自從1889年匈牙利工程師 Otto Blathy 發(fā)明全世界第一個 電能表 (瓦特瓦時表)原型之后，電能表經(jīng)過一個世紀多的演進由機械式電表到今日的各種不同型式的電子式電能表包含新的預付費電能表(pre-paid) 復費率電能表以及具有種雙向通訊能力的電子式電能表等，其提供的強化功能包括：自動讀表(AMR)、在線查詢、遠端連接/斷開，以及復雜的計費結(jié)構(gòu)等等。這些電能表還可讓使用者對其耗電量有更好的控制，以便節(jié)省電費及更有效地分配用電量。

電子式電能表的基本架構(gòu)如圖一所示包括下列各主要方塊電路：

1.電壓電流取樣電路
2.16位以上解析的 纇比-數(shù)位轉(zhuǎn)換器
3.計量與控制單元
4.通訊界面
5.操作界面
6.顯示器
7.存儲器

本文將以存儲器為重點 說明為何電子式電能表需要使用F-RAM存儲器。

                                                圖一、電子式電能表的基本電路方塊圖

首先要說明的是鐵電存儲器(F-RAM)和浮閘存儲器的技術(shù)差異。現(xiàn)有快閃存儲器和電子抹除式唯讀存儲器(EEPROM)的技術(shù)都是采用浮動閘(floating gate)技術(shù)。浮動閘存儲單元包含一個電隔離閘，浮動閘位于標準控制閘的下面及通道層的上面。浮動閘是由一個導電材料，通常是多晶硅層形成的如圖二所示。浮動閘存儲單元的信息存儲是借由保存浮動閘內(nèi)的電荷而完成。利用改變浮動閘存儲單元的電壓就能達到電荷添加或擦除的動作，從而確定存儲單元是在 ”1”或“ o”的狀態(tài)。但是浮動閘技術(shù)需使用電荷泵來產(chǎn)生高電壓，迫使電流通過閘氧化層而達到擦除的功能，因此需要5-10ms的擦寫延遲。高寫入功率和長期的寫操作會破壞浮動閘存儲單元從而造成有限的擦寫存儲次數(shù)，（例如：快閃存儲器Flash 約十萬次，電子抹除式唯讀存儲器EEPROM約1佰萬次)。

                                                           圖二、浮動閘存儲單元

鐵電(FRAM)存儲器是一種特殊工藝的非輝發(fā)性的存儲器，是采用人工合成的鋯鈦酸鉛(PZT)材料形成存儲器結(jié)晶體如圖三所示。當一個電場被施加到鐵晶體管時，中心原子順著電場停在低能量狀態(tài)I位置，反之，當電場反轉(zhuǎn)被施加到同一鐵晶體管時，中心原子順著電場的方向在晶體里移動并停在另一低能量狀態(tài)II。大量中心原子在晶體單胞中移動耦合形成鐵電疇。鐵電疇在電場作用下形成極化電荷。鐵電疇在電場下反轉(zhuǎn)所形成的極化電荷高。鐵電疇在電場下無反轉(zhuǎn)所形成的極化電荷低。這種鐵電材料的二元穩(wěn)定狀態(tài)使得鐵電可以做為存儲器。特別是當移去電場后，中心原子處于低能量狀態(tài)保持不動，存儲器的狀態(tài)也得以保存不會消失。因此可利用鐵電疇在電場下反轉(zhuǎn)形成高極化電荷或無反轉(zhuǎn)形成低極化電荷以判別存儲單元是在 ”1”或“ o”的狀態(tài)。鐵電疇的反轉(zhuǎn)不需要高電場。僅用一般的工作電壓就可以改變存儲單元是在 ”1”或“ o”的狀態(tài)，不需要電荷泵來產(chǎn)生高電壓數(shù)據(jù)擦除，因而沒有擦寫延遲的現(xiàn)象。這個特性使鐵電存儲器在掉電后數(shù)據(jù)能夠繼續(xù)保存，寫入速度快而且無限次寫入壽命不容易寫壞。所以，鐵電(FRAM)存儲器與快閃存儲器和電子抹除式唯讀存儲器(EEPROM)等較早期的非揮發(fā)性存儲器技術(shù)比較，鐵電(FRAM)存儲器具有更高的寫入速度和更長的讀寫壽命。

