高而讓Pentium 4平臺(tái)高高在上，無(wú)法獲得大眾用戶擁戴，種種問(wèn)題讓Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066 規(guī)范RDRAM來(lái)力挽狂瀾，但最終也是拜倒在DDR 內(nèi)存面前。DDR時(shí)代DDRSDRAM(Double Data Rate SDRAM）簡(jiǎn)稱DDR，也就是“雙倍速率SDRAM”的意思。DDR可以說(shuō)是SDRAM的升級(jí)版本，DDR在時(shí)鐘信號(hào)上升沿與下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)，這使得DDR的數(shù)據(jù)傳輸速度為傳統(tǒng)SDRAM的兩倍。由于僅多采用了下降緣信號(hào)，因此并不會(huì)造成能耗增加。至于定址與控制信號(hào)則與傳統(tǒng)SDRAM相同，僅在時(shí)鐘上升緣傳輸。DDR內(nèi)存是作為一種在性能與成本之間折中的解決方案，其目的是迅速建立起牢固的市場(chǎng)空間，繼而一步步在頻率上高歌猛進(jìn)，最終彌補(bǔ)內(nèi)存帶寬上的不足。第一代DDR200 規(guī)范并沒(méi)有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz時(shí)鐘×2倍數(shù)據(jù)傳輸=266MHz帶寬）是由PC133SDRAM內(nèi)存所衍生出的，它將DDR 內(nèi)存帶向第一個(gè)高潮，目前還有不少賽揚(yáng)和AMD K7處理器都在采用DDR266規(guī)格的內(nèi)存，其后來(lái)的DDR333內(nèi)存也屬于一種過(guò)度，而DDR400內(nèi)存成為目前的主流平臺(tái)選配，雙通道DDR400內(nèi)存已經(jīng)成為800FSB處理器搭配的基本標(biāo)準(zhǔn)，隨后的DDR533 規(guī)范則成為超頻用戶的選擇對(duì)象。DDR2時(shí)代隨著CPU 性能不斷提高，我們對(duì)內(nèi)存性能的要求也逐步升級(jí)。不可否認(rèn)，緊緊依高頻率提升帶寬的DDR遲早會(huì)力不從心，因此JEDEC 組織很早就開(kāi)始醞釀DDR2 標(biāo)準(zhǔn)，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平臺(tái)開(kāi)始對(duì)DDR2內(nèi)存的支持，所以DDR2內(nèi)存將開(kāi)始演義內(nèi)存領(lǐng)域的今天。DDR2 能夠在100MHz 的發(fā)信頻率基礎(chǔ)上提供每插腳最少400MB/s 的帶寬，而且其接口將運(yùn)行于1.8V 電壓上，從而進(jìn)一步降低發(fā)熱量，以便提高頻率。此外，DDR2 將融入CAS、OCD、ODT 等新性能指標(biāo)和中斷指令，提升內(nèi)存帶寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2標(biāo)準(zhǔn)來(lái)看，針對(duì)PC等市場(chǎng)的DDR2內(nèi)存將擁有400、533、667MHz等不同的時(shí)鐘頻率。高端的DDR2內(nèi)存將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II內(nèi)存將采用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2內(nèi)存將采用0.13微米的生產(chǎn)工藝，內(nèi)存顆粒的電壓為1.8V，容量密度為512MB。內(nèi)存技術(shù)在2005年將會(huì)毫無(wú)懸念，SDRAM為代表的靜態(tài)內(nèi)存在五年內(nèi)不會(huì)普及。QBM與RDRAM內(nèi)存也難以挽回頹勢(shì)，因此DDR與DDR2共存時(shí)代將是鐵定的事實(shí)。PC-100的“接班人”除了PC一133以外，VCM(VirXual Channel Memory）也是很重要的一員。VCM即“虛擬通道存儲(chǔ)器”，這也是目前大多數(shù)較新的芯片組支持的一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，VCM內(nèi)存主要根據(jù)由NEC公司開(kāi)發(fā)的一種“緩存式DRAM”技術(shù)制造而成，它集成了“通道緩存”，由高速寄存器進(jìn)行配置和控制。在實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐瑫r(shí)，VCM還維持著對(duì)傳統(tǒng)SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM內(nèi)存稱為VCM SDRAM。VCM與SDRAM的差別在于不論是否經(jīng)過(guò)CPU處理的數(shù)據(jù)，都可先交于VCM進(jìn)行處理，而普通的SDRAM就只能處理經(jīng)CPU處理以后的數(shù)據(jù)，所以VCM要比SDRAM處理數(shù)據(jù)的速度快20%以上。目前可以支持VCM SDRAM的芯片組很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。3．RDRAMIntel在推出：PC-100后，由于技術(shù)的發(fā)展，PC-100內(nèi)存的800MB/s帶寬已經(jīng)不能滿足需求，而PC-133的帶寬提高并不大（1064MB/s），同樣不能滿足日后的發(fā)展需求。Intel為了達(dá)到獨(dú)占市場(chǎng)的目的，與Rambus公司聯(lián)合在PC市場(chǎng)推廣Rambus DRAM(DirectRambus DRAM）。Rambus DRAM是：Rambus公司最早提出的一種內(nèi)存規(guī)格，采用了新一代高速簡(jiǎn)單內(nèi)存架構(gòu)，基于一種RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡(jiǎn)指令集計(jì)算機(jī)）理論，從而可以減少數(shù)據(jù)的復(fù)雜性，使得整個(gè)系統(tǒng)性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit總線，在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)，可以在上升沿和下降沿的同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)，這樣它的實(shí)際速度就為400MHz×2=800MHz，理論帶寬為（16bit×2×400MHz/8）1.6GB/s，相當(dāng)于PC-100的兩倍。另外，Rambus也可以儲(chǔ)存9bit字節(jié)，額外的一比特是屬于保留比特，可能以后會(huì)作為：ECC(ErroI·Checking and Correction，錯(cuò)誤檢查修正）校驗(yàn)位。Rambus的時(shí)鐘可以高達(dá)400MHz，而且僅使用了30條銅線連接內(nèi)存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules，Rambus內(nèi)嵌式內(nèi)存模塊），減少銅線的長(zhǎng)度和數(shù)量就可以降低數(shù)據(jù)傳輸中的電磁干擾，從而快速地提高內(nèi)存的工作頻率。不過(guò)在高頻率下，其發(fā)出的熱量肯定會(huì)增加，因此第一款Rambus內(nèi)存甚至需要自帶散熱風(fēng)扇。DDR3時(shí)代DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓，從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電；DDR2的4bit預(yù)讀升級(jí)為8bit預(yù)讀。DDR3目前最高能夠達(dá)到2000Mhz的速度，盡管目前最為快速的DDR2內(nèi)存速度已經(jīng)提升到800Mhz/1066Mhz的速度，但是DDR3內(nèi)存模組仍會(huì)從1066Mhz起跳。一、DDR3在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì)：1．8bit預(yù)取設(shè)計(jì)，而DDR2為4bit預(yù)取，這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。2．采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的拓樸架構(gòu)，以減輕地址/命令與控制總線的負(fù)擔(dān)。3．采用100nm以下的生產(chǎn)工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準(zhǔn)功能。部分廠商已經(jīng)推出1.35V的低壓版DDR3內(nèi)存。DDR4時(shí)代內(nèi)存廠商預(yù)計(jì)在2012年，DDR4時(shí)代將開(kāi)啟，起步頻率降至1.2V，而頻率提升至2133MHz，次年進(jìn)一步將電壓降至1.0V，頻率則實(shí)現(xiàn)2667MHz。 [4]新一代的DDR4內(nèi)存將會(huì)擁有兩種規(guī)格。根據(jù)多位半導(dǎo)體業(yè)界相關(guān)人員的介紹，DDR4內(nèi)存將會(huì)是Single-endedSignaling( 傳統(tǒng)SE信號(hào)）方式DifferentialSignaling( 差分信號(hào)技術(shù)）方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也對(duì)此表示了確認(rèn)。預(yù)計(jì)這兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)將會(huì)推出不同的芯片產(chǎn)品，因此在DDR4內(nèi)存時(shí)代我們將會(huì)看到兩個(gè)互不兼容的內(nèi)存產(chǎn)品。其他內(nèi)存編輯SRAMSRAM（Static RAM）意為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。SRAM數(shù)據(jù)不需要通過(guò)不斷地刷新來(lái)保存，因此速度比DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）快得多。但是SRAM具有的缺點(diǎn)是：同容量相比DRAM需要非常多的晶體管，發(fā)熱量也非常大。因此SRAM難以成為大容量的主存儲(chǔ)器，通常只用在CPU、GPU中作為緩存，容量也只有幾十K至幾十M。SRAM目前發(fā)展出的一個(gè)分支是eSRAM（Enhanced SRAM），為增強(qiáng)型SRAM，具備更大容量和更高運(yùn)行速度。RDRAMRDRAM是由RAMBUS公司推出的內(nèi)存。RDRAM內(nèi)存條為16bit，但是相比同期的SDRAM具有更高的運(yùn)行頻率，性能非常強(qiáng)。然而它是一個(gè)非開(kāi)放的技術(shù)，內(nèi)存廠商需要向RAMBUS公司支付授權(quán)費(fèi)。并且RAMBUS內(nèi)存的另一大問(wèn)題是不允許空通道的存在，必須成對(duì)使用，空閑的插槽必須使用終結(jié)器。因此，除了短壽的Intel i820和i850芯片組對(duì)其提供支持外，PC平臺(tái)沒(méi)有支持RAMBUS內(nèi)存的芯片組。可以說(shuō)，它是一個(gè)優(yōu)秀的技術(shù)，但不是一個(gè)成功的商業(yè)產(chǎn)品。XDR RAMXDR內(nèi)存是RDRAM的升級(jí)版。依舊由RAMBUS公司推出。XDR就是“eXtreme Data Rate”的縮寫(xiě)。XDR依舊存在RDRAM不能大面普及的那些不足之處。因此，XDR內(nèi)存的應(yīng)用依舊非常有限。比較常見(jiàn)的只有索尼的PS3游戲機(jī)。Fe-RAM鐵電存儲(chǔ)器是一種在斷電時(shí)不會(huì)丟失內(nèi)容的非易失存儲(chǔ)器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)。由于數(shù)據(jù)是通過(guò)鐵元素的磁性進(jìn)行存儲(chǔ)，因此，鐵電存儲(chǔ)器無(wú)需不斷刷新數(shù)據(jù)。其運(yùn)行速度將會(huì)非常樂(lè)觀。而且它相比SRAM需要更少的晶體管。它被業(yè)界認(rèn)為是SDRAM的最有可能的替代者。MRAM磁性存儲(chǔ)器。它和Fe-RAM具有相似性，依舊基于磁性物質(zhì)來(lái)記錄數(shù)據(jù)。OUM相變存儲(chǔ)器。