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原文:
為何電子式電能表需要使用鐵電存儲器(F-RAM) - RF技術(shù)社區(qū)-與非網(wǎng)
看,圍繞著我們的生物電
向春閣 閱97 轉(zhuǎn)5
鐵電存儲器的主要技術(shù)特點(diǎn)
緣分天空805 閱141 轉(zhuǎn)4
3D NAND將會無限堆疊?沉積和蝕刻將是制約發(fā)展的兩大瓶頸
Long_龍1993 閱277 轉(zhuǎn)6
動態(tài)存儲器的記憶原理和讀寫過程
xinhuaide 閱294 轉(zhuǎn)3
基于磁電耦合效應(yīng)實(shí)現(xiàn)第四種基本電路元件與非易失信息存儲器|進(jìn)展
萬語千言525 閱80
0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
英尚微電子 閱21
SRAM和DRAM區(qū)別
金剛光 閱80
科學(xué)家研制出新型鐵電晶體管隨機(jī)存取存儲器
中國腦創(chuàng)力 閱58 轉(zhuǎn)2
嵌入式存儲器的前世今生
懶人葛優(yōu)癱 閱53 轉(zhuǎn)2
鐵電存儲器原理及應(yīng)用比較
hxqdou 閱100 轉(zhuǎn)2
存儲器|歐洲微電子中心研發(fā)出首款CMOS兼容的鐵電存儲器,未來有望替代3D NAND存儲器
大國重器元器件 閱229 轉(zhuǎn)2
工業(yè)4.0下的非易失性數(shù)據(jù)記錄
牛k8nb72h1x6w1 閱18
嵌入式基于FRAM的海水深度記錄儀電路設(shè)計(jì)
ldjsld 閱22
西電周益春教授團(tuán)隊(duì):在5d電子鉿基鐵電信息存儲取得重要進(jìn)展!
材料科學(xué)網(wǎng) 閱30
硅谷變“鐵谷”:鐵電材料有望突破計(jì)算機(jī)發(fā)展瓶頸
天天邵陽 閱30
初中物理歌謠
hangxing_441 閱1393 轉(zhuǎn)375
MRAM工作原理技術(shù)
Coder編程 閱93
存儲器的概念、作用、分類
泰榮林黑皮 閱6919 轉(zhuǎn)71
我等用SSD卻擔(dān)心其壽命的有福了,據(jù)說有新技術(shù)可以無限延長SSD壽命了
丑 陋 閱623 轉(zhuǎn)4
ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別
ccbupt 閱3223 轉(zhuǎn)132
第三類存儲技術(shù)問世,可“裁剪”數(shù)據(jù)存儲時間,比U盤快1萬倍
林小霖 閱29
S7-200 SMART高速脈沖輸出如何斷電保持當(dāng)前位置
金玉滿堂jjnla8 閱1117 轉(zhuǎn)4
電容為什么能濾波?到底是什么原理?
回家的夢想 閱123 轉(zhuǎn)4
我國科學(xué)家發(fā)明半浮柵晶體管
薈萃天地 閱1064 轉(zhuǎn)25
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