                                                  圖三、鐵電存儲器結(jié)晶單元

現(xiàn)在以0.2級三相電能表為范例來說明何電子式電能表需要使用F-RAM存儲器。
首先要說明電能表0.2級的定義，所謂0.2級是指測量精度每仟瓦小時(KWH)需小于0.2%的誤差，相對來說如果是0.5級則是指指測量精度 每仟瓦小時(KWH)需小于0.5%的誤差。

其次說明國家電網(wǎng)對0.2級三相電能表的用電數(shù)據(jù)存儲的規(guī)范如下列范例所摘錄的，其存儲內(nèi)容分為”用電數(shù)據(jù)及事件記錄”兩部份;

1.用電數(shù)據(jù)存儲:
數(shù)據(jù)保存: 存儲器需保存包括12個月的總電能和各費率的電能數(shù)據(jù), 包括有、無功功率；有功、無功總電能；四象限無功總電能以及正反向有、無功總電能、組合有功、組合無功1、組合無功2、等等共16個項目，每一項目需4字節(jié)(byte)，12個月共( 4 byte x 16項 x 12 月= 768) 字節(jié))。
負荷記錄存儲: 存儲器空間應保證在記錄正反向有、無功總電能、組合有功、組合無功1、組合無功2、等等共6個項目，每一項目需4字節(jié)(bytes)，時間間隔為1分鐘的情況下、可記錄不少于30 天的數(shù)據(jù)容量，最長時間間隔為1分鐘， 以60分鐘間隔來計算其數(shù)據(jù)量為 ( 4 byte x 6項 x 24hr x30 day = 17,280 字節(jié))。

2.事件記錄存儲: 內(nèi)容則包括最近10 次編程時間、需量清零時間、校時事件、A、B、C 相失壓起始及恢復時間、A、B、C 相斷相起始及恢復時間、電流不平衡起始及恢復時間和事件期間的各項電能增量 共6大項目 801字節(jié)(bytes)。

上述數(shù)據(jù)量相加起來最低存儲器需求不包含負荷記錄就有1,569 字節(jié) (12.51仟位元)，若加上第三點的負荷記錄存儲緩沖，其數(shù)據(jù)量則高達18,849 字節(jié) (150.79仟位元)。以存儲速度來來作比較; I2C的EEPROM 寫1,569 字節(jié)需要 0.91秒，寫18,849 字節(jié)需花費11.07秒，但是I2C的鐵電(FRAM)存儲器，寫1,569 字節(jié)僅需要 45毫秒，寫18,849 字節(jié)僅需花費0.55秒，事實上當Vdd在0.01秒的時間下降0.23V(使用1000μf 130ohm內(nèi)阻的電容)的放電率條件下鐵電存儲器能寫50,000次 而EEPROM僅能寫一次。因為浮動閘存儲器的擦寫延遲在大量的數(shù)據(jù)存儲時有可能導致數(shù)據(jù)丟失所以浮動閘存儲器并不適用高容量的電能表。

根據(jù)統(tǒng)計中國的一般民生用電約每戶每月200度左右，而工業(yè)用電每戶每月約高達2萬度左右，以每0.01度存儲一次用電數(shù)據(jù)來計算，則存儲器每月的擦寫次數(shù)會高達200萬次，加上電能表的使用壽命為5-7年(各省分不同)，因此浮閘存儲器的擦寫壽命根本不敷使用，因為浮閘存儲器的擦寫延遲因素更不可能采用大容量浮閘存儲器來做移位儲存。