奧弗辛斯基（Stanford Ovshinsky）在1968年發(fā)表了第一篇關(guān)于非晶體相變的論文，創(chuàng)立了非晶體半導(dǎo)體學(xué)。一年以后，他首次描述了基于相變理論的存儲(chǔ)器：材料由非晶體狀態(tài)變成晶體，再變回非晶體的過(guò)程中，其非晶體和晶體狀態(tài)呈現(xiàn)不同的反光特性和電阻特性，因此可以利用非晶態(tài)和晶態(tài)分別代表“0”和“1”來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。相關(guān)問(wèn)題編輯延遲問(wèn)題從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實(shí)際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內(nèi)存擁有兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的4BIT預(yù)讀取能力。換句話說(shuō)，雖然DDR2和DDR一樣，都采用了在時(shí)鐘的上升延和下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2擁有兩倍于DDR的預(yù)讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。也就是說(shuō)，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實(shí)際頻率為200MHz，而DDR2則可以達(dá)到400MHz。這樣也就出現(xiàn)了另一個(gè)問(wèn)題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內(nèi)存中，后者的內(nèi)存延時(shí)要慢于前者。舉例來(lái)說(shuō)，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而后者具有高一倍的帶寬。實(shí)際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說(shuō)DDR2-400的延遲要高于DDR400。封裝發(fā)熱量DDR2內(nèi)存技術(shù)最大的突破點(diǎn)其實(shí)不在于用戶們所認(rèn)為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制。DDR內(nèi)存通常采用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當(dāng)頻率更高時(shí)，它過(guò)長(zhǎng)的管腳就會(huì)產(chǎn)生很高的阻抗和寄生電容，這會(huì)影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP封裝形式，F(xiàn)BGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來(lái)頻率的發(fā)展提供了良好的保障。DDR2內(nèi)存采用1.8V電壓，相對(duì)于DDR標(biāo)準(zhǔn)的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量，這一點(diǎn)的變化是意義重大的。DDR2除了以上所說(shuō)的區(qū)別外，DDR2還引入了三項(xiàng)新的技術(shù)，它們是OCD、ODT和Post CAS。OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅(qū)動(dòng)調(diào)整，DDR II通過(guò)OCD可以提高信號(hào)的完整性。DDR II通過(guò)調(diào)整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過(guò)減少DQ-DQS的傾斜來(lái)提高信號(hào)的完整性；通過(guò)控制電壓來(lái)提高信號(hào)品質(zhì)。ODT：ODT是內(nèi)建核心的終結(jié)電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數(shù)據(jù)線終端反射信號(hào)需要大量的終結(jié)電阻。它大大增加了主板的制造成本。實(shí)際上，不同的內(nèi)存模組對(duì)終結(jié)電路的要求是不一樣的，終結(jié)電阻的大小決定了數(shù)據(jù)線的信號(hào)比和反射率，終結(jié)電阻小則數(shù)據(jù)線信號(hào)反射低但是信噪比也較低；終結(jié)電阻高，則數(shù)據(jù)線的信噪比高，但是信號(hào)反射也會(huì)增加。因此主板上的終結(jié)電阻并不能非常好的匹配內(nèi)存模組，還會(huì)在一定程度上影響信號(hào)品質(zhì)。DDR2可以根據(jù)自己的特點(diǎn)內(nèi)建合適的終結(jié)電阻，這樣可以保證最佳的信號(hào)波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號(hào)品質(zhì)，這是DDR不能比擬的。Post CAS：它是為了提高DDR II內(nèi)存的利用效率而設(shè)定的。在Post CAS操作中，CAS信號(hào)（讀寫(xiě)/命令）能夠被插到RAS信號(hào)后面的一個(gè)時(shí)鐘周期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）后面保持有效。原來(lái)的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進(jìn)行設(shè)置。由于CAS信號(hào)放在了RAS信號(hào)后面一個(gè)時(shí)鐘周期，因此ACT和CAS信號(hào)永遠(yuǎn)也不會(huì)產(chǎn)生碰撞沖突。總的來(lái)說(shuō)，DDR2采用了諸多的新技術(shù)，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術(shù)的不斷提高和完善，這些問(wèn)題終將得到解決。DDR31．突發(fā)長(zhǎng)度（Burst Length，BL）由于DDR3的預(yù)取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期（Burst Length，BL）也固定為8，而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個(gè)4bit Burst Chop（突發(fā)突變）模式，即由一個(gè)BL=4的讀取操作加上一個(gè)BL=4的寫(xiě)入操作來(lái)合成一個(gè)BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸，屆時(shí)可通過(guò)A12地址線來(lái)控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是，任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制（如4bit順序突發(fā)）。2．尋址時(shí)序（Timing）就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來(lái)后延遲周期數(shù)增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2～5之間，而DDR3則在5～11之間，且附加延遲（AL）的設(shè)計(jì)也有所變化。DDR2時(shí)AL的范圍是0～4，而DDR3時(shí)AL有三種選項(xiàng)，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個(gè)時(shí)序參數(shù)——寫(xiě)入延遲（CWD），這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。3．DDR3新增的重置（Reset）功能重置是DDR3新增的一項(xiàng)重要功能，并為此專門準(zhǔn)備了一個(gè)引腳。DRAM業(yè)界很早以前就要求增加這一功能，如今終于在DDR3上實(shí)現(xiàn)了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡(jiǎn)單。當(dāng)Reset命令有效時(shí)，DDR3內(nèi)存將停止所有操作，并切換至最少量活動(dòng)狀態(tài)，以節(jié)約電力。在Reset期間，DDR3內(nèi)存將關(guān)閉內(nèi)在的大部分功能，所有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關(guān)閉，所有內(nèi)部的程序裝置將復(fù)位，DLL（延遲鎖相環(huán)路）與時(shí)鐘電路將停止工作，而且不理睬數(shù)據(jù)總線上的任何動(dòng)靜。這樣一來(lái)，將使DDR3達(dá)到最節(jié)省電力的目的。4．DDR3新增ZQ校準(zhǔn)功能ZQ也是一個(gè)新增的腳，在這個(gè)引腳上接有一個(gè)240歐姆的低公差參考電阻。這個(gè)引腳通過(guò)一個(gè)命令集，通過(guò)片上校準(zhǔn)引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）來(lái)自動(dòng)校驗(yàn)數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻與ODT的終結(jié)電阻值。當(dāng)系統(tǒng)發(fā)出這一指令后，將用相應(yīng)的時(shí)鐘周期（在加電與初始化之后用512個(gè)時(shí)鐘周期，在退出自刷新操作后用256個(gè)時(shí)鐘周期、在其他情況下用64個(gè)時(shí)鐘周期）對(duì)導(dǎo)通電阻和ODT電阻進(jìn)行重新校準(zhǔn)。5．參考電壓分成兩個(gè)在DDR3系統(tǒng)中，對(duì)于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號(hào)VREF將分為兩個(gè)信號(hào)，即為命令與地址信號(hào)服務(wù)的VREFCA和為數(shù)據(jù)總線服務(wù)的VREFDQ，這將有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級(jí)。6．點(diǎn)對(duì)點(diǎn)連接（Point-to-Point，P2P）這是為了提高系統(tǒng)性能而進(jìn)行的重要改動(dòng)，也是DDR3與DDR2的一個(gè)關(guān)鍵區(qū)別。在DDR3系統(tǒng)中，一個(gè)內(nèi)存控制器只與一個(gè)內(nèi)存通道打交道，而且這個(gè)內(nèi)存通道只能有一個(gè)插槽，因此，內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組之間是點(diǎn)對(duì)點(diǎn)（P2P）的關(guān)系（單物理Bank的模組），或者是點(diǎn)對(duì)雙點(diǎn)（Point-to-two-Point，P22P）的關(guān)系（雙物理Bank的模組），從而大大地減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線的負(fù)載。而在內(nèi)存模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標(biāo)準(zhǔn)DIMM（臺(tái)式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務(wù)器）之分，其中第二代FB-DIMM將采用規(guī)格更高的AMB2（高級(jí)內(nèi)存緩沖器）。面向64位構(gòu)架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優(yōu)勢(shì)，此外，由于DDR3所采用的根據(jù)溫度自動(dòng)自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移動(dòng)設(shè)備的歡迎，就像最先迎接DDR2內(nèi)存的不是臺(tái)式機(jī)而是服務(wù)器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC臺(tái)式機(jī)領(lǐng)域，DDR3未來(lái)也是一片光明。目前Intel預(yù)計(jì)在明年第二季所推出的新芯片-熊湖（Bear Lake），其將支持DDR3規(guī)格，而AMD也預(yù)計(jì)同時(shí)在K9平臺(tái)上支持DDR2及DDR3兩種規(guī)格。內(nèi)存異步工作模式包含多種意義，在廣義上凡是內(nèi)存工作頻率與CPU的外頻不一致時(shí)都可以稱為內(nèi)存異步工作模式。首先，最早的內(nèi)存異步工作模式出現(xiàn)在早期的主板芯片組中，可以使內(nèi)存工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下（注意只是簡(jiǎn)單相差33MHz），從而可以提高系統(tǒng)內(nèi)存性能或者使老內(nèi)存繼續(xù)發(fā)揮余熱。其次，在正常的工作模式（CPU不超頻）下，目前不少主板芯片組也支持內(nèi)存異步工作模式，例如Intel 910GL芯片組，僅僅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外頻，但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200MHz的DDR 400正常工作（注意此時(shí)其CPU外頻133MHz與DDR 400的工作頻率200MHz已經(jīng)相差66MHz了），只不過(guò)搭配不同的內(nèi)存其性能有差異罷了。再次，在CPU超頻的情況下，為了不使內(nèi)存拖CPU超頻能力的后腿，此時(shí)可以調(diào)低內(nèi)存的工作頻率以便于超頻，例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超頻，不少產(chǎn)品的外頻都可以輕松超上300MHz，而此如果在內(nèi)存同步的工作模式下，此時(shí)內(nèi)存的等效頻率將高達(dá)DDR 600，這顯然是不可能的，為了順利超上300MHz外頻，我們可以在超頻前在主板BIOS中把內(nèi)存設(shè)置為DDR 333或DDR 266，在超上300MHz外頻之后，前者也不過(guò)才DDR 500（某些極品內(nèi)存可以達(dá)到），而后者更是只有DDR 400（完全是正常的標(biāo)準(zhǔn)頻率），由此可見(jiàn)，正確設(shè)置內(nèi)存異步模式有助于超頻

三代內(nèi)存的區(qū)別成功。目前的主板芯片組幾乎都支持內(nèi)存異步，英特爾公司從810系列到目前較新的875系列都支持，而威盛公司則從693芯片組以后全部都提供了此功能。容量編輯內(nèi)存容量同硬盤、軟盤等存儲(chǔ)器容量單位都是相同的，它們的基本單位都是字節(jié)（B），并且：

內(nèi)存1024B=1KB=1024字節(jié)=2^10字節(jié)（^代表次方）1024KB=1MB=1048576字節(jié)=2^20字節(jié)1024MB=1GB=1073741824字節(jié)=2^30字節(jié)1024GB=1TB=1099511627776字節(jié)=2^40字節(jié)1024TB=1PB=1125899906842624字節(jié)=2^50字節(jié)1024PB=1EB=115 292150 4606846976字節(jié)=2^60字節(jié)1024EB=1ZB=1180591620717411303424字節(jié)=2^70字節(jié)1024ZB=1YB=1208925819614629174706176字節(jié)=2^80字節(jié)大小編輯內(nèi)存的種類和運(yùn)行頻率會(huì)對(duì)性能有一定影響，不過(guò)相比之下，容量的影響更加大。在其他配置相同的條件下內(nèi)存越大機(jī)器性能也就越高。內(nèi)存的價(jià)格小幅走低，2011年前后，電腦內(nèi)存的配置越來(lái)越大，一般都在1G以上，更有2G、4G、6G內(nèi)存的電腦。內(nèi)存作為電腦中重要的配件之一，內(nèi)存容量的大小確實(shí)能夠直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的性能。因此，內(nèi)存容量已經(jīng)越來(lái)越受到消費(fèi)者的關(guān)注。尤其在目前WIN7操作系統(tǒng)已經(jīng)開(kāi)始取代XP之時(shí)，對(duì)于最新的WIN7操作系統(tǒng)，多數(shù)消費(fèi)者都認(rèn)為大容量能讓其內(nèi)存評(píng)分得到提升。內(nèi)存的工作原理。從功能上理解，我們可以將內(nèi)存看作是內(nèi)存控制器與CPU之間的橋梁，內(nèi)存也就相當(dāng)于“倉(cāng)庫(kù)”。顯然，內(nèi)存的容量決定“倉(cāng)庫(kù)”的大小，而內(nèi)存的速度決定“橋梁”的寬窄，兩者缺一不可，這也就是我們常常說(shuō)道的“內(nèi)存容量”與“內(nèi)存速度”。內(nèi)存帶寬的計(jì)算方法并不復(fù)雜，大家可以遵循如下的計(jì)算公式：帶寬=總線寬度×總線頻率×一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)交換的數(shù)據(jù)包個(gè)數(shù)。很明顯，在這些乘數(shù)因子中，每個(gè)都會(huì)對(duì)最終的內(nèi)存帶寬產(chǎn)生極大的影響。在PCMark Vantage測(cè)試中，可以看到2GB和4GB DDR3-1600內(nèi)存性能比較接近，其中2GB內(nèi)存僅在啟動(dòng)一些辦公軟件時(shí)候比較落后，畢竟少了一半容量所以運(yùn)行起來(lái)比較吃力。而在3DmarkVantage游戲性能測(cè)試中，我們可以看出在Win7系統(tǒng)下，2GB和4GB內(nèi)存的性能區(qū)別不是很大，成績(jī)非常接近。同時(shí)，在WIN7環(huán)境下，2GB內(nèi)存與4GB內(nèi)存差別很小，有些情況下甚至沒(méi)有差別，這時(shí)如果想提高內(nèi)存性能，光想著升級(jí)容量意義并不是很大。寬帶編輯何謂內(nèi)存帶寬從功能上理解，我們可以將內(nèi)存看作是內(nèi)存控制器（一般位于北橋芯片中）與CPU之間的橋梁或與倉(cāng)庫(kù)。顯然，內(nèi)存的容量決定“倉(cāng)庫(kù)”的大小，而內(nèi)存的帶寬決定“橋梁”的寬窄，兩者缺一不可，這也就是我們常常說(shuō)道的“內(nèi)存容量”與“內(nèi)存速度”。除了內(nèi)存容量與內(nèi)存速度，延時(shí)周期也是決定其性能的關(guān)鍵。當(dāng)CPU需要內(nèi)存中的數(shù)據(jù)時(shí)，它會(huì)發(fā)出一個(gè)由內(nèi)存控制器所執(zhí)行的要求，內(nèi)存控制器接著將要求發(fā)送至內(nèi)存，并在接收數(shù)據(jù)時(shí)向CPU報(bào)告整個(gè)周期（從CPU到內(nèi)存控制器，內(nèi)存再回到CPU）所需的時(shí)間。毫無(wú)疑問(wèn)，縮短整個(gè)周期也是提高內(nèi)存速度的關(guān)鍵，這就好比在橋梁上工作的警察，其指揮疏通能力也是決定通暢度的因素之一。更快速的內(nèi)存技術(shù)對(duì)整體性能表現(xiàn)有重大的貢獻(xiàn)，但是提高內(nèi)存帶寬只是解決方案的一部分，數(shù)據(jù)在CPU以及內(nèi)存間傳送所花的時(shí)間通常比處理器執(zhí)行功能所花的時(shí)間更長(zhǎng)，為此緩沖區(qū)被廣泛應(yīng)用。其實(shí)，所謂的緩沖器就是CPU中的一級(jí)緩存與二級(jí)緩存，它們是內(nèi)存這座“大橋梁”與CPU之間的“小橋梁”。事實(shí)上，一級(jí)緩存與二級(jí)緩存采用的是SRAM，我們也可以將其寬泛地理解為“內(nèi)存帶寬”，不過(guò)現(xiàn)在似乎更多地被解釋為“前端總線”，所以我們也只是簡(jiǎn)單的提一下。事先預(yù)告一下，“前端總線”與“內(nèi)存帶寬”之間有著密切的聯(lián)系，我們將會(huì)在后面的測(cè)試中有更加深刻的認(rèn)識(shí)。帶寬重要性內(nèi)存帶寬為何會(huì)如此重要呢？在回答這一問(wèn)題之前，我們先來(lái)簡(jiǎn)單看一看系統(tǒng)工作的過(guò)程?；旧袭?dāng)CPU接收到指令后，它會(huì)最先向CPU中的一級(jí)緩存（L1Cache）去尋找相關(guān)的數(shù)據(jù)，雖然一級(jí)緩存是與CPU同頻運(yùn)行的，但是由于容量較小，所以不可能每次都命中。這時(shí)CPU會(huì)繼續(xù)向下一級(jí)的二級(jí)緩存（L2Cache）尋找，同樣的道理，當(dāng)所需要的數(shù)據(jù)在二級(jí)緩存中也沒(méi)有的話，會(huì)繼續(xù)轉(zhuǎn)向L3Cache（如果有的話，如K6-2+和K6-3）、內(nèi)存和硬盤。由于目前系統(tǒng)處理的數(shù)據(jù)量都是相當(dāng)巨大的，因此幾乎每一步操作都得經(jīng)過(guò)內(nèi)存，這也是整個(gè)系統(tǒng)中工作最為頻繁的部件。如此一來(lái)，內(nèi)存的性能就在一定程度上決定了這個(gè)系統(tǒng)的表現(xiàn)，這點(diǎn)在多媒體設(shè)計(jì)軟件和3D游戲中表現(xiàn)得更為明顯。3D顯卡的內(nèi)存帶寬（或許稱為顯存帶寬更為合適）的重要性也是不言而喻的，甚至其作用比系統(tǒng)的內(nèi)存帶寬更為明顯。大家知道，顯示卡在進(jìn)行像素渲染時(shí)，都需要從顯存的不同緩沖區(qū)中讀寫(xiě)數(shù)據(jù)。這些緩沖區(qū)中有的放置描述像素ARGB（阿爾法通道，紅，綠，藍(lán)）元素的顏色數(shù)據(jù)，有的放置像素Z值（用來(lái)描述像素的深度或者說(shuō)可見(jiàn)性的數(shù)據(jù)）。顯然，一旦產(chǎn)生Z軸數(shù)據(jù)，顯存的負(fù)擔(dān)會(huì)立即陡然提升，在加上各種材質(zhì)貼圖、深度復(fù)雜性渲染、3D特效.提高內(nèi)存帶寬內(nèi)存帶寬的計(jì)算方法并不復(fù)雜，大家可以遵循如下的計(jì)算公式：帶寬=總線寬度×總線頻率×一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)交換的數(shù)據(jù)包個(gè)數(shù)。很明顯，在這些乘數(shù)因子中，每個(gè)都會(huì)對(duì)最終的內(nèi)存帶寬產(chǎn)生極大的影響。然而，如今在頻率上已經(jīng)沒(méi)有太大文章可作，畢竟這受到制作工藝的限制，不可能在短時(shí)間內(nèi)成倍提高。而總線寬度和數(shù)據(jù)包個(gè)數(shù)就大不相同了，簡(jiǎn)單的改變會(huì)令內(nèi)存帶寬突飛猛進(jìn)。DDR技術(shù)就使我們感受到提高數(shù)據(jù)包個(gè)數(shù)的好處，它令內(nèi)存帶寬瘋狂地提升一倍。當(dāng)然，提高數(shù)據(jù)包個(gè)數(shù)的方法不僅僅局限于在內(nèi)存上做文章，通過(guò)多個(gè)內(nèi)存控制器并行工作同樣可以起到效果，這也就是如今熱門的雙通道DDR芯片組（如nForce2、I875/865等）。事實(shí)上，雙通道DDR內(nèi)存控制器并不能算是新發(fā)明，因?yàn)樵缭赗AMBUS時(shí)代，RDRAM就已經(jīng)使用了類似技術(shù)，只不過(guò)當(dāng)時(shí)RDRAM的總線寬度只有16Bit，無(wú)法與DDR的64Bit相提并論。內(nèi)存技術(shù)發(fā)展到如今這一階段，四通道內(nèi)存控制器的出現(xiàn)也只是時(shí)間問(wèn)題，VIA的QBM技術(shù)以及SiS支持四通道RDRAM的芯片組，這些都是未來(lái)的發(fā)展方向。至于顯卡方面，我們對(duì)其顯存帶寬更加敏感，這甚至也是很多廠商用來(lái)區(qū)分高低端產(chǎn)品的重要方面。同樣是使用DDR顯存的產(chǎn)品，128Bit寬度的產(chǎn)品會(huì)表現(xiàn)出遠(yuǎn)遠(yuǎn)勝過(guò)64Bit寬度的產(chǎn)品。當(dāng)然提高顯存頻率也是一種解決方案，不過(guò)其效果并不明顯，而且會(huì)大幅度提高成本。值得注意的是，目前部分高端顯卡甚至動(dòng)用了DDRII技術(shù)，不過(guò)至少在目前看來(lái)，這項(xiàng)技術(shù)還為時(shí)過(guò)早。識(shí)別內(nèi)存帶寬對(duì)于內(nèi)存而言，辨別內(nèi)存帶寬是一件相當(dāng)簡(jiǎn)單的事情，因?yàn)?a target="_blank" >SDRAM、DDR、RDRAM這三種內(nèi)存在外觀上有著很大的差別，大家通過(guò)下面這副圖就能清楚地認(rèn)識(shí)到。唯一需要我們?nèi)ケ嬲J(rèn)的便是不同頻率的DDR內(nèi)存。目前主流DDR內(nèi)存分為DDR266、DDR333以及DDR400，其中后三位數(shù)字代表工作頻率。