從數(shù)據(jù)保存的本質(zhì)安全角度及寫入時間來看，浮動閘存儲器并不適用于三相電能表，因為浮動閘存儲器的擦寫延遲在如此大量的數(shù)據(jù)存儲時有可能導致數(shù)據(jù)丟失，例如，用電量大或者遇到瞬間停電時會有來不及寫入，導致數(shù)據(jù)丟失的可能性。當然工程師們可以利用SRAM來做為數(shù)據(jù)緩沖暫時存儲用電數(shù)據(jù)，但是如此一來則需要備份電池供電給SRAM以防止斷電時數(shù)據(jù)丟失，同時還會增加電能表本身的功耗與成本。所以鐵電(FRAM)存儲器的非輝發(fā)性、無延遲快速寫入、無限的讀寫壽命和超低的寫入功耗成為電能表的最佳存儲器選擇。

范例:

中國國家電網(wǎng)對0.2級三相電能表的用電數(shù)據(jù)存儲內(nèi)容要求

數(shù)據(jù)存儲內(nèi)容:

1.至少能存儲前12個月或前12個（結(jié)算）抄表周期的總電能和各費率的電能數(shù)據(jù), (負荷記錄: 有功、無功的電壓、電流、頻率；有、無功功率；功率因數(shù)；有功、無功總電能；四象限無功總電能。
( 4 byte x 16 x 12 month= 768 bytes) 。
2.負荷記錄間隔時間可以在1～60 分鐘任意設(shè)置。
3.負荷記錄存儲空間應保證在記錄正反向有、無功總電能、組合有功、組合無功1、組合無功2，時間間隔為1min 的情況下可記錄不少于30 天的數(shù)據(jù)容量 (這個數(shù)據(jù)通常會搬移至快閃存儲器)。
在1分鐘間隔時: ( 4 byte x 6 x 60min. x24hr x30 day = 1,036,800 bytes),
在60分鐘間隔時: ( 4 byte x 6 x 24hr x30 day = 17,280 bytes)
事件記錄存儲內(nèi)容:
4.最近10 次編程時間及編程對應的數(shù)據(jù)標識。
(年, 月, 日, 時, 分, 秒 = 6 byte x 10次+ 40 byte數(shù)據(jù)= 100 bytes)
5.最近10 次的需量清零時間及清零前的最大需量值。
(年, 月, 日, 時, 分, 秒= 6 byte x 10次+ 40 byte數(shù)據(jù)= 100 bytes)
6.最近10 次校時事件，校時前后時間。
(年, 月, 日, 時, 分, 秒= 6 byte x 20次(前+后) + 1 byte events= 121 bytes)
7.最近10 次A、B、C 相失壓起始、恢復時間及期間的電能增量。
(年, 月, 日, 時, 分, 秒= 6 byte x 20 + 40 byte increase= 160 bytes)
8.最近10 次A、B、C 相斷相起始、恢復時間及期間的電能增量
(年, 月, 日, 時, 分, 秒= 6 byte x 20 + 40 byte increase= 160 bytes)
9.最近10 次電流不平衡起始、恢復時間及期間的電能增量
(年, 月, 日, 時, 分, 秒= 6 byte x 20 + 40 byte increase= 160 bytes)

總存儲數(shù)據(jù)在條件 (1+4+5+6+7+8+9)= 1,569 bytes (12.51Kb)
總存儲數(shù)據(jù)在條件 (1+3+4+5+6+7+8+9)= 18,849 bytes (150.79Kb)

鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM的技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器，適合用于電能表或先進的計量產(chǎn)品，因為這些產(chǎn)品需要較以往更高的資料收集速率及壽命，由于FRAM存儲器具有高速的寫入速度和無限的讀寫壽命，加上其非易失性及低功耗的特點，所以電子式電能表需要使用F-RAM存儲器來做為數(shù)據(jù)存儲。