通過(guò)內(nèi)存條上的標(biāo)識(shí)，自然可以很方便地識(shí)別出其規(guī)格。相對(duì)而言，顯卡上顯存帶寬的識(shí)別就要困難一些。在這里，我們應(yīng)該抓住“顯存位寬”和“顯存頻率”兩個(gè)重要的技術(shù)指標(biāo)。顯存位寬的計(jì)算方法是：?jiǎn)螇K顯存顆粒位寬×顯存HY、三星、EtronTech（鈺創(chuàng)）等都提供專用的顯存編號(hào)查詢網(wǎng)站，相當(dāng)方便。如三星的顯存就可以到如下的地址下載，只要輸入相應(yīng)的顯存顆粒編號(hào)即可。此外，使用RivaTuner也可以檢測(cè)顯卡上顯存的總位寬，大家打開(kāi)RivaTuner在MAIN菜單即可看到。選購(gòu)方法編輯做工要精良對(duì)于選擇內(nèi)存來(lái)說(shuō)，最重要的是穩(wěn)定性和性能，而內(nèi)存的做工水平直接會(huì)影響到性能、穩(wěn)定以及超頻。內(nèi)存顆粒的好壞直接影響到內(nèi)存的性能，可以說(shuō)也是內(nèi)存最重要的核心元件。所以大家在購(gòu)買時(shí)，盡量選擇大廠生產(chǎn)出來(lái)的內(nèi)存顆粒，一般常見(jiàn)的內(nèi)存顆粒廠商有三星、現(xiàn)代、鎂光、南亞、茂矽等，它們都是經(jīng)過(guò)完整的生產(chǎn)工序，因此在品質(zhì)上都更有保障。而采用這些頂級(jí)大廠內(nèi)存顆粒的內(nèi)存條品質(zhì)性能，必然會(huì)比其他雜牌內(nèi)存顆粒的產(chǎn)品要高出許多。內(nèi)存PCB電路板的作用是連接內(nèi)存芯片引腳與主板信號(hào)線，因此其做工好壞直接關(guān)系著系統(tǒng)穩(wěn)定性。目前主流內(nèi)存PCB電路板層數(shù)一般是6層，這類電路板具有良好的電氣性能，可以有效屏蔽信號(hào)干擾。而更優(yōu)秀的高規(guī)格內(nèi)存往往配備了8層PCB電路板，以起到更好的效能。SPD隱藏信息SPD信息可以說(shuō)非常重要，它能夠直觀反映出內(nèi)存的性能及體制。它里面存放著內(nèi)存可以穩(wěn)定工作的指標(biāo)信息以及產(chǎn)品的生產(chǎn)，廠家等信息。不過(guò)，由于每個(gè)廠商都能對(duì)SPD進(jìn)行隨意修改，因此很多雜牌內(nèi)存廠商會(huì)將SPD參數(shù)進(jìn)行修改或者直接COPY名牌產(chǎn)品的SPD，但是一旦上機(jī)用軟件檢測(cè)就會(huì)原形畢露。因此，大家在購(gòu)買內(nèi)存以后，回去用常用的Everest、CPU-Z等軟件一查即可明白。不過(guò)需要注意的是，對(duì)于大品牌內(nèi)存來(lái)說(shuō)SPD參數(shù)是非常重要的，但是對(duì)于雜牌內(nèi)存來(lái)說(shuō)，SPD的信息并不值得完全相信。假冒返修產(chǎn)品目前有一些內(nèi)存往往使用了不同品牌、型號(hào)的內(nèi)存顆粒，大家一眼就可以看出區(qū)別。同時(shí)有些無(wú)孔不入的JS也會(huì)采用打磨內(nèi)存顆粒的作假手段，然后再加印上新的編號(hào)參數(shù)。不過(guò)仔細(xì)觀察，就會(huì)發(fā)現(xiàn)打磨過(guò)后的芯片比較暗淡無(wú)光，有起毛的感覺(jué)，而且加印上的字跡模糊不清晰。這些一般都是假冒的內(nèi)存產(chǎn)品，需要注意。此外，大家還要觀察PCB電路板是否整潔，有無(wú)毛刺等等，金手指是否很明顯有經(jīng)過(guò)插拔所留下的痕跡，如果有，則很有可能是返修內(nèi)存產(chǎn)品（當(dāng)然也不排除有廠家出廠前經(jīng)過(guò)測(cè)試，不過(guò)比較少數(shù)）。需要提醒大家的是，返修和假冒內(nèi)存無(wú)論多么便宜都不值得購(gòu)買，因?yàn)槠浒踩[患十分嚴(yán)重。故障修復(fù)編輯一、開(kāi)機(jī)無(wú)顯示 [4]由于內(nèi)存條原因出現(xiàn)此類故障一般是因?yàn)閮?nèi)存條與主板內(nèi)存插槽接觸不良造成，只要用橡皮擦來(lái)回擦試其金手指部位即可解決問(wèn)題（不要用酒精等清洗），還有就是內(nèi)存損壞或主板內(nèi)存槽有問(wèn)題也會(huì)造成此類故障。由于內(nèi)存條原因造成開(kāi)機(jī)無(wú)顯示故障，主機(jī)揚(yáng)聲器一般都會(huì)長(zhǎng)時(shí)間蜂鳴（針對(duì)Award Bios而言）

內(nèi)存二、windows系統(tǒng)運(yùn)行不穩(wěn)定，經(jīng)常產(chǎn)生非法錯(cuò)誤出現(xiàn)此類故障一般是由于內(nèi)存芯片質(zhì)量不良或軟件原因引起，如若確定是內(nèi)存條原因只有更換一途。三、windows注冊(cè)表經(jīng)常無(wú)故損壞，提示要求用戶恢復(fù)此類故障一般都是因?yàn)?a target="_blank" >內(nèi)存條質(zhì)量不佳引起，很難予以修復(fù)，唯有更換一途。四、windows經(jīng)常自動(dòng)進(jìn)入安全模式此類故障一般是由于主板與內(nèi)存條不兼容或內(nèi)存條質(zhì)量不佳引起，常見(jiàn)于PC133內(nèi)存用于某些不支持PC133內(nèi)存條的主板上，可以嘗試在CMOS設(shè)置內(nèi)降低內(nèi)存讀取速度看能否解決問(wèn)題，如若不行，那就只有更換內(nèi)存條了。五、隨機(jī)性死機(jī)此類故障一般是由于采用了幾種不同芯片的內(nèi)存條，由于各內(nèi)存條速度不同產(chǎn)生一個(gè)時(shí)間差從而導(dǎo)致死機(jī)，對(duì)此可以在CMOS設(shè)置內(nèi)降低內(nèi)存速度予以解決，否則，唯有使用同型號(hào)內(nèi)存。還有一種可能就是內(nèi)存條與主板不兼容，此類現(xiàn)象一般少見(jiàn)，另外也有可能是內(nèi)存條與主板接觸不良引起電腦隨機(jī)性死機(jī)，此類現(xiàn)象倒是比較常見(jiàn)。六、內(nèi)存加大后系統(tǒng)資源反而降低此類現(xiàn)象一般是由于主板與內(nèi)存不兼容引起，常見(jiàn)于PC133內(nèi)存條用于某些不支持PC133內(nèi)存條的主板上，即使系統(tǒng)重裝也不能解決問(wèn)題。七、windows啟動(dòng)時(shí)，在載入高端內(nèi)存文件himem.sys時(shí)系統(tǒng)提示某些地址有問(wèn)題此問(wèn)題一般是由于內(nèi)存條的某些芯片損壞造成，解決方法可參見(jiàn)下面內(nèi)存維修一法。八、運(yùn)行某些軟件時(shí)經(jīng)常出現(xiàn)內(nèi)存不足的提示此現(xiàn)象一般是由于系統(tǒng)盤剩余空間不足造成，可以刪除一些無(wú)用文件，多留一些空間即可，一般保持在300M左右為宜。九、從硬盤引導(dǎo)安裝windows進(jìn)行到檢測(cè)磁盤空間時(shí)，系統(tǒng)提示內(nèi)存不足此類故障一般是由于用戶在config.sys文件中加入了emm386.exe文件，只要將其屏蔽掉即可解決問(wèn)題。十、安裝windows進(jìn)行到系統(tǒng)配置時(shí)產(chǎn)生一個(gè)非法錯(cuò)誤此類故障一般是由于內(nèi)存條損壞造成，可以按內(nèi)存維修一法來(lái)解決，如若不行，那就只有更換內(nèi)存條了。十一、啟動(dòng)windows時(shí)系統(tǒng)多次自動(dòng)重新啟動(dòng)此類故障一般是由于內(nèi)存條或電源質(zhì)量有問(wèn)題造成，當(dāng)然，系統(tǒng)重新啟動(dòng)還有可能是CPU散熱不良或其他人為故障造成，對(duì)此，唯有用排除法一步一步排除。十二、內(nèi)存維修一法出現(xiàn)上面幾種故障后，倘若內(nèi)存損壞或芯片質(zhì)量不行，如條件不允許可以用烙鐵將內(nèi)存一邊的各芯片卸下，看能否解決問(wèn)題，如若不行再換卸另一邊的芯片，直到成功為止（如此焊工只怕要維修手機(jī)的人方可達(dá)到）。當(dāng)然，有條件用示波器檢測(cè)那就事半功倍了），采用此法后，因?yàn)橐褜?a target="_blank" >內(nèi)存的一邊芯片卸下，所以內(nèi)存只有一半可用，例如，64M還有32M可用，為此，對(duì)于小容量?jī)?nèi)存就沒(méi)有維修的必要了。常見(jiàn)誤解編輯內(nèi)部外存儲(chǔ)器這種情況主要是發(fā)生在描述移動(dòng)設(shè)備的內(nèi)部集成的數(shù)據(jù)存放空間時(shí)。比如一臺(tái)手機(jī)具備8G的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間，不少人將其描述為“8G內(nèi)存”，事實(shí)上，這種表述是錯(cuò)誤的，因?yàn)樗^的“8G內(nèi)存”是一個(gè)外存儲(chǔ)器。不能將“內(nèi)部的外存儲(chǔ)器”簡(jiǎn)稱為”內(nèi)存，因?yàn)閮?nèi)存是一個(gè)特定的概念，為內(nèi)存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱。存儲(chǔ)卡的容量存儲(chǔ)卡的容量不應(yīng)當(dāng)簡(jiǎn)稱為“內(nèi)存”，因其也是外存儲(chǔ)器。***********************************************************************************************3.電腦內(nèi)存知識(shí)掃盲：全方位帶你了解內(nèi)存條百事數(shù)碼2017-12-28 15:17電腦百事網(wǎng)6270+ 關(guān)注在電腦硬件中，內(nèi)存無(wú)疑是今年被討論最多的，這不是因?yàn)樗亲詈诵挠布?，也是今年?nèi)存漲瘋了。不少網(wǎng)友表示“現(xiàn)在配電腦連根內(nèi)存條都買不起了。”自去年開(kāi)始內(nèi)存條價(jià)格上漲迅猛，以8GB的金士頓內(nèi)存為例，相比去年200到300元的價(jià)格，現(xiàn)在已經(jīng)漲到了七八百元左右，足足漲了3倍！一位剛剛?cè)ツ曩I房的人士表示：“我最后悔的就是，沒(méi)買內(nèi)存，而是把錢付了首付！”電腦內(nèi)存知識(shí)掃盲：全方位帶你了解內(nèi)存條話說(shuō)這金貴的內(nèi)存條到底在電腦中扮演什么樣的角色，市面上各種各樣的內(nèi)存條又有什么區(qū)別，關(guān)于內(nèi)存的認(rèn)識(shí)是否存在誤區(qū)？今天小小帶大家了解一下，下面主要圍繞內(nèi)存是干啥用的、內(nèi)存結(jié)構(gòu)與規(guī)格、不同頻率的內(nèi)存能否兼容、虛擬內(nèi)存是什么，該怎樣設(shè)置？等三個(gè)問(wèn)題進(jìn)行講解。一、內(nèi)存的作用內(nèi)存也被稱為內(nèi)存儲(chǔ)器，其作用是用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲(chǔ)器交換的數(shù)據(jù)，內(nèi)存是外界與CPU進(jìn)行溝通的橋梁。打個(gè)比方，把我們自己比作CPU，硬盤比作圖書(shū)館，內(nèi)存即是家里的書(shū)柜。我們（CPU）需要寫(xiě)論文時(shí)會(huì)去圖書(shū)館（硬盤）查取相關(guān)書(shū)籍資料，因?yàn)槲覀儯–PU）需要的資料非常隨機(jī)且不連續(xù)，從家出發(fā)到圖書(shū)館（硬盤）的路程比較長(zhǎng)也不方便，所以會(huì)把部分可能用到的書(shū)籍資料借走放在家里書(shū)柜（內(nèi)存）里，方便一段時(shí)間內(nèi)隨時(shí)查閱。所以說(shuō)只要計(jì)算機(jī)在運(yùn)行中，CPU就會(huì)把需要運(yùn)算的數(shù)據(jù)調(diào)到內(nèi)存中進(jìn)行運(yùn)算，當(dāng)運(yùn)算完成后CPU再將結(jié)果傳送出來(lái)，因此內(nèi)存的性能對(duì)計(jì)算機(jī)的影響非常大。undefined作者：百事數(shù)碼鏈接：https://www.pc841.com/article/20171228-86755_2.html來(lái)源：電腦百事網(wǎng)著作權(quán)歸作者所有，商業(yè)轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系我們獲得授權(quán)，非商業(yè)轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。undefined作者：百事數(shù)碼鏈接：https://www.pc841.com/article/20171228-86755_3.html來(lái)源：電腦百事網(wǎng)著作權(quán)歸作者所有，商業(yè)轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系我們獲得授權(quán)，非商業(yè)轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。undefined作者：百事數(shù)碼鏈接：https://www.pc841.com/article/20171228-86755_4.html來(lái)源：電腦百事網(wǎng)著作權(quán)歸作者所有，商業(yè)轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系我們獲得授權(quán)，非商業(yè)轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。***********************************************************************************************4.內(nèi)存知多少，這些小常識(shí)你需要了解一下嘿極客百家號(hào)05-1500:06內(nèi)存作為一個(gè)電腦中或不可缺的存在，想必大家對(duì)于這么一個(gè)存在都已經(jīng)習(xí)以為常了。而且隨著目前游戲大作的頻出不斷，我們對(duì)于游戲內(nèi)存的要求也是水漲船高，高頻率，高容量又或者是RGB燈效等等，都成了我們挑選內(nèi)存的首要條件。不知道你有沒(méi)有注意過(guò)，內(nèi)存的其中一面會(huì)有一個(gè)貼紙，上面除了容量，除了頻率之外還有很多別的數(shù)據(jù)，那么，今天就為大家詳細(xì)解答有關(guān)內(nèi)存的小常識(shí)。在內(nèi)存上，除了內(nèi)存容量以及內(nèi)存頻率，如上圖所示，這一條光威 TYPE-A內(nèi)存條的容量為8GB，頻率為2400MHz，默認(rèn)工作電壓是1.2V，還有一行小標(biāo)注：CL 17-17-17-39。這是什么意思呢？在CPU-Z里面，我們也能清晰得獲得該參數(shù)的詳細(xì)資料。其對(duì)應(yīng)的項(xiàng)目名稱為：CL/tRCD/tRP/tRAS共4大類，并且標(biāo)注單位為“時(shí)鐘”。其實(shí)這是內(nèi)存讀寫(xiě)操作前列地址控制器的潛伏時(shí)間（CL），行尋址至列尋址延遲時(shí)間（tRCD），內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時(shí)間（tRP）以及內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期（tRAS）。其實(shí)他們所列舉的都是內(nèi)存在運(yùn)作過(guò)程中的一些延遲參數(shù)（單位ns納秒）。我們所要知道的就是，在相同類型，相同容量，相同頻率的情況下，這些參數(shù)的數(shù)值越低，代表著內(nèi)存的性能更強(qiáng)。因?yàn)樗麄冊(cè)诿恳淮芜\(yùn)作之間的所需時(shí)間更短。但是，我們并不能只看內(nèi)存時(shí)序值，因?yàn)楫?dāng)頻率不斷爬升，內(nèi)存的時(shí)序值是會(huì)相應(yīng)的延長(zhǎng)的。DDR4時(shí)序要比DDR3高，DDR3時(shí)序比DDR2高。在保證穩(wěn)定性的前提下，內(nèi)存在頻率提升的同時(shí)也需要相應(yīng)拉高時(shí)序。在購(gòu)買內(nèi)存的時(shí)候，我們總說(shuō)DDR4，DDR3。那么又有多少人真正知道DDR的意思，又有多少人直接將DDR等同于內(nèi)存呢？其實(shí)，內(nèi)存的本名為RAM: Random Access Memory，隨機(jī)存儲(chǔ)器。我們所熟知的DDR內(nèi)存條，是SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的升級(jí)產(chǎn)物：DDR SDRAM。之所以稱之為DDR，是因?yàn)樗捎昧穗p倍速率同步動(dòng)態(tài)機(jī)制。由于DDR內(nèi)存是在SDRAM基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此習(xí)慣性就省略了SDRAM，直接稱呼為DDR內(nèi)存條。因此，DDR內(nèi)存實(shí)際上應(yīng)該算作第二代SDRAM產(chǎn)物。而DDR4內(nèi)存條應(yīng)該算作第五代產(chǎn)物。與傳統(tǒng)的單數(shù)據(jù)速率相比，DDR技術(shù)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)進(jìn)行兩次讀/寫(xiě)操作，即在時(shí)鐘的上升沿和下降沿分別執(zhí)行一次讀/寫(xiě)操作。所以我們?cè)贑PU-Z上經(jīng)常看到內(nèi)存頻率僅為標(biāo)稱數(shù)值的一半，也是因?yàn)樗鼉H標(biāo)注單倍速率的緣故。特別是在運(yùn)行一些大型軟件或者是游戲的時(shí)候，內(nèi)存的溫度也會(huì)身高，內(nèi)存本身也可以進(jìn)行物理散熱，比如光威 TYPE-A內(nèi)存條在顆粒表面粘合了一套散熱馬甲，通過(guò)增大散熱面積，就可以達(dá)到對(duì)顆粒的快速降溫。那么內(nèi)存在工作的時(shí)候到底多少度以內(nèi)才不會(huì)影響性能以及穩(wěn)定性呢？通過(guò)使用AIDA64軟件對(duì)光威TYPE-A內(nèi)存條進(jìn)行拷機(jī)。此過(guò)程中將內(nèi)存所有容量滿足。穩(wěn)定運(yùn)行30分鐘。30分鐘后，我們采用紅外測(cè)溫槍指向內(nèi)存顆粒表面的散熱馬甲處，在室溫約為26攝氏度的情況下，測(cè)得溫度為40.5攝氏度。內(nèi)存依然穩(wěn)定運(yùn)行。對(duì)于內(nèi)存而言，在出廠的時(shí)候都會(huì)通過(guò)一系列穩(wěn)定性測(cè)試來(lái)確保內(nèi)存的工況閾值。在恒溫箱中，將會(huì)被設(shè)定55攝氏度正負(fù)10攝氏度的環(huán)境條件來(lái)考驗(yàn)內(nèi)存能否在標(biāo)稱頻率下長(zhǎng)期運(yùn)行。因此，當(dāng)內(nèi)存溫度為40攝氏度的時(shí)候，大可不必?fù)?dān)心內(nèi)存的穩(wěn)定性。***********************************************************************************************5.內(nèi)存知識(shí)

 袁先生的教程 關(guān)注2017.04.12 12:53* 字?jǐn)?shù) 1144 閱讀 433評(píng)論 0喜歡 0內(nèi)存標(biāo)簽上的各個(gè)參數(shù)代表什么意思？單列、雙列和四列 DIMM各是什么含義？單列 DIMM 具有一組內(nèi)存芯片，在內(nèi)存中寫(xiě)入或讀取數(shù)據(jù)時(shí)將會(huì)訪問(wèn)這些芯片。雙列 DIMM 相當(dāng)于同一模塊中包含兩個(gè)單列 DIMM， 但每次只能訪問(wèn)一列。 四列 DIMM 相當(dāng)于同一模塊中包含兩個(gè)兩列 DIMM，但每次只能訪問(wèn)一列。在 DIMM 中寫(xiě)入或讀取數(shù)據(jù)時(shí)，服務(wù)器內(nèi)存控制子系統(tǒng)將在 DIMM 中選擇正確的列。雙列和四列 DIMM 為現(xiàn)有內(nèi)存技術(shù)提供了最大容量。例如，如果當(dāng)前 DRAM 技術(shù)支持 2 GB 單列DIMM，則雙列 DIMM 為 4 GB，四列 DIMM 為 8 GB。服務(wù)器內(nèi)存UDIMM與RDIMM區(qū)別？UDIMM全稱是無(wú)緩沖雙信道內(nèi)存模塊（Unbuffered Dual In-Lne Memory Modules）,它不支持服務(wù)器內(nèi)存滿配，就是最高容量了，因?yàn)槭褂肬DIMM內(nèi)存時(shí)最大使用每通道只能用2個(gè)插槽，但支持3通道，所以只能每邊插6 條，一共12條內(nèi)存，不能插滿18個(gè)插槽，雖然性能會(huì)有所下降，但是對(duì)于預(yù)算比較有限的用戶來(lái)說(shuō)，是個(gè)很好的方案。RDIMM帶寄存器的雙信道內(nèi)存模塊(Registered Dual In-Lne Memory Modules)，它表示控制器輸出的地址和控制信號(hào)經(jīng)過(guò)Register芯片寄存后輸出到DRAM芯片，控制器輸出的時(shí)鐘信號(hào)經(jīng)過(guò)PLL后到達(dá)各個(gè)DRAM芯片。比起UDIMM來(lái)由于有了寄存器，所以處理速度各方面性能都有不少提升，有2種工作模式，即 Registered模式（寄存器模式）和Buffered（緩沖器模式）模式。在支持Registered工作模式的主板上工作時(shí)，Registered內(nèi)存工作于Registered模式，這時(shí)主板上的地址信號(hào)和控制信號(hào)會(huì)比數(shù)據(jù)信號(hào)先一個(gè)時(shí)鐘周期到達(dá)DIMM，送入Register芯片后會(huì)在其中停留一個(gè)時(shí)鐘周期，然后在下一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)的上升沿從Register輸出，與此時(shí)從主板上到達(dá)DIMM的數(shù)據(jù)信號(hào)一起同時(shí)傳送到SDRAM。當(dāng)Registered內(nèi)存工作在普通的主板上時(shí)，為Buffered工作模式，這時(shí)所有的信號(hào)也基本上是同時(shí)到達(dá)DIMM再同時(shí)傳，Register芯片這時(shí)在功能上只相當(dāng)于一個(gè) 簡(jiǎn)單的Buffer，其輸入到輸出之間是直通的，只簡(jiǎn)單的起到改善地址信號(hào)和控制信號(hào)的作用送到SDRAM，時(shí)序上與Unbuffered內(nèi)存是一樣的。 （一般用于服務(wù)器）適合不同的主板，并且RDIMM支持最高配置，不會(huì)受到內(nèi)存插的數(shù)量限制。總結(jié)RDIMM支持兩種工作模式，支持高性能的Registered DIMM工作模式，可以達(dá)到內(nèi)存容量的最高配，價(jià)格較高。UDIMM只能工作在Unbuffered模式，無(wú)法達(dá)到內(nèi)存的最高配，性能不如RDIMM，但是價(jià)格相對(duì)較低。舉例說(shuō)明內(nèi)存插法這里要說(shuō)下的是，由于服務(wù)器的CPU常常會(huì)不止一個(gè)，所以內(nèi)存插法要注意以雙CPU的服務(wù)器為例，左右2邊都有內(nèi)存插槽，它們分別屬于一個(gè)CPU，所以每個(gè)CPU只能分到72GB的內(nèi)存，即9*8，插內(nèi)存時(shí)候要對(duì)稱，盡量避免 5，7，這類的插法，因?yàn)閮?nèi)存支持3通道，所以可以每邊3條，或者繼續(xù)雙通道2條也可以，但是5條分配不均，啟動(dòng)不了的，7也是這樣。Memory Operating Mode（內(nèi)存運(yùn)行模式）如果安裝了有效內(nèi)存配置，則會(huì)顯示內(nèi)存運(yùn)行類型。設(shè)置為 Optimizer mode（優(yōu)化器模式）時(shí)，內(nèi)存控制器彼此獨(dú)立運(yùn)行，以提高內(nèi)存性能。設(shè)置為 Mirror mode（鏡像模式）時(shí)，則將啟用內(nèi)存鏡像。設(shè)置為 Advanced ECC Mode（高級(jí) ECC 模式）時(shí)，兩個(gè)控制器將組合成 128 位的模式，運(yùn)行多位高級(jí) ECC。Spare mode（備用模式）選項(xiàng)僅出現(xiàn)在配有 Intel Xeon 5600 系列處理器的系統(tǒng)中。***********************************************************************************************6.4個(gè)你未必知道的內(nèi)存小知識(shí)2017年07月24日 13:53:56 博文視點(diǎn) 閱讀數(shù)：1928版權(quán)聲明：本文為博主原創(chuàng)文章，未經(jīng)博主允許不得轉(zhuǎn)載。 https://blog.csdn.net/broadview2006/article/details/76019843除了CPU，內(nèi)存大概是最重要的計(jì)算資源了?；境蔀榉植际较到y(tǒng)標(biāo)配的緩存中間件、高性能的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)及當(dāng)前流行的大數(shù)據(jù)平臺(tái)，都離不開(kāi)對(duì)計(jì)算機(jī)內(nèi)存的深入理解與巧妙使用。本文將探索這個(gè)讓人感到熟悉又復(fù)雜的領(lǐng)域。本文選自《架構(gòu)解密：從分布式到微服務(wù)》。復(fù)雜的CPU與單純的內(nèi)存多核CPU與內(nèi)存共享的問(wèn)題著名的Cache偽共享問(wèn)題深入理解不一致性內(nèi)存1 復(fù)雜的CPU與單純的內(nèi)存首先，我們澄清幾個(gè)容易讓人混淆的CPU術(shù)語(yǔ)。Socket或者Processor：指一個(gè)物理CPU芯片，盒裝的或者散裝的，上面有很多針腳，直接安裝在主板上。Core：指Socket里封裝的一個(gè)CPU核心，每個(gè)Core都是完全獨(dú)立的計(jì)算單元，我們平時(shí)說(shuō)的4核心CPU，就是指一個(gè)Socket（Processor）里封裝了4個(gè)Core。HT超線程：目前Intel與AMD的Processor大多支持在一個(gè)Core里并行執(zhí)行兩個(gè)線程，此時(shí)在操作系統(tǒng)看來(lái)就相當(dāng)于兩個(gè)邏輯CPU（LogicalProcessor），在大多數(shù)情況下，我們?cè)诔绦蚶锾岬紺PU這個(gè)概念時(shí)，就是指一個(gè)Logical Processor。然后，我們先從第1個(gè)非常簡(jiǎn)單的問(wèn)題開(kāi)始：CPU可以直接操作內(nèi)存嗎？可能99%的程序員會(huì)不假思索地回答：“肯定的，不然程序怎么跑?！比绻硇缘胤治鲆幌?，你會(huì)發(fā)現(xiàn)這個(gè)回答有問(wèn)題：CPU與內(nèi)存條是獨(dú)立的兩個(gè)硬件，而且CPU上也沒(méi)有插槽和連線可以讓內(nèi)存條掛上去，也就是說(shuō)，CPU并不能直接訪問(wèn)內(nèi)存條，而是要通過(guò)主板上的其他硬件（接口）來(lái)間接訪問(wèn)內(nèi)存條。第2個(gè)問(wèn)題：CPU的運(yùn)算速度與內(nèi)存條的訪問(wèn)速度之間的差距究竟有多大？這個(gè)差距跟王健林“先掙它個(gè)一個(gè)億的”小目標(biāo)和“普通人有車有房”的宏大目標(biāo)之間的差距相比，是更大還是更小呢？答案是“差不多”。通常來(lái)說(shuō)，CPU的運(yùn)算速度與內(nèi)存訪問(wèn)速度之間的差距不過(guò)是100倍，假如有100萬(wàn)元人民幣就可以有房（貸）有車（貸）了，那么其100倍剛好是一億元人民幣。既然CPU的速度與內(nèi)存的速度還是存在高達(dá)兩個(gè)數(shù)量級(jí)的巨大鴻溝，所以它們注定不能“幸福地在一起”，于是CPU的親密伴侶Cache閃亮登場(chǎng)。與來(lái)自DRAM家族的內(nèi)存（Memory）出身不同，Cache來(lái)自SRAM家族。DRAM與SRAM最簡(jiǎn)單的區(qū)別是后者特別快，容量特別小，電路結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜，造價(jià)特別高。造成Cache與內(nèi)存之間巨大性能差距的主要原因是工作原理和結(jié)構(gòu)不同，如下所述。DRAM存儲(chǔ)一位數(shù)據(jù)只需要一個(gè)電容加一個(gè)晶體管，SRAM則需要6個(gè)晶體管。由于DRAM的數(shù)據(jù)其實(shí)是保存在電容里的，所以每次讀寫(xiě)過(guò)程中的充放電環(huán)節(jié)也導(dǎo)致了DRAM讀寫(xiě)數(shù)據(jù)有一個(gè)延遲的問(wèn)題，這個(gè)延遲通常為十幾到幾十ns。內(nèi)存可以看作一個(gè)二維數(shù)組，每個(gè)存儲(chǔ)單元都有其行地址和列地址。由于SRAM的容量很小，所以存儲(chǔ)單元的地址（行與列）比較短，可以一次性傳輸?shù)絊RAM中；而DRAM則需要分別傳送行與列的地址。SRAM的頻率基本與CPU的頻率保持一致；而DRAM的頻率直到DDR4以后才開(kāi)始接近CPU的頻率。Cache是被集成到CPU內(nèi)部的一個(gè)存儲(chǔ)單元，一級(jí)Cache（L1 Cache）通常只有32～64KB的容量，這個(gè)容量遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足CPU大量、高速存取的需求。此外，由于存儲(chǔ)性能的大幅提升往往伴隨著價(jià)格的同步飆升，所以出于對(duì)整體成本的控制，現(xiàn)實(shí)中往往采用金字塔形的多級(jí)Cache體系來(lái)實(shí)現(xiàn)最佳緩存效果，于是出現(xiàn)了二級(jí)Cache（L2 Cache）及三級(jí)Cache（L3 Cache），每一級(jí)Cache都犧牲了部分性能指標(biāo)來(lái)?yè)Q取更大的容量，目的是緩存更多的熱點(diǎn)數(shù)據(jù)。以Intel家族Intel Sandy Bridge架構(gòu)的CPU為例，其L1 Cache容量為64KB，訪問(wèn)速度為1ns左右；L2 Cache容量擴(kuò)大4倍，達(dá)到256KB，訪問(wèn)速度則降低到3ns左右；L3 Cache的容量則擴(kuò)大512倍，達(dá)到32MB，訪問(wèn)速度也下降到12ns左右，即使如此，也比訪問(wèn)主存的100ns（40ns+65ns）快一個(gè)數(shù)量級(jí)。此外，L3 Cache是被一個(gè)Socket上的所有CPU Core共享的，其實(shí)最早的L3 Cache被應(yīng)用在AMD發(fā)布的K6-III處理器上，當(dāng)時(shí)的L3 Cache受限于制造工藝，并沒(méi)有被集成到CPU內(nèi)部，而是集成在主板上。下面給出了Intel Sandy Bridge CPU的架構(gòu)圖，我們可以看出，CPU如果要訪問(wèn)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)，則要經(jīng)過(guò)L1、L2與L3這三道關(guān)卡后才能抵達(dá)目的地，這個(gè)過(guò)程并不是“皇上”（CPU）親自出馬，而是交由3個(gè)級(jí)別的貴妃（Cache）們層層轉(zhuǎn)發(fā)“圣旨”（內(nèi)存指令），最終抵達(dá)“后宮”（內(nèi)存）。2 多核CPU與內(nèi)存共享的問(wèn)題現(xiàn)在恐怕很難再找到單核心的CPU了，即使是我們的智能手機(jī)，也至少是雙核的了，那么問(wèn)題就來(lái)了：在多核CPU的情況下，如何共享內(nèi)存？如果擅長(zhǎng)多線程高級(jí)編程，那么你肯定會(huì)毫不猶豫地給出以下偽代碼解決方案：synchronized(memory) { writeAddress(….) }1234如果真這么簡(jiǎn)單，那么這個(gè)世界上就不會(huì)只剩下兩家獨(dú)大的主流CPU制造商了，而且可憐的AMD一直被Intel“吊打”。多核心CPU共享內(nèi)存的問(wèn)題也被稱為Cache一致性問(wèn)題，簡(jiǎn)單地說(shuō)，就是多個(gè)CPU核心所看到的Cache數(shù)據(jù)應(yīng)該是一致的，在某個(gè)數(shù)據(jù)被某個(gè)CPU寫(xiě)入自己的Cache（L1 Cache）以后，其他CPU都應(yīng)該能看到相同的Cache數(shù)據(jù)；如果自己的Cache中有舊數(shù)據(jù)，則拋棄舊數(shù)據(jù)?？紤]到每個(gè)CPU有自己內(nèi)部獨(dú)占的Cache，所以這個(gè)問(wèn)題與分布式Cache保持同步的問(wèn)題是同一類問(wèn)題。來(lái)自Intel的MESI協(xié)議是目前業(yè)界公認(rèn)的Cache一致性問(wèn)題的最佳方案，大多數(shù)SMP架構(gòu)都采用了這一方案，雖然該協(xié)議是一個(gè)CPU內(nèi)部的協(xié)議，但由于它對(duì)我們理解內(nèi)存模型及解決分布式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)一致性問(wèn)題有重要的參考價(jià)值，所以在這里我們對(duì)它進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。首先，我們說(shuō)說(shuō)Cache Line，如果有印象的話，則你會(huì)發(fā)現(xiàn)I/O操作從來(lái)不以字節(jié)為單位，而是以“塊”為單位，這里有兩個(gè)原因：首先，因?yàn)镮/O操作比較慢，所以讀一個(gè)字節(jié)與一次讀連續(xù)N個(gè)字節(jié)所花費(fèi)的時(shí)間基本相同；其次，數(shù)據(jù)訪問(wèn)往往具有空間連續(xù)性的特征，即我們通常會(huì)訪問(wèn)空間上連續(xù)的一些數(shù)據(jù)。舉個(gè)例子，訪問(wèn)數(shù)組時(shí)通常會(huì)循環(huán)遍歷，比如查找某個(gè)值或者進(jìn)行比較等，如果把數(shù)組中連續(xù)的幾個(gè)字節(jié)都讀到內(nèi)存中，那么CPU的處理速度會(huì)提升幾倍。對(duì)于CPU來(lái)說(shuō)，由于Memory也是慢速的外部組件，所以針對(duì)Memory的讀寫(xiě)也采用類似I/O塊的方式就不足為奇了。實(shí)際上，CPU Cache里的最小存儲(chǔ)單元就是Cache Line，Intel CPU的一個(gè)Cache Line存儲(chǔ)64個(gè)字節(jié)，每一級(jí)Cache都被劃分為很多組Cache Line，典型的情況是4條Cache Line為一組，當(dāng)Cache從Memory中加載數(shù)據(jù)時(shí)，一次加載一條Cache Line的數(shù)據(jù)。下圖給出了Cache的結(jié)構(gòu)。每個(gè)Cache Line的頭部有兩個(gè)Bit來(lái)表示自身的狀態(tài)，總共有4種狀態(tài)。M（Modified）：修改狀態(tài)，其他CPU上沒(méi)有數(shù)據(jù)的副本，并且在本CPU上被修改過(guò)，與存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)不一致，最終必然會(huì)引發(fā)系統(tǒng)總線的寫(xiě)指令，將CacheLine中的數(shù)據(jù)寫(xiě)回到Memory中。E（Exclusive）：獨(dú)占狀態(tài)，表示當(dāng)前Cache Line中包含的數(shù)據(jù)與Memory中的數(shù)據(jù)一致，此外，其他CPU上沒(méi)有數(shù)據(jù)的副本。S（Shared）：共享狀態(tài)，表示CacheLine中包含的數(shù)據(jù)與Memory中的數(shù)據(jù)一致，而且在當(dāng)前CPU和至少在其他某個(gè)CPU中有副本。I（Invalid）：無(wú)效狀態(tài)，當(dāng)前Cache Line中沒(méi)有有效數(shù)據(jù)或者該CacheLine數(shù)據(jù)已經(jīng)失效，不能再用，當(dāng)Cache要加載新數(shù)據(jù)時(shí)，優(yōu)先選擇此狀態(tài)的Cache Line，此外，Cache Line的初始狀態(tài)也是I狀態(tài)。MESI協(xié)議是用Cache Line的上述4種狀態(tài)命名的，對(duì)Cache的讀寫(xiě)操作引發(fā)了Cache Line的狀態(tài)變化，因而可以理解為一種狀態(tài)機(jī)模型。但MESI的復(fù)雜和獨(dú)特之處在于狀態(tài)有兩種視角：一種是當(dāng)前讀寫(xiě)操作（Local Read/Write）所在CPU看到的自身的Cache Line狀態(tài)及其他CPU上對(duì)應(yīng)的Cache Line狀態(tài)；另一種是一個(gè)CPU上的Cache Line狀態(tài)的變遷會(huì)導(dǎo)致其他CPU上對(duì)應(yīng)的Cache Line的狀態(tài)變遷。如下所示為MESI協(xié)議的狀態(tài)圖。結(jié)合這個(gè)狀態(tài)圖，我們深入分析MESI協(xié)議的一些實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié)。（1）某個(gè)CPU（CPU A）發(fā)起本地讀請(qǐng)求（Local Read），比如讀取某個(gè)內(nèi)存地址的變量，如果此時(shí)所有CPU的Cache中都沒(méi)加載此內(nèi)存地址，即此內(nèi)存地址對(duì)應(yīng)的Cache Line為無(wú)效狀態(tài)（Invalid），則CPU A中的Cache會(huì)發(fā)起一個(gè)到Memory的內(nèi)存Load指令，在相應(yīng)的Cache Line中完成內(nèi)存加載后，此Cache Line的狀態(tài)會(huì)被標(biāo)記為Exclusive。接下來(lái)，如果其他CPU（CPU B）在總線上也發(fā)起對(duì)同一個(gè)內(nèi)存地址的讀請(qǐng)求，則這個(gè)讀請(qǐng)求會(huì)被CPU A嗅探到（SNOOP），然后CPU A在內(nèi)存總線上復(fù)制一份Cache Line作為應(yīng)答，并將自身的Cache Line狀態(tài)改為Shared，同時(shí)CPU B收到來(lái)自總線的應(yīng)答并保存到自己的Cache里，也修改對(duì)應(yīng)的Cache Line狀態(tài)為Shared。（2）某個(gè)CPU（CPU A）發(fā)起本地寫(xiě)請(qǐng)求（Local Write），比如對(duì)某個(gè)內(nèi)存地址的變量賦值，如果此時(shí)所有CPU的Cache中都沒(méi)加載此內(nèi)存地址，即此內(nèi)存地址對(duì)應(yīng)的Cache Line為無(wú)效狀態(tài)（Invalid），則CPU A中的Cache Line保存了最新的內(nèi)存變量值后，其狀態(tài)被修改為Modified。隨后，如果CPU B發(fā)起對(duì)同一個(gè)變量的讀操作（Remote Read），則CPU A在總線上嗅探到這個(gè)讀請(qǐng)求以后，先將Cache Line里修改過(guò)的數(shù)據(jù)回寫(xiě)（Write Back）到Memory中，然后在內(nèi)存總線上復(fù)制一份Cache Line作為應(yīng)答，最后將自身的Cache Line狀態(tài)修改為Shared，由此產(chǎn)生的結(jié)果是CPU A與CPU B里對(duì)應(yīng)的Cache Line狀態(tài)都為Shared。（3）以上面第2條內(nèi)容為基礎(chǔ)，CPU A發(fā)起本地寫(xiě)請(qǐng)求并導(dǎo)致自身的Cache Line狀態(tài)變?yōu)镸odified，如果此時(shí)CPU B發(fā)起同一個(gè)內(nèi)存地址的寫(xiě)請(qǐng)求（Remote Write），則我們看到狀態(tài)圖里此時(shí)CPU A的Cache Line狀態(tài)為Invalid，其原因如下。CPU B此時(shí)發(fā)出的是一個(gè)特殊的請(qǐng)求——讀并且打算修改數(shù)據(jù)，當(dāng)CPU A從總線上嗅探到這個(gè)請(qǐng)求后，會(huì)先阻止此請(qǐng)求并取得總線的控制權(quán)（Takes Control of Bus），隨后將Cache Line里修改過(guò)的數(shù)據(jù)回寫(xiě)道Memory中，再將此Cache Line的狀態(tài)修改為Invalid（這是因?yàn)槠渌鸆PU要改數(shù)據(jù)，所以沒(méi)必要改為Shared）。與此同時(shí)，CPU B發(fā)現(xiàn)之前的請(qǐng)求并沒(méi)有得到響應(yīng)，于是重新發(fā)起一次請(qǐng)求，此時(shí)由于所有CPU的Cache里都沒(méi)有內(nèi)存副本了，所以CPU B的Cache就從Memory中加載最新的數(shù)據(jù)到Cache Line中，隨后修改數(shù)據(jù)，然后改變Cache Line的狀態(tài)為Modified。（4）如果內(nèi)存中的某個(gè)變量被多個(gè)CPU加載到各自的Cache中，從而使得變量對(duì)應(yīng)的Cache Line狀態(tài)為Shared，若此時(shí)某個(gè)CPU打算對(duì)此變量進(jìn)行寫(xiě)操作，則會(huì)導(dǎo)致所有擁有此變量緩存的CPU的Cache Line狀態(tài)都變?yōu)镮nvalid，這是引發(fā)性能下降的一種典型Cache Miss問(wèn)題。在理解了MESI協(xié)議以后，我們明白了一個(gè)重要的事實(shí)，即存在多個(gè)處理器時(shí)，對(duì)共享變量的修改操作會(huì)涉及多個(gè)CPU之間的協(xié)調(diào)問(wèn)題及Cache失效問(wèn)題，這就引發(fā)了著名的“Cache偽共享”問(wèn)題。下面我們說(shuō)說(shuō)緩存命中的問(wèn)題。如果要訪問(wèn)的數(shù)據(jù)不在CPU的運(yùn)算單元里，則需要從緩存中加載，如果緩存中恰好有此數(shù)據(jù)而且數(shù)據(jù)有效，就命中一次（Cache Hit），反之產(chǎn)生一次Cache Miss，此時(shí)需要從下一級(jí)緩存或主存中再次嘗試加載。根據(jù)之前的分析，如果發(fā)生了Cache Miss，則數(shù)據(jù)的訪問(wèn)性能瞬間下降很多！在我們需要大量加載運(yùn)算的情況下，數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、訪問(wèn)方式及程序算法方面是否符合“緩存友好”的設(shè)計(jì)，就成為“量變引起質(zhì)變”的關(guān)鍵性因素了。這也是為什么最近，國(guó)外很多大數(shù)據(jù)領(lǐng)域的專家都熱衷于研究設(shè)計(jì)和采用新一代的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)和算法，而其核心之一就是“緩存友好”。3 著名的Cache偽共享問(wèn)題Cache偽共享問(wèn)題是編程中真實(shí)存在的一個(gè)問(wèn)題，考慮如下所示的Java Class結(jié)構(gòu)：class MyObject { private long a;private long b;private long c;}123456按照J(rèn)ava規(guī)范，MyObject的對(duì)象是在堆內(nèi)存上分配空間存儲(chǔ)的，而且a、b、c三個(gè)屬性在內(nèi)存空間上是近鄰，如下所示。我們知道，X86的CPU中Cache Line的長(zhǎng)度為64字節(jié)，這也就意味著MyObject的3個(gè)屬性（長(zhǎng)度之和為24字節(jié)）是完全可能加載在一個(gè)Cache Line里的。如此一來(lái)，如果我們有兩個(gè)不同的線程（分別運(yùn)行在兩個(gè)CPU上）分別同時(shí)獨(dú)立修改a與b這兩個(gè)屬性，那么這兩個(gè)CPU上的Cache Line可能出現(xiàn)如下所示的情況，即a與b這兩個(gè)變量被放入同一個(gè)Cache Line里，并且被兩個(gè)不同的CPU共享。根據(jù)MESI協(xié)議的相關(guān)知識(shí)，我們知道，如果Thread 0要對(duì)a變量進(jìn)行修改，則因?yàn)镃PU 1上有對(duì)應(yīng)的Cache Line，這會(huì)導(dǎo)致CPU 1的Cache Line無(wú)效，從而使得Thread 1被迫重新從Memory里獲取b的內(nèi)容（b并沒(méi)有被其他CPU改變，這樣做是因?yàn)閎與a在一個(gè)Cache Line里）。同樣，如果Thread 1要對(duì)b變量進(jìn)行修改，則同樣導(dǎo)致Thread 0的Cache Line失效，不得不重新從Memory里加載a。如此一來(lái)，本來(lái)是邏輯上無(wú)關(guān)的兩個(gè)線程，完全可以在兩個(gè)不同的CPU上同時(shí)執(zhí)行，但陰差陽(yáng)錯(cuò)地共享了同一個(gè)Cache Line并相互搶占資源，導(dǎo)致并行成為串行，大大降低了系統(tǒng)的并發(fā)性，這就是所謂的Cache偽共享。解決Cache偽共享問(wèn)題的方法很簡(jiǎn)單，將a與b兩個(gè)變量分到不同的Cache Line里，通常可以用一些無(wú)用的字段填充a與b之間的空隙。由于偽共享問(wèn)題對(duì)性能的影響比較大，所以JDK 8首次提供了正式的普適性的方案，即采用@Contended注解來(lái)確保一個(gè)Object或者Class里的某個(gè)屬性與其他屬性不在一個(gè)CacheLine里，下面的VolatileLong的多個(gè)實(shí)例之間就不會(huì)產(chǎn)生Cache偽共享的問(wèn)題：@Contendedclass VolatileLong {　　public volatile long value = 0L; }12344 深入理解不一致性內(nèi)存MESI協(xié)議解決了多核CPU下的Cache一致性問(wèn)題，因而成為SMP架構(gòu)的唯一選擇。SMP架構(gòu)近幾年迅速在PC領(lǐng)域（X86）發(fā)展，一個(gè)CPU芯片上集成的CPU核心數(shù)量越來(lái)越多，到2017年，AMD的ZEN系列處理器就已經(jīng)達(dá)到16核心32線程了。SMP架構(gòu)是一種平行的結(jié)果，所有CPU Core都連接到一個(gè)內(nèi)存總線上，它們平等訪問(wèn)內(nèi)存，同時(shí)整個(gè)內(nèi)存是統(tǒng)一結(jié)構(gòu)、統(tǒng)一尋址的（Uniform Memory Architecture，UMA）。如下所示給出了SMP架構(gòu)的示意圖。但是，隨著CPU核心數(shù)量的不斷增長(zhǎng)，SMP架構(gòu)也暴露出其天生的短板，其根本瓶頸是共享內(nèi)存總線的帶寬無(wú)法滿足CPU數(shù)量的增加，同時(shí)，一條“馬路”上通行的“車”多了，難免陷入“擁堵模式”。在這種情況下，分布式解決方案應(yīng)運(yùn)而生，系統(tǒng)的內(nèi)存與CPU進(jìn)行分割并捆綁在一起，形成多個(gè)獨(dú)立的子系統(tǒng)，這些子系統(tǒng)之間高速互連，這就是所謂的NUMA（None Uniform Memory Architecture）架構(gòu)，如下圖所示。我們可以認(rèn)為NUMA架構(gòu)第1次打破了“大鍋飯”的模式，內(nèi)存不再是一個(gè)整體，而是被分割為相互獨(dú)立的幾塊，被不同的CPU私有化（Attach到不同的CPU上）。因此，當(dāng)CPU訪問(wèn)自身私有的內(nèi)存地址時(shí)（Local Access），會(huì)很快得到響應(yīng)，而如果需要訪問(wèn)其他CPU控制的內(nèi)存數(shù)據(jù)（Remote Access），則需要通過(guò)某種互連通道（Inter-connect通道）訪問(wèn)，響應(yīng)時(shí)間與之前相比變慢。 NUMA 的主要優(yōu)點(diǎn)是伸縮性，NUMA的這種體系結(jié)構(gòu)在設(shè)計(jì)上已經(jīng)超越了SMP，可以擴(kuò)展到幾百個(gè)CPU而不會(huì)導(dǎo)致性能嚴(yán)重下降。NUMA技術(shù)最早出現(xiàn)在20世紀(jì)80年代，主要運(yùn)行在一些大中型UNIX系統(tǒng)中，Sequent公司是世界公認(rèn)的NUMA技術(shù)領(lǐng)袖。早在1986年，Sequent公司就率先利用微處理器構(gòu)建大型系統(tǒng)，開(kāi)發(fā)了基于UNIX的SMP體系結(jié)構(gòu)，開(kāi)創(chuàng)了業(yè)界轉(zhuǎn)入SMP領(lǐng)域的先河。1999年9月，IBM公司收購(gòu)了Sequent公司，將NUMA技術(shù)集成到IBM UNIX陣營(yíng)中，并推出了能夠支持和擴(kuò)展Intel平臺(tái)的NUMA-Q系統(tǒng)及解決方案，為全球大型企業(yè)客戶適應(yīng)高速發(fā)展的電子商務(wù)市場(chǎng)提供了更加多樣化、高可擴(kuò)展性及易于管理的選擇，成為NUMA技術(shù)的領(lǐng)先開(kāi)發(fā)者與革新者。隨后很多老牌UNIX服務(wù)器廠商也采用了NUMA技術(shù)，例如IBM、Sun、惠普、Unisys、SGI等公司。2000年全球互聯(lián)網(wǎng)泡沫破滅后，X86+Linux系統(tǒng)開(kāi)始以低廉的成本侵占UNIX的地盤，AMD率先在其AMD Opteron系列處理器中的X86 CPU上實(shí)現(xiàn)了NUMA架構(gòu)，Intel也跟進(jìn)并在Intel Nehalem中實(shí)現(xiàn)了NUMA架構(gòu)（Intel服務(wù)器芯片志強(qiáng)E5500以上的CPU和桌面的i3、i5、i7均基于此架構(gòu)），至此NUMA這個(gè)貴族技術(shù)開(kāi)始真正走入平常百姓家。下面我們?cè)敿?xì)分析一下NUMA技術(shù)的特點(diǎn)。首先，NUMA架構(gòu)中引入了一個(gè)重要的新名詞——Node，一個(gè)Node由一個(gè)或者多個(gè)Socket Socket組成，即物理上的一個(gè)或多個(gè)CPU芯片組成一個(gè)邏輯上的Node。如下所示為來(lái)自Dell PowerEdge系列服務(wù)器的說(shuō)明手冊(cè)中的NUMA的圖片，4個(gè)Intel Xeon E5-4600處理器形成4個(gè)獨(dú)立的NUMA Node，由于每個(gè)Intel Xeon E5-4600為8 Core，支持雙線程，所以每個(gè)Node里的Logic CPU數(shù)量為16個(gè)，占每個(gè)Node分配系統(tǒng)總內(nèi)存的1/4，每個(gè)Node之間通過(guò)Intel QPI（QuickPath Interconnect）技術(shù)形成了點(diǎn)到點(diǎn)的全互連處理器系統(tǒng)。其次，我們看到NUMA這種基于點(diǎn)到點(diǎn)的全互連處理器系統(tǒng)與傳統(tǒng)的基于共享總線的處理器系統(tǒng)的SMP還是有巨大差異的。在這種情況下無(wú)法通過(guò)嗅探總線的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)Cache一致性，因此為了實(shí)現(xiàn)NUMA架構(gòu)下的Cache一致性，Intel引入了MESI協(xié)議的一個(gè)擴(kuò)展協(xié)議——MESIF。MESIF采用了一種基于目錄表的實(shí)現(xiàn)方案，該協(xié)議由Boxboro-EX處理器系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)，但獨(dú)立研究MESIF協(xié)議并沒(méi)有太大的意義，因?yàn)槟壳癐ntel并沒(méi)有公開(kāi)Boxboro-EX處理器系統(tǒng)的詳細(xì)設(shè)計(jì)文檔。最后，我們說(shuō)說(shuō)NUMA架構(gòu)的當(dāng)前困境與我們對(duì)其未來(lái)的展望。NUMA架構(gòu)由于打破了傳統(tǒng)的“全局內(nèi)存”概念，目前在編程語(yǔ)言方面還沒(méi)有任何一種語(yǔ)言從內(nèi)存模型上支持它，所以當(dāng)前很難開(kāi)發(fā)適應(yīng)NUMA的軟件。但這方面已經(jīng)有很多嘗試和進(jìn)展了。Java在支持NUMA的系統(tǒng)里，可以開(kāi)啟基于NUMA的內(nèi)存分配方案，使得當(dāng)前線程所需的內(nèi)存從對(duì)應(yīng)的Node上分配，從而大大加快對(duì)象的創(chuàng)建過(guò)程。在大數(shù)據(jù)領(lǐng)域，NUMA系統(tǒng)正發(fā)揮著越來(lái)越強(qiáng)大的作用，SAP的高端大數(shù)據(jù)系統(tǒng)HANA被SGI在其UV NUMA Systems上實(shí)現(xiàn)了良好的水平擴(kuò)展。據(jù)說(shuō)微軟將會(huì)把SQL Server引入到Linux上，如此一來(lái)，很多潛在客戶將有機(jī)會(huì)在SGI提供的大型NUMA機(jī)器上高速運(yùn)行多個(gè)SQL Server實(shí)例。在云計(jì)算與虛擬化方面，OpenStack與VMware已經(jīng)支持基于NUMA技術(shù)的虛機(jī)分配能力，使得不同的虛機(jī)運(yùn)行在不同的Core上，同時(shí)虛機(jī)的內(nèi)存不會(huì)跨越多個(gè)NUMA Node。NUMA技術(shù)也會(huì)推進(jìn)基于多進(jìn)程的高性能單機(jī)分布式系統(tǒng)的發(fā)展，即在4個(gè)Socket、每個(gè)Socket為16Core的強(qiáng)大機(jī)器里，只要啟動(dòng)4個(gè)進(jìn)程，通過(guò)NUMA技術(shù)將每個(gè)進(jìn)程綁定到一個(gè)Socket上，并保證每個(gè)進(jìn)程只訪問(wèn)不超過(guò)Node本地的內(nèi)存，即可讓系統(tǒng)進(jìn)行最高性能的并發(fā)，而進(jìn)程間的通信通過(guò)高性能進(jìn)程間的通信技術(shù)實(shí)現(xiàn)即可。本文選自《架構(gòu)解密：從分布式到微服務(wù)》，點(diǎn)此鏈接可在博文視點(diǎn)官網(wǎng)查看此書(shū)。想及時(shí)獲得更多精彩文章，可在微信中搜索“博文視點(diǎn)”或者掃描下方二維碼并關(guān)注。***********************************************************************************************7.三分鐘看懂：內(nèi)存知識(shí)掃盲(轉(zhuǎn)載)樓主：智可網(wǎng)Lv 4 時(shí)間：2016-09-19 14:09:00 點(diǎn)擊：72 回復(fù)：4沖榜守護(hù)脫水打賞看樓主設(shè)置內(nèi)存相信大家都聽(tīng)說(shuō)過(guò)，電腦速度慢了也許身邊的高手會(huì)建議我們升級(jí)更大容量的內(nèi)存。那么電腦內(nèi)存究竟是干什么用的呢？?jī)?nèi)存容量高低為什么會(huì)影響電腦的運(yùn)行速度呢？這里面有不少的奧秘，不過(guò)董師傅相信大家讀完下面這篇文章，一切都會(huì)明白了。帶你先認(rèn)識(shí)一下內(nèi)存內(nèi)存，也叫內(nèi)存儲(chǔ)器，是一種快速存儲(chǔ)設(shè)備，在計(jì)算機(jī)角色扮演里占據(jù)著核心的位置?，F(xiàn)在的內(nèi)存條是一塊長(zhǎng)方形薄片狀的電路板，上面焊接有很多黑色“方塊”的存儲(chǔ)芯片，讓人在主板上可以一眼發(fā)現(xiàn)它。三分鐘看懂：內(nèi)存知識(shí)掃盲▲內(nèi)存條下方都會(huì)帶有一個(gè)缺口用于辨別安裝方向，防止用戶誤安裝三分鐘看懂：內(nèi)存知識(shí)掃盲▲內(nèi)存條局部細(xì)節(jié)可在很久以前，內(nèi)存是作為一塊IC電子元件焊接在主板上的，這種“焊接”技術(shù)會(huì)給后期的維護(hù)、維修帶去極大的問(wèn)題和麻煩。因此，機(jī)智的人類發(fā)明了更為人性化的“插拔式”內(nèi)存條，然后再在主板上設(shè)計(jì)一個(gè)安裝插槽，一切就妥妥得了。三分鐘看懂：內(nèi)存知識(shí)掃盲▲筆記本內(nèi)存插槽三分鐘看懂：內(nèi)存知識(shí)掃盲▲臺(tái)式機(jī)內(nèi)存插槽（紅色和黃色的長(zhǎng)條形區(qū)域）內(nèi)存有哪幾種？如果不算離我們生活比較遠(yuǎn)的服務(wù)器內(nèi)存，內(nèi)存有兩種規(guī)格：筆記本內(nèi)存和臺(tái)式內(nèi)存。從本質(zhì)功能來(lái)講，兩者大同小異，只是外觀尺寸的差異。三分鐘看懂：內(nèi)存知識(shí)掃盲▲上方為筆記本內(nèi)存，下方為臺(tái)式機(jī)內(nèi)存三分鐘看懂：內(nèi)存知識(shí)掃盲▲已經(jīng)安裝有內(nèi)存的臺(tái)式機(jī)主板內(nèi)存條的發(fā)展內(nèi)存條從最早發(fā)展到現(xiàn)在，大致經(jīng)歷了了SIMM、EDO DRAM、SDRAM、DDR這幾個(gè)階段的技術(shù)革新。其中最為大家熟悉的DDR作為一種在性能與成本之間折中的解決方案，從出生就占據(jù)著市場(chǎng)，并在頻率上一直“高歌猛進(jìn)”，由此DDR2、DDR3、DDR4、DDR5應(yīng)勢(shì)而生...三分鐘看懂：內(nèi)存知識(shí)掃盲DDR2相比于第一代DDR，優(yōu)勢(shì)在于頻率和功耗有一定的提升，在實(shí)際的應(yīng)用方面，因?yàn)镈DR2自身的不足，所以在歷史的舞臺(tái)上它也只是一個(gè)“過(guò)客”。三分鐘看懂：內(nèi)存知識(shí)掃盲它的下一代產(chǎn)品DDR3橫空出世，又再次成為了人們關(guān)注的對(duì)象。DDR3集成了高密度的閃存顆粒，這對(duì)于降低高容量?jī)?nèi)存成本及減少生產(chǎn)支出都是有極大幫助的，可謂是推廣大容量?jī)?nèi)存的源動(dòng)力。目前該內(nèi)存仍然是市場(chǎng)消費(fèi)的主力。三分鐘看懂：內(nèi)存知識(shí)掃盲相比而言，DDR4是最新的內(nèi)存型號(hào)，由于處于普及初期因此市場(chǎng)占有率不高，但是它確實(shí)是新配機(jī)用戶的首選。它和DDR3基本的技術(shù)相差不大，但DDR4的重心是在提高頻率和帶寬上，因此未來(lái)的市場(chǎng)應(yīng)該是屬于DDR4的。內(nèi)存規(guī)格不斷升級(jí)，運(yùn)行頻率越來(lái)越高，如DDR3 1600、DDR3 2400最后的1600和2400數(shù)字就代表了內(nèi)存的運(yùn)行頻率是1600MHz或2400MHz，頻率越高，內(nèi)存單位時(shí)間內(nèi)可以處理的數(shù)據(jù)越多，因此執(zhí)行效率更高，電腦整體速度更快。如果你是一個(gè)發(fā)燒友，DDR4是你不二的選擇。當(dāng)然也需要相應(yīng)的主板來(lái)匹配，因?yàn)槊恳淮鷥?nèi)存在接口或電壓規(guī)格上會(huì)有所不同，不同代的內(nèi)存之間不能通用。內(nèi)存條為什么會(huì)影響電腦性能其實(shí)很簡(jiǎn)單！我們運(yùn)行一款軟件后，CPU或顯卡要對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，而且這個(gè)數(shù)據(jù)傳輸?shù)倪^(guò)程是動(dòng)態(tài)的，也就是說(shuō)CPU要不斷地從硬盤讀或?qū)憯?shù)據(jù)。如我們編輯文檔時(shí)的存儲(chǔ)或翻頁(yè)等操作，但是硬盤的速度非常慢，而CPU的處理速度極為快，硬盤非常慢的讀寫(xiě)速度無(wú)法滿足CPU極快的處理速度，因此經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)CPU等待硬盤數(shù)據(jù)傳輸過(guò)來(lái)的情況，嚴(yán)重影響電腦性能的發(fā)揮甚至說(shuō)是完全無(wú)法使用。這時(shí)候就需要“中轉(zhuǎn)站”來(lái)存放臨時(shí)數(shù)據(jù)，CPU提前將要處理器的數(shù)據(jù)存放到內(nèi)存中，需要使用時(shí)直接從里面尋找，這樣就可以達(dá)到高效執(zhí)行的目的。三分鐘看懂：內(nèi)存知識(shí)掃盲▲鼠標(biāo)右鍵打開(kāi)我的電腦即可看到系統(tǒng)已經(jīng)安裝的內(nèi)存容量（黃色字樣）因此內(nèi)存越大，CPU可以提前緩存的文件或數(shù)據(jù)更多，電腦運(yùn)行的速度越快，這也是為什么內(nèi)存容量小的電腦，經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)硬盤燈常亮、電腦卡頓的現(xiàn)象，原因就在于內(nèi)存容量不夠用，CPU將硬盤當(dāng)作數(shù)據(jù)“緩存空間”，這就導(dǎo)致速度跟不上趟的硬盤拖累了整臺(tái)電腦。還有一點(diǎn)值得注意的是存儲(chǔ)在內(nèi)存里的數(shù)據(jù)都是暫時(shí)的，關(guān)機(jī)或者斷電后就會(huì)消失。從市場(chǎng)反饋的結(jié)果來(lái)看，價(jià)格在200元左右的8GB、DDR3 1600MHz的臺(tái)式機(jī)內(nèi)存是消費(fèi)的“香餑餑”。筆者看來(lái)，這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)是完全可以滿足大部分消費(fèi)者日常使用中各種臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和傳遞的需求了。當(dāng)然，現(xiàn)在內(nèi)存價(jià)格便宜了，配備16GB也不是什么奢侈的事情了。智可網(wǎng)：http://www.hzhike.com/School/2016/201606/20160613120358.html*********************************************************